Кокориш

Получение монокристаллов кремния осуществляется по-разному. Шефталь, Кокориш и Красилов [432] полагают, что лучше всего процесс кристаллизации проводить из газовой фазы. Этот способ является наилучшим для получения малых кристалликов и тонких (от долей микрона до 200 мк) монокристал- [c.411]

Взаимная эпитаксия кристаллов Ge и Si из газовой фазы при восстановлении их солей водородом изучали Кокориш и Шефталь [108, 109]. В качестве затравок использовались. монокристаллы, вырезанные по плоскостям (100), (ПО) и (111). При температурах ниже 800° С германий не осаждается на кремнии, а при 800° С образуется поликристаллический слой. Ориентированные кристаллы Ge на плоскости (111) Si образуются при 840° С. Однако получить непрерывный монокристаллический слой Ge, полностью покрывающий поверхность кремниевого монокристалла, не удается. Кроме того, сцепление эпитаксиального слоя осадка с подложкой очень плохое. [c.404]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология