Монокристаллы, выращивание

Мн, методы синтеза специфичны. При получении тугоплавких соед. и материалов применяют методы порошковой технологии (см, Порошкова.ч металлургия), реакц, спекания и химического осаждения из газовой фазы. Сферич, однородные частицы порошков получают плазменной обработкой или с помощью золь-гель процессов. Разработаны спец. методы выделения в-в в виде монокристаллов (см. Монокристаллов выращивание), монокристаллич, пленок, в т, ч, эпитаксиальных (см. Эпитаксия), и нитевидных кристаллов, волокон, а также в аморфном состоянии, Нек-рые р-ции проводят в условиях горения, напр, синтез тугоплавких соед. из смеси порошков простых в-в (см. Горение, Самораспространяющийся высокотемпературный синтез). Все более [c.212]

Более простой способ получения монокристаллов — выращивание из-под слоя [130] расплавленного борного ангидрида толщиной 10 мм. Флюс прозрачен и позволяет вести наблюдение за процессом роста. Чтобы не прорвались пары мышьяка через слой флюса, в камере поддерживается давление инертного газа 1,5 атм. В этом случае можно использовать обычные установки для вытягивания, применяемые для получения монокристаллов германия (см. И том). [c.273]

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ, производят из [c.352]

Большинство твердых материалов является поликристал-лическими оии состоят из множества отдельных беспорядочно ориентированных мелких кристаллич. зереи (кристаллитов), иапр. ми. горные породы, техи. металлы и сплавы. Крупные отдельные однородные К. с непрерывной кристаллич. решеткой называют монокристаллами. Таковы К. минералов, иапр. громадные (до сотен кг) К. кварца (горного хрусталя), флюорита, кальцита, полевого шпата или относительно мелкие К. берилла, алмаза и др. К. образуются и растут чаще всего из жидкой фазы-р-ра или расплава возможно получение К. из газовой фазы или при фазовом превращ. в твердой фазе (см. Кристаллизация, Монокристаллов выращивание). Существуют пром. и лаб. методы выращивания синтетич. К.-аналогов прир. К. (кварц, рубин, алмаз и др.) и разл. техи. К., напр. 81, Ое, лейкосапфира, гранатов. К. образуются и из таких прир. в-в, как белки, нуклеиновые к-ты, а также из вирусов. При определенных условиях можио получить К. синтетич. полимеров. [c.536]

Для получения Д к с используют все методы, разработанные для монокристаллов выращивания К ним относятся методы выращивания из расплавов стехиометрич [c.115]

МОНОКРИСТАЛЛЫ, см. Криста.иы, Монокристаллов выращивание. [c.133]

II теплообмепном режимах — с увеличением интенсивности перемешивания, в адсорбционно-кинетическом — с уве- Ш и нием поверхностной дефектности кристалла. См. также Монокристаллов выращивание. [c.511]

Монокристаллы К. выращивают по методу Чохралы кого или бестигельной зонной плавкой (см. Монокристаллов выращивание). В первом случае процесс проводят в кварцевых тиглях в вакууме или инертной атмосфере с применением нагревателей из особо чистого графита. Масса исходной загрузки 60-100 кг, диаметр получаемых монокристаллов до 0,15 м, длина до 1,5-2,0 м. Зонную плавку про водят в глубоком вакууме или атмосфере особо чистого этим способом получают наиб, чистые монокристаллы Диаметр монокристаллов до 0,125 м, длина до 1,5 м. Ле гируют монокристаллы непосредственно в процессе выра щивания. Для получения однородных монокристаллов, ле гированных фосфором, их часто облучают медленными [c.509]

Высокотемпературные оксидные С. синтезир тет в виде монокристаллов, объемных изделий, пленок или проволоки. Осн. методы получения-методы монокристаллов выращивания, золь-гель, криохим., керамич. или стекольная (для беспористых С.) технология. Сверхпроводимость синтезируемых соед. существенно зависит от наличия разл. примесей, концентрац. неоднородностей, пор, дефектов в кристаллах и т.п., что приводит к трудностям воспроизведения [c.297]

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ, проводят разл. методами, обеспечивающими получение индивидуальных кристаллов заданного размера, формы и дефектности. При М. в. заранее полученные мелкие кристаллы (затравку) помещают в пересыщ. среду (пар, р-р, расплав, твердое в-во) и выдерживают там до укрупнения затравки. Пересыщение и т-ру среды поддерживают такими, чтобы затравка росла со скоростью 10" -10 мм/с без спонтанного образования центров кристаллизации с сохранением морфологич. устойчивости (см. Кристаллизация). Монокристалличность вы [c.131]

При синтезе мн. твердых в-в большое внимание уделяют их текстуре или структуре, а также морфологии пов-сти, поскольку эти характеристики сильно влияют на св-ва неорг. материалов. Так, сферич. однородные частицы порошков получают плазменной обработкой или с помощью золь-гель процесса. Разработаны спец. методы монокристаллов выращивания, получения монокристаллич. пленок, в т. ч. эпитаксиальных (см. Эпитаксия), и волокон. Созданы методы сохранеш]Я высокотемпературных кристаллич. модификаций нек-рых в-в (напр., кубич. ZrOj) при низких т-рах, способы получения в-в в аморфном состоянии, приемы синтеза аморфных сплавов разнородных в-в (напр., сплавы Si или Ge, содержащие водород, фтор, азот и др.), разл. стеклокристаллич. материалов. [c.215]

Осн. способы вырапфшания Н.к,-осаждение из газовой фазы и кристаллизация из р-ров и расплавов по методам монокристаллов выращивания. Н.к. образуются вследствие высокой скорости роста в определенном кристаллографич. направлении, напр, по нормали к плотноупакованной грани. Скорость удлинения во много раз больше. Чем скорость роста обычных кристаллов (в газовой фазе обычно ок. 0,01 мм/с, иногда 1-2 см/с). [c.254]

С. - один из осн, способов очистки в-в и концентрирования примесей (см. в ст. Монокристаллов выращивание, методы зонной плавки и дробной кристаллизации). В научной практике С. используют для идентификации степени окисления элементов, образующих микрокомпонент, определения констант устойчивости комплексов, р-римостей в-в и параметров фазовых переходов. С помощью С. были открьггы Ка и Ро, обнаружено деление урана. [c.385]

При физ.-хим. исследованиях условно выделяют область низких Т. (см. Криохимия) и область высоких Т. (обычно 500-3000 К), к-рую рассматривают как химию высоких Т., или просто высокотемпературную химию. Т. в интервале 500-3000 К получают методами радиационного и лазерного нагрева, электронной и ионной бомбардировки. Объекты высокотемпературной химии, как правило, - неорг. соединения. Характерными чертами высокотемпературных хим. процессов являются 1) сравнительно малая роль констант скорости, энергий активации и т. п. кинетич. факторов, поскольку скорость р-ций высока и в системе быстро устанавливается равновесие 2) увеличение роли газовой (паровой) фазы из-за интенсивных процессов испарения 3) необходимость учета влияния заряженных частиц-ионов и электронов, возникающих в результате термодиссоциации (см. Ионы в газах, Ионно-молекулярные реакции). Высокотемпературными процессами являются мн. металлургич. произ-ва, процессы напыления пленок, монокристаллов выращивания из газовой фазы и др. [c.520]

Поликристаллич, Ф, производят по технологии получения керамики спеканием (при т-рах от 900 до 1500 °С на воздухе или в спец. атмосфере) смесей оксвдов или карбонатов, совместно упаренных р-ров солей (нитратов, сульфатов, двойных сульфатов типа шенитов) или совместно осажденных гвдроксвдов, оксалатов, карбонатов. Монокристаллы Ф. выращивают методами Вернейля, Чохральского, зонной планки (см. Монокристаллов выращивание) обычно под давлением [c.86]

Важными этапами в развитии X. т. т. явилось создание совр. методов выращивания монокристаллов больших размеров (см. Монокристаллов выращивание) из расплава, из перегретых водных р-ров (см. Гидротермальные процессы), разработка процесса выращивания по механизму пар - жидкость -кристалл, методов зонной плавки кристаллов, методов управления св-вами кристалла путем наложения при его выращивании магнитных и электрич. полей. Значительное месго в Х.т.т. занимает получение и исследование св-в пленок и покрьттий. [c.262]

Кристаллизационные метшы разлепе-ння смесей 2/1039, 1040-1046 4/461, 891, 892 Кристаллизация 2/1046, 121, 299, 860, 1047-1053, 1299, 1300 3/99, 1143 4/807, 1051, 1063. См. также Монокристаллов выращивание аддуктивная 2/1043 аморфной твердой фазы 2/1053 в звуковых полях 5/62 в многокомпонентных системах 3/188 в неорганическом синтезе 3/420 в присутствии вспомогательных веществ 2/1040, 1043, 1044 вторичная 2/1046, 1047 вымораживанием 1/847 2/1041 высаливанием 2/1053 зарождение иовой фазы 2/316-320 [c.634]

Быстрое охлаждение, перемещивание р-ра, высокая т-ра и небольпия мол. масса растворенного в-ва способствуют образованию зародышей и получ. мелких кристаллов. При возрастании скорости охлаждения расплава скорость ооразования зародьпней вначале растет, а затем падает поэтому при очень быстром охлаждении расплавов можно избежать зародышеобразовання и получить в-во в стеклообразном состоянии. Выращивание крупных монокристаллов производят из метастабильных р-ров и расплавов, ввода в них затравочные кристаллы и предотвращая самопроизвольную массовую К. (см. Монокристаллов выращивание). [c.286]

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ, производят из пара, р-ра, расплава или тв. фазы. Пр И М. в. из пара кристаллизующееся в-во возгоняется, его пары переносятся газом-носителем или диффундируют в зону роста, где конденсируются на затравочном кристалле, охлажденном относительно источника паров. Возможен также перенос в зону роста не паров кристаллизующегося в-ва, а газообразных продуктов р-ции этого в-ва с к.-л. другим, с послед, разложением продуктов на нагретой затравке и выделением исходного в-ва (метод хим. транспорта). Иногда в источник паров вводят в-во, пары к-рого разлг1гаются на затравке с образованием кристаллизующегося в-ва, или реагенты, образующие на затравке кристаллизующееся в-во (метод хим. кристаллизации). [c.352]

При М. в. из р-ра для поддержания пересыщения среды испаряют р-ритель, охлаждают р-р или подпитывают его. Если кристаллизующееся в-во имеет модификации с повыш. растворимостью, их используют для подпитки р-ра напр., прй выращивании алмаза р-р подпитывают графитом. В методе зонного растворения затравка и поликристаллич. в-во, подпитывающее р-р, разделены тонким слоем р-ра, к-рый поддерживаю - при более высокой т-ре этот слой р-ра пере-мещдется из-за растворения поликристаллич. в-ва и роста монокристалла. Выращивание кристаллич. нитей проводят т, н. ПЖТ-методом, при к-ром затравку вводят в пересыщенный пар и наносят на ее пов-сть капли р-ра, из к-рого кристаллизация идет быстрее, чем из пара в результате капли (Ж) захватывают кристаллизующееся в-во из пара (П) и передают его затравке (Т), [c.352]

Металлографическое исследование [114] нетравленных шлифов монокристалла W показало присутствие наряду с основной фазой (W ) включений другой фазы, располагающейся на основании базисной плоскости. Согласно результатам рентгенофазового анализа, эти включения являются металлическим кобальтом и его присутствие обусловлено технологией получения монокристаллов (выращиванием из кобальтового расплава). Установлено, что растворимость кобальта в W ничтожна и составляет менее 0,05 вес.% в интервале температур 1600—1800° С. [c.103]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология