Кристаллы выращивание,

Распределение температуры в расплаве и растущем кристалле имеет очень большое значение. Наиболее благоприятные условия для роста совершенного чистого монокристалла создаются тогда, когда температурный градиент вдоль оси слитка сравнительно высокий, а радиальные градиенты как в расплаве, так и в растущем монокристалле сведены к минимуму. Радиальные температурные градиенты существенно влияют на форму фронта кристаллизации, т. е. поверхности раздела кристалл— расплав. Отвод тепла от жидкого столбика, тянущегося за кристаллом, осуществляется через наружные слои. В этом случае фронт кристаллизации имеет выпуклую форму. Вогнутая поверхность образуется в конце процесса выращивания, когда расплава в тигле остается мало и растущая часть слитка оказывается в области высоких температур. [c.58]

Абсорбция аммиака с получением ненасыщенного раствора сульфата аммония, имеющего оптимальную для выращивания крупных кристаллов избыточную кислотность (около 1 %), можно осуществлять в аппаратах различных типов противо-точных абсорберах (2-3 тарелки), скрубберах Вентури, форсуночных аппаратах и т.п. На отечественных установках используют преимущественно двухступенчатые форсуночные абсорберы, хотя эти аппараты и обладают определенными недостатками. [c.198]

При высоких давлениях, в особенности когда плотность газа становится сравнима с плотностью жидкости, образование газовых растворов сопровождается изменением объема и тепловым эффектом. Механизм растворения веществ в сжатых газах принципиально не отличается от механизма растворения в жидкости. В сжатых газах растворение веществ достигает значительных величин. Так, при l 10 Па и 100"С азот растворяет до 10 молярных долей бензина (%), а этилен при 2,4-10 Па и 50° С — до 17 молярных долей нафталина (%). Сжатые газовые растворы используются в технике для синтеза некоторых минералов. Например, растворимость кварца при высоких температурах в сжатом водяном паре, насыщенном некоторыми солями, используется для выращивания крупных (массой до нескольких килограммов) кристаллов. [c.126]

Третий недостаток пермутационных указателей заключается в том, что в них не отмечаются связи ключевых слов. Так, в обычном предметном указателе понятию Выращивание предыдущего примера обязательно сопутствовали бы рубрики Выращивание кристаллов , Выращивание растений и т. д. В пермутационных указателях этого нет, что заметно усложняет работу с ними . [c.254]

За последнее десятилетие быстро развилась техника выращивания иа расплава больших полупроводниковых неорганических кристаллов теперь эта техника уже широко применяется для приготовления многих органических кристаллов. Выращивание из расплава имеет ряд преимуществ перед другими методами. Во-первых, возможная скорость роста из расплава в общем гораздо выше, чем из раствора или из пара, так как твердое вещество в рас- [c.223]

Получение монокристаллов ферритов может осуществляться всеми известными методами, которые, как обычно, подразделяются в соответствии с тем, какая среда является материнской для растущего кристалла выращивание из газовой (паровой) фазы, выращивание из растворов, выращивание из расплавов, выращивание в твердой фазе. [c.126]

Для кристаллизации дифенилолпропана запатентованы циркуляционные аппараты непрерывного действия, в которых получаются крупные и однородные по величине кристаллы ". Размер кристаллов существенно влияет на чистоту получаемого продукта. Крупные и однородные по величине кристаллы обычно чище мелких, так как с них хорошо смывается маточный раствор в центрифуге. Исключение составляют очень крупные кристаллы (более 2—5 мм), образующие друзы внутри друз находится маточный раствор с примесями, загрязняющими продукт. Необходимость выращивания крупных кристаллов вызывается и тем, что очень мелкие кристаллы трудно поддаются фильтрованию и центрифугированию. Большое значение имеет и форма кристаллов, которая изменяется в зависимости от условий их образования. [c.173]

Проводимость таких веществ, как кремний и германий, можно повысить, вводя в них небольшое количество определенных примесей. Например, введение в кристаллы кремния примесей бора или фосфора приводит к эффективному сужению межзонной щели. Небольшие количества бора или фосфора (несколько миллионных долей) удается включить в структуру кремния при выращивании кристалла. Атом фосфора имеет пять валентных электронов, и поэтому, после того как четыре из них используют- [c.631]

В монографии рассмотрены вопросы фазового равновесия при переходе веществ из жидкого состояния в кристаллическое, кинетические закономерности образования и роста кристаллов. Обсуждены особенности теплообмена при охлаждении различных расплавов. Приведена классификация методов кристаллизации расплавов. Проанализированы особенности различных технологических методов кристаллизации расплавов, в том числе методов отверждения расплавов, фракционной кристаллизации, очистки веществ от примесей и выращивания монокристаллов. Рассмотрены вопросы аппаратурного оформления разных процессов кристаллизации расплавов. [c.728]

Проведение целенаправленных физических превращений исходных материалов в печах является способом получения целевых продуктов с заданным химическим составом и физико-химическими свойствами за счет теплового воздействия без химического взаимодействия. Этот вид термотехнологических процессов предусматривает только осуществление физических процессов и превращений исходных материалов и полученных продуктов (тепловая активация, термообработка, плавление, испарение, конденсация, рафинирование металлов, выращивание кристаллов и др.). [c.16]

По другому способу выращивание кристаллов сапфира и рубина проводилось с применением водных растворов карбоната натрия с добавками гидрокарбоната натрия и карбоната аммония (исходная шихта — дробленый корунд с добавлением различных хромофорных компонентов). Температура процесса составляла 480...500°С, давление 60... 190 МПа, температурный перепад 15...40 ""С. Скорость роста образующихся кристаллов составляла от 0,1 до 0,3 мм/сут. [c.78]

Интегрируя уравнение (2.304), нетрудно определить время, необходимое для выращивания кристаллов в классифицирующем кристаллизаторе от размера ао до [c.231]

В ильке К. Методы выращивания кристаллов. М., Недра , [c.126]

Дефекты в кристаллах могут возникнуть при механических воздействиях, деформациях, когда появляются всевозможные макродефекты (трещины, сдвиги и т. п.). В процессе выращивания кристаллов несоблюдение необходимых условий может вызвать образование линейных дефектов, перемещений (дислокаций) целой группы частиц. К сложным искажениям кристалла относятся плоские дефекты, при наличии которых поликристаллические тела могут состоять из набора блоков, зерен, соединенных между собой и произвольно ориентированных. [c.141]

Для проведения простого эксперимента по выращиванию кристаллов, в котором успешно можно использовать квасцы, нитрат калия, дихромат калия и сульфат меди, готовят насыщенный при 80 °С раствор вещества, фильтруют и помещают его для медленного охлаждения в ячейку с термоизоляцией (изоляционным материалом может быть древесная шерсть, опилки, кизельгур) или в термос. [c.488]

Для получения индивидуальных кристаллов больших размеров существуют специальные методы выращивания кристаллов (разд. 47.3.2). [c.515]

Выберите хорошо сформированный кристалл квасцов, перевяжите его тонкой нитью и опустите в стакан с маточным раствором. Второй конец нити закрепите на стеклянной палочке, которую положите горизонтально на стакан и оставьте до следующего занятия для выращивания монокристалла хромокалиевых квасцов более крупного размера. [c.158]

Выращивание кристаллов осуществляется в специальных автоклавах, позволяющих проводить процесс при температурах порядка 300...600°С и давлениях в десятки и сотни мегапаскалей, т. е. от 10 до 200 МПа. Нагрев автоклавов происходит в специальных электропечах так, чтобы внутри сосуда имел место перепад температуры, необходимый для конвективного переноса веществ. [c.77]

Выращивание кристаллов изумруда можно проводить различными способами. В одном из методов процесс проводили при давлениях от 60 до 120 МПа и температурах [c.77]

Выращивание кварца. В настоящее время потребность в крупных кристаллах кварца в различных областях науки и техники чрезвычайно возросла, поэтому синтез его проводится в весьма широком масштабе. [c.78]

Геометрические размеры и качество кристалла существенно зависят от скорости выращивания и температуры. Обычно скорость вытягивания кристалла составляет 0,1—2 мм/мин. Увеличение температуры приводит к сокращению фронта кристаллизации и уменьшению диаметра растущего кристалла, вплоть до полного отрыва его от расплава, а уменьшение температуры— к увеличению диаметра монокристалла и скорости выращивания. Однако при высокой скорости выращивания кристалла увеличивается количество захваченных примесей. [c.58]

СКИХ деформаций сдвига. Это вызовет при охлаждении кристал- лов образование структурных дефектов — дислокаций, плотность которых только по этой причине может достигнуть весьма больших значений (до 10 м" ). Структурные дефекты, как известно, ухудшают свойства кристаллов, поэтому при выращивании монокристаллов предпринимают различные меры, чтобы поверхность раздела кристалл — расплав имела плоскую форму. Сохранение плоского фронта кристаллизации важно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении монокристалла. Чтобы избежать этих недостатков и создать достаточно однородное распределение температуры в расплаве и кристалле, последний в процессе роста вращают со скоростью до 50 об/мин, а тигель вращают в обратном направлении со скоростью до 30 об/мип. [c.59]

Выращивание монокристаллов ИАГ для акустоэлектроники проводилось на установке СГВК в вакууме не более 0,01 Па в молибденовых контейнерах-лодочках, вмещающих до 1600 г шихты. В связи с тем что температура плавления ИАГ и редкоземельноалюминиевых гранатов очень близки (в пределах 1930—1980 °С) режим работы установок при синтезе технических гранатов практически не отличается от таковых при производстве ювелирных кристаллов. Выращивание велось на ориентированную затравку, скорости кристаллизации варьировались в зависимости от составов и концентраций, от 2 до 8 мм/ч, скорость охлаждения 85 К/ч. [c.189]

Приведена классификация кристаллов типа АВгОе со структурой вольфрамовых бронз и рассмотрены некоторые физико-хим. св-ва выращенных кристаллов этой группы. Кристаллы этого состава выращены по методу Чохральского. В качестве исходных компонентов использованы ВаСОз, ЗгОз и ЫЬгОз марки ос. ч., взятые в соотношении, соответствующем составу кристалла выращивание проводили из толстостенных тиглей из илатино-родиевого сплава, иридия и платины. Найдено, что материал тигля оказывает влияние на окраску кристалла. Кристаллы, вытянутые из платинородиевого тигля, имеют янтарный цвет, из иридиевого — светло-коричневый, а из платинового — светло-зеленый. Вытягивание кристалла проводилн прн температуре 1490 10° со скоростью 5 и 10 мм час скорости вращения 2 об/мин. Измерены физич. св-ва кристалла плотность 5,23 см и микротвердость 341 кг/мм -, сняты спектры пропускания в видимой и ИК-областях оказалось, что кристалл прозрачен от 0,5 до 0,8 ц 3—7 ц 13—25 М-- Изучены электрич. характеристики кристалла температурные зависимости диэлектрич. проницаемости и проводимости, из которых определены ширина запрещенной зоны 3,8 э. в. и т-ра Кюри 60°. Рис. 7, библ. 14 назв. [c.424]

Гелий применяется для наполнения дирижаблей, при сварке магниевых деталей самолетов, в водолазном деле, медицине, для калибровки приборов, в космонавтике для консервации пищевых продуктов, атомной энергетике (как теплопередающая среда), хладотехнике, хроматографии, при выращивании полупроводниковых кристаллов кремния и германия, для наполнения радиоламп и во многих других отраслях. [c.172]

Плавление исходных материалов в печах осуществляется 1) для получения расплавов с целью последующего (внепечного) придания им заданных форм б) получения сплавов и твердых растворов заданного химического состава и физических свойств в) термического ликвационного рафинирования расплавленных металлов за счет выделения примесей вследствие уменьшения их растворимости в сплаве при понижении температуры и выплавления примесей из кристаллов сплава при нагревании г) направленной кристаллизации и зонной плавки для выращивания монокристаллов и глубокой очистки металлов, идущих на производство прецизионных сплявпа----- - [c.17]

Исследования кристаллизации в микровихрях позволили установить, что в микровихрях протекает весь цикл от зарождения до выращивания кристалла сферической формы. На основании этих исследований были разработаны способ кристаллизации и устройство, реализующее его. Ниже приведен пример интенсификации процесса кристаллизации. [c.149]

Длл выращивания крупных кристаллов в начальный период зародышеоб-разования требуются очень низкие скорости охлаждения раствора сырья в растворителе в маловязкой суспензии. Постепенное охлаждение можно проводить в объемном кристаллизаторе с перемешивающим устройством. [c.237]

Практические рекомендации по режицу охлаждения парафинового дистиллята обеспечивают выращивание крупных кристаллов парафина и исключают вторичное зародышеобразование. [c.95]

Большое влияние на процесс кристаллообразования в расплаве оказывают различные примеси. Особенно важную роль в этом отношении играют механические примеси, находящиеся в расплаве в виде взвешенных частиц микронного и субмикронного размера и играющие роль затравки при образовании зародышей. Последнее объясняется тем, что работа образования зародышей на готовой поверхности (гетерогенное зародышеоб-разование) меньше, чем работа флуктуативного образования зародышей (гомогенное зародышеобразование) в объеме расплава. Такое гетерогенное зародышеобразование возможно лишь, когда расплав является лиофильным по отношению к поверхности частицы. Возникающий на ней в этом случае адсорбционный слой вызывает соответствующее структурирование прилегающего расплава, что приводит к облегчению образования зародышей на данной поверхности по отношению к зародыше-образованию в объеме расплава. Вследствие этого начало кристаллообразования обычно смещается в сторону меньших переохлаждений по сравнению с тем, что было бы, если бы исходный расплав был тщательно очищен от взвешенных частиц. Аналогичное явление имеет место и в случае кристаллизации на специально вводимых в расплав затравочных кристаллах, что широко применяется в различных способах выращивания монокристаллов. [c.109]

Здесь будет изложена идея простейшего устройства этого типа, так называемого плоскостного транзистора. Основой усилителя являются монокристаллы германия. Введением примеси во время выращивания кристалла или на основе диффузии в готовый образец, в нем создается прослойка /7-0е между двумя слоями /г-Ое (рис. ХХП1.9). [c.522]

Так, например, выращивание рубина в водных растворах К2СО3 [исходная шихта — порошок А Оз или А1(0Н)з] проводилось при температуре 490 °С и давлении 90 МПа (температурный перепад 30 °С). В раствор добавлялся дихромат калия с концентрацией 0,1 г/ /1000 м что окрашивало выращиваемые кристаллы в ярко-красный цвет содержание хрома в кристаллах было порядка 1 %. [c.78]

Важной проблемой в области синтеза алмаза является разработка метода выращивания кристаллов, пригодных для ювелирной промышленности. В 1970 г. удалось впервые вырастить монокристаллы алмаза сбвер-шенной огранки и чистой воды размером 6 мм. Они были неотличимы от природных алмазов, из которых изготовляются бриллианты. Их получили в очень сложной аппаратуре, поддерживая с большой тщательностью постоянными давление и температуру в течение почти недельного срока. Стоимость такого синтетического алмаза оказалась в 6—8 раз больше природного алмаза аналогичного качества. Таким образом, в настоящее время синтез ювелирных алмазов — проблема для практического использования нерешенная. [c.144]

Жидкие кристаллы диамагнитны. Их магнитная восприимчивость вдоль длинной оси молекул больше, чем в перпендикулярном направлении. Благодаря этой особенности молекулы жидких кристаллов в магнитном поле ориентируются вдоль его силовых линий. Практически полная ориентация достигается в слабых магнитных полях. Тонкий слой ориентированного магнитным полем жидкого кристалла по свойствам аналогичен пластине, вырезанной из твердого монокристалла. Это свойство нематической фазы создает очень простой способ получения жидких монокристаллов прн помощи воздействий магнитного поля, в то время как выращивание твердых монокристаллов сталкивается со значительными трудностями. [c.245]

Для однородности свойств монокристалла одинаково нежелательна ни вогнутая, ни выпуклая поверхность раздела. В зависимости от формы фронта кристаллизации в центральных частях кристалла будут возникать термические сжимающие или растягивающие напряжения, которые при достаточно высоких температурах выращивания приведут к появлению пластнче- [c.58]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология