Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Графит ориентированность кристаллов

    Даже так называемый аморфный углерод, к которому долгое время относили сажу, следует рассматривать как высокодисперсный графит, т. е. состоящий из мелких и беспорядочно ориентированных кристаллитов графита. Такая структура представляет собой как бы промежуточную ступень кристаллической ориентации атомов углерода и является переходным состоянием между аморфным и кристаллическим. Частицы сажи состоят из мелких кристаллов, повернутых своими параллельными плоскостями друг к другу произвольно. [c.6]


    Так, например, поршневые кольца, изготовленные из графита, могут служить длительное время при сжатии только умеренно влажного газа, с точкой росы не ниже 0 С. В случае сжатия совершенно сухого или недостаточно влажного газа происходит быстрое истирание колец. При чрезмерно высокой влажности газа, когда в цилиндре выделяется конденсат, износ также возрастает, так как между поверхностями трения деталей образуется графитовая паста, разрушающая слой правильно ориентированных кристаллов графита. Характерно, что применение даже минеральной смазки увеличивает износ графитовых колец в 10— 30 раз. В среде сухого азота графит также работает плохо. [c.5]

    Во время приработки пары графит — металл на поверхности металла образуется графитовая пленка из ориентированных кристаллов, а на графитовой детали образуется блестящий слой также из ориентированных кристаллов графита. Именно образование этих поверхностных слоев обеспечивает устойчивый режим скольжения и малый коэффициент трения. В результате изнашивается не металлическая, а графитовая деталь. [c.32]

    Бывают и промежуточные типы кристаллических решеток Например, графит носит в себе черты ковалентной, молекулярной и металлической решеток. Атомы С в графите связаны между собой системой sp -гибридных (т-связей, образуя единую плоскую систему сконденсированных бензольных колец (рис. 54). Поэтому в пределах одного такого плоского слоя имеет место ковалентная решетка. Поскольку все 2р-орбитали, ориентированные перпендикулярно плоскости слоя, образуют единую многоцентровую л-ор-биталь, то электроны могут относительно свободно перемещаться вдоль этой плоскости, чем и обусловлена довольно высокая электропроводность графита. В то же время параллельные слои связаны между собой нековалентными взаимодействиями, что типично для молекулярных кристаллов. [c.119]

    Известно, что все углеродистые материалы термодинамически неустойчивы и стремятся перейти в более устойчивое состояние (в графит). На кинетику графитации. и качество графита влияют (природа исходного сырья, температура, время, давление и другие факторы. При высоких температурах преодолевается внутреннее сопротивление нефтяных углеродов, в результате химических изменений вытесняются неуглеродные составляющие кристаллитов, образуются свободные радикалы, обусловливающие склонность углерода к химическим реакциям. Происходит ориентирование кристаллитов относительно друг друга с одновременной укладкой двумерных кристаллитов в трехмерный кристалл, т. е. осуществляется графитация. [c.214]


    Интересным примером того, как, владея методикой создания высоких давлений, можно получить неизвестные до сих пор вещества, а потом, зная условия их образования, обнаружить их в природе, является синтез лонсдейлита (неправильное название его — гексагональный алмаз). Он был получен без катализатора при давлении порядка 13 ГПа и температуре немного выше 1000°С. Исходным веществом для его получения должен быть очень хорошо кристаллографически ориентированный графит, в котором плоскости слоев в макроскопическом кристалле имеют одно преимущественное направление, подобно листам бумаги в книге. Его следует помещать в камеру сжатия так, чтобы ось, перпендикулярная плоским слоям графита, была направлена точно по линии поступательного движения поршней пресса, посредством которого сжимается кусок графита. [c.142]

    Зависимость термо-э.д.с. от кристаллографического направления в различных графитовых образцах исследована в [31]. Среди образцов были графиты прессованный иоликристалличе-ский, частично ориентированный в процессе получения, чешуйчатый природный, ориентированный путем сжатия, и природный, имеющий хорошую ориентацию слоев параллельно оси о. С целью изменения концентрации носителей электронов или дырок были приготовлены кристаллические графитовые соединения, содержащие калий и бром. Результаты этих экспериментов, как и данные по определению удельного сопротивления, были сопоставлены с измерениями термо-э.д.с. Полученные данные подтверждают предположение о том, что в идеальном графите проводимость в направлении оси а осуществляется преимущественно электронами, тогда как в направлении оси с превалирует дырочная проводимость. Этот вывод основан главным образом на том, что наблюдалась корреляция между удельным сопротивлением и термо-э.д.с. Корреляция заключается в том, что для почти идеального графита для величин сопротивления, соответствующих ориентации кристалла вдоль оси о, термо-э. д. с. отрицательна, тогда как для направления, соответствующего оси с, она положительна. Кроме того, использование удельного сопротивления как меры степени совершенства кристаллов показывает, что дефекты кристаллов служат ловушками электронов, вследствие чего термо-э.д.с. становится более положительной. Это подтверждается увеличением концентрации электронов при [c.333]

    Установлено, что в ряде случаев маточный графит в процессе приготовления бисульфата графита после образования соединения становится рассыпающимся это объясняется, по-видимому, тем, что вследствие расширения, обусловленного процессами электрохимического окисления, и включения отрицательных ионов внутри твердого тела возникают силы, превосходящие его предел прочности. Это явление можно легко понять на примере ноликристаллического графита, в котором заметное расширение в направлении оси с происходит настолько неравномерно, что -приводит к образованию, внутренних напряжений. В случае монокристаллов или хорошо ориентированного графита можно предположить заметное уменьшение тенденции к разрушению кристалла при обратимой реакции образования бисульфата. [c.140]

    Атомная решетка. В узлах кристаллических решеток этого типа расположены нейтральные атомы, определенным образом ориентированные в пространстве и связанные ковалентными связями. К числу веществ с атомной решеткой относятся, например, крем ний, графит, алмаз, бор и др. Ковалент ная с язь, как известно, очень прочная поэтому все связи в кристалле равноценны и очень прочны. Вещества образованные атомными решетками, имеют большую твердость, высо кую температуру плавления, малую растворимость и малую летучесть [c.34]

    Графит - твердое слоистое вещество со сложной структурой (рис. 2). В кристаллической решетке графита атомы углерода располагаются в виде параллельных плоских слоев, которые относительно далеко отстоят друг от друга, при этом атомы углерода в каждой плоскости имеют прочные межатомные связи. Поэтому связь между слоями значительно слабее, чем внутри слоя, и под воздействием внешних сил происходит скольжение — смещение одних слоев относительно других. Кроме того, кислород и водяные пары, проникая внутрь кристаллов, ослабляют связи между плоскостями скольжения граф)1та [15]. Графиту присуща способность адсорбироваться на трущейся поверхности контркольца с образованием прочной пленки, ориентированной в направлении скольжения. Графит инертен к большому количеству агрессивных жидкостей и газов, не растворяется в растворителях органического и неорганического происхождения, не воздействует со многими кислотами (исключая хромовую, азотную и концентрированную серную), стоек В растворах щелочей и солей. [c.7]


Смотреть страницы где упоминается термин Графит ориентированность кристаллов: [c.221]    [c.68]    [c.514]   
Химическая электротермия (1952) -- [ c.20 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Графит

Графит графита

Графой

Графы

Кристаллиты, ориентирование

Ориентирование



© 2025 chem21.info Реклама на сайте