Полупроводники примесные

Наряду с собственными большое распространение получили также полупроводники примесного типа. В них основное число переносчиков тока — электронов или дырок — поставляют введенные в собственный полупроводник специальные примеси, энергетические уровни которых располагаются между валентными зонами и зонами проводимости полупроводника. Так, при введении в кристалл германия так называемых донорных примесей, как, например, фосфора, мышьяка, сурьмы, электроны последних переходят в зону проводимости полупроводника, резко увеличивая в ней число электронов — переносчиков тока (п-про-водимость). При добавлении к германию акцепторных примесей типа бора, алюминия, индия электроны валентной зоны полупроводника переходят на свободные уровни зоны примесей, что увеличивает число дырок (р-проводимость) в валентной зоне. [c.77]

В этом разделе будут последовательно рассмотрены изменения под действием облучения каталитических свойств собственных полупроводников, примесных полупроводников и изоляторов. Для простоты все электронные возбужденные состояния будут сведены к парам свободных носителей тока. [c.230]

Дополнительные составляющие электродного тока могут, как отметил Геришер, появиться нри наличии в полупроводнике примесных или поверхностных уровней. Эти уровни, заполненные или вакантные, располагаются между зоной проводимости и валентной зоной. Иногда при большой ширине запретной зоны они могут взять на себя почти весь электронный обмен. [c.154]

Всем этим не исчерпывается ценность рассматриваемых веществ. Исключительной важности фактом является их низкая чувствительность к примесям, не идущая ни в какое сравнение с чувствительностью неорганических кристаллических полупроводников. Для органических полупроводников этот вопрос недостаточно изучен, но известно, что многие из них слабо реагируют на примеси. У стеклообразных же полупроводников примесная полу-проводимость совсем не наблюдается. Стекла, различающиеся чистотой в несколько раз, обладают практически одинаковыми полупроводниковыми свойствами. Посторонние вещества начинают влиять лишь при больших концентрациях. [c.192]

Предположим, что полупроводник примесный (дырочный) и что в объеме и на поверхности полупроводника можно пренебречь неосновными носителями (электронами). Согласно теории поверхности полупроводника [И], при указанных предположениях выражения для избытка дырок Гр в слое пространственного заряда и концентрации дырок у поверхности рз можно записать в виде [c.128]

В реальных твердых телах всегда имеются примеси, обусловливающие появление в запрещенной зоне полупроводника примесных уровней, которые могут быть расположены бли/ке к верхней или нижней зоне. В обоих случаях это приводит к появлению добавочной примесной проводимости. [c.257]

Карбид кремния представляет собой полупроводник примесного типа с электросопротивлением, лежащим между сопротивлением металлических проводников и изоляторов. [c.60]

Имеются и другие области применения покрытий из перечисленных соединеций. Так, покрытие 51зМ4 играет особую роль в радиоэлектронике. Нанесенное на кремний из газовой фазы, оно является эффективной маской , поскольку задерживает диффузию в полупроводник примесных элементов лучше, чем пленка SiOz и, вместе с тем, выполняет роль лучшего диэлектрика. [c.155]

Ионы У+ в решетке УаОб являются, с точки зрения электронной теории катализа на полупроводниках, примесными уровнями, влияющими на электрические и каталитические свойства пятиокиси ванадия. В излагаемой работе действительно удалось 1аблюдать симбатность между интенсивностью сигналов ЭПР и каталитической активностью образцов. Отсюда видно, что метод ЭПР может быть весьма полезен при изучении примесных уровней в окисных полупроводниковых катализаторах. [c.211]

Карбид кремния существует в виде двух модификаций кубической -Si и гексагональной a-Si переход 3-модифпкации в а происходит при высокой температуре через газовую фазу. Карбид кремния — полупроводник примесного типа. Высокие твердость и абразивная способность такого вещества предопределили широкое использование его в абразивной промышленности, высокая температура плавления (2200 °С) — в производстве огнеупоров, полупроводниковые свойства — в электронной промышленности. [c.305]

Общая химия (1984) -- [ c.314 ]

Химическая связь (0) -- [ c.236 ]

Физическая химия (1978) -- [ c.592 ]

Введение в кинетику гетерогенных каталитических реакций (1964) -- [ c.63 , c.65 ]

Краткий курс физической химии Изд5 (1978) -- [ c.145 ]

Новые проблемы современной электрохимии (1962) -- [ c.380 , c.385 , c.388 ]

Новые проблемы современной электрохимии (1962) -- [ c.380 , c.385 , c.388 ]

Электрические явления в газах и вакууме (1950) -- [ c.185 ]

Химическая связь (1980) -- [ c.236 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.10 , c.524 , c.528 ]

Строение материи и химическая связь (1974) -- [ c.170 ]

Общая химия Изд2 (2000) -- [ c.109 ]

Краткий курс физической химии Издание 3 (1963) -- [ c.138 ]

Курс общей химии (0) -- [ c.77 ]

Курс общей химии (0) -- [ c.77 ]

Предмет химии (0) -- [ c.77 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология