Шефталь

Процессы роста и выращивания монокристаллов. Под ред. И. Н Шефталя, ИЛ, 1963, с. 488-521. [c.84]

В СССР поисковые работы по синтезу кварца впервые были поставлены в 1939 г. по инициативе академика А. В. Шубникова. Первоначальные опыты по выяснению условий растворимости кварца в жидких средах проводились И. Н. Шефталем. Однако они были прерваны войной и возобновлены в 1945 г., когда начались планомерные экспериментальные исследования по выращиванию кварца. Этот начальный цикл работ, проведенных в Институте кристаллографии (ИК) АН СССР, закончился в 1951 г. И. Н. Шефталем было проведено 968 опытов выращивания, в результате которых удалось получить значительное число небольших кристаллов кварца. Однако на начальной стадии исследований успехи были невелики, так как эксперименты проводились по схеме опытов Р. Наккена с изотермическим переносом диоксидов кремния с аморфного кремнезема на кварцевую затравку в растворе бикарбоната натрия при температуре 400—500 °С и заполнении свободного пространства автоклава на 60 /о- Продолжительность опытов составляла от 6 до 24 ч. [c.5]

На заключительной стадии исследований в начале 50-х годов И. Шефталем для выращивания кварца был применен метод температурного перепада. Эта серия экспериментов выполнялась в широком диапазоне температур (325—380 °С) и давлений (11— 150 МПа) с использованием растворов бикарбоната и карбоната натрия. В результате на затравках, ориентированных по плоскости—(1011), удалось вырастить отдельные кристаллы массой до [c.5]

Результаты исследований, выполненных И. И. Шефталем, явились основой для последующего развития лабораторных экспериментальных работ по синтезу кварца в ИК АН СССР. Практическое значение опытов, проведенных Н. Н. Шефталем, заключалось в подборе компонентов растворителей (водные растворы карбо- [c.5]

Возможность взаимодействия тяжелой фазы с растущими кристаллами кварца рассматривались Л. В. Брятовым [5]. Он указывал, что влияние тяжелой фазы на процесс роста кварца сводится к осаждению ее на растущем кристалле, что затрудняет доступ питательного материала. Консервация коллоидно-дисперсных частиц, выделяющихся при расслоении растворов, конечно, может иметь место. Она неоднократно нами наблюдалась в тех случаях, когда опыты проводились при относительно низких (<0,70) степенях заполнения. Кристаллы с зональными (опалесцирующими) прослоями кварцевого геля описывались Н. Н. Шефталем еще в 1955 г. Если процесс расслоения протекает интенсивно в начальную стадию кристаллизации, то на затравках появляются потеки , образованные выделениями тяжелой фазы , которые в дальнейшем зарастают, причем в наросшем слое возникают дефекты, обусловленные блокировкой. Наряду с этим материал пирамиды <с> может формироваться со скоростью свыше 1 мм/сут в условиях, когда один из основных компонентов неструктурной примеси (натрий) включается в кварц в весьма больших (свыше 5- 10 % количествах, но явлений, сопровождающих блокировку растущих поверхностей, при этом не наблюдается. [c.125]

В СССР поисковые работы по синтезу кварца впервые были поставлены в 1939 г. по инициативе академика А. В. Шубникова. Первоначальные опыты по выяснению условий растворимости кварца в жидких средах проводились И. Н. Шефталем. Однако они были прерваны войной и возобновлены в 1945 г., когда начались планомерные экспериментальные исследования по выращиванию кварца. Этот начальный цикл работ, проведенных в Институте кристаллографии (ИК) АН СССР, закончился в 1951 г. [c.5]

Н. Н. Шефталем было проведено 968 опытов выращивания, в результате которых удалось получить значительное число небольших кристаллов кварца. Однако на начальной стадии исследований успехи были невелики, так как эксперименты проводились по схеме опытов Р. Наккена с изотермическим переносом диоксидов кремния с аморфного кремнезема на кварцевую затравку в растворе бикарбоната натрия при температуре 400—500 °С и заполнении свободного пространства автоклава на 60%- Продолжительность опытов составляла от 6 до 24 ч. [c.5]

Как показали работы Н. И. Шефталя, синтез кристаллов кварца удовлетворительно осуществляется в обычно применяемых водных растворах лишь при заполнениях автоклава свыше 50 7о. При этих условиях изохорический процесс неизбежно протекает при высоком давлении. Давление само по себе на качество выращиваемых кристаллов не влияет и является, таким образом, пассивным фактором. [c.32]

Процессы роста ]j выращивание монокристаллов, Сб. переводных статей под ред Н. И, Шефталя, ИЛ, 1963. [c.180]

Получение монокристаллов кремния осуществляется по-разному. Шефталь, Кокориш и Красилов [432] полагают, что лучше всего процесс кристаллизации проводить из газовой фазы. Этот способ является наилучшим для получения малых кристалликов и тонких (от долей микрона до 200 мк) монокристал- [c.411]

Шефталь Н. Н. Статический метод выращивания монокристаллов из растворов (научные и практические итоги). Труды Института кристаллографии АН СССР. вып. 4, 1948, стр. 231—233. [c.287]

Процесс восстановления тетрахлоридов Ge и Si для получения автоэпитаксии на соответствующих. монокристаллах использовали Шефталь с сотрудника.ми [ПО]. Причем ориентированное нарастание Ge происходило при температурах 700—850° С. Кремний образует эпитаксиальные слои при 150° С лищь в тех случаях, когда скорость роста не превыщает 1 mkJmuh. Толщина монокристаллических слоев Ge и Si может изменяться от долей микрона до 200 мк. В работе [107] показано, что толщина и степень соверщенства структуры кремниевых пленок в значительной степени определяются темцературой в реакционной трубке. Исследование процесса кристаллизации Si в трубке с градиентом 400 [c.400]

Взаимная эпитаксия кристаллов Ge и Si из газовой фазы при восстановлении их солей водородом изучали Кокориш и Шефталь [108, 109]. В качестве затравок использовались. монокристаллы, вырезанные по плоскостям (100), (ПО) и (111). При температурах ниже 800° С германий не осаждается на кремнии, а при 800° С образуется поликристаллический слой. Ориентированные кристаллы Ge на плоскости (111) Si образуются при 840° С. Однако получить непрерывный монокристаллический слой Ge, полностью покрывающий поверхность кремниевого монокристалла, не удается. Кроме того, сцепление эпитаксиального слоя осадка с подложкой очень плохое. [c.404]

При 10 см с и частоте со, равной 10 и 100 с рассчитанные по этой формуле 6 приближенно равны 2 10 и 6 10 " см, т.е. соответствуют условиям очень хорошего перемешивания расплава. Шефталь считает, что такой способ перемешивания способствует получению наиболее совершенных монокристаллов, так как создает движение среды, наиболее близкое к хаотическому [7, с. 47]. [c.41]

Шефталь H. H. Генезис поверхностны.ч месторождений в связи с данными искусственного выращивания кварца (Сб. Вопросы гео.химии и минералогии ). Изд-во АН СССР, М., 1956. [c.263]

Шефталь H. H., К вопросу о реальном кристаллообразовании, в сб. [c.268]

Алявдин И. В., Шефталь Н. Н., Фролова 3. И., Выращивание однородных кристаллов сегнетовой соли из сильно пересыщенных растворов, Кристаллография, 2, вып. 1, 193 (1957). [c.270]

Шефталь Н. H., Связь внешней формы кристаллов сахарозы с однородностью и пересыщением, ДАН СССР, новая серия, 31, № 1, 33 (1941). [c.274]

Водородное восстановление. хлоридов кремния является в настоящее время промышленным методом изготовления эпитаксиальных пленок, который впервые был предложен советскими учеными (И. Н. Шефталь, А. В. Красилов и др.). [c.430]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология