Получение эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов

Эпитаксиальная технология позволяет наращивать монокристаллические слои кремния, практически любой толщины на монокристаллические подлонски того же либо другого полупроводникового, изолирующего или металлического материала. Как отмечалось в гл. V, условия, которые необходимо обеспечить для получения монокристаллических пленок с высоко совершенной структурой и с контролируемыми свойствами, пока не могут быть сформулированы в общем виде с учетом кристаллографических, кристаллохимических, химических и физических факторов. Поэтому разработка технологии каждого процесса и его применение по созданию новой системы подложка — эпитаксиальная пленка полупроводникового материала требуют кропотливых исследований. [c.428]

Наряду с получением эпитаксиальных слоев AInBv с использованием МОС имеются широкие возможности для выращивания эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов Аи BVI. Процесс получения эпитаксиальных слоев AnBVI с применением МОС, так же как и в случае получения арсенида галлия, прост, требует одной зоны нагрева для образования и роста полупроводникового материала непосредственно на нагретой подложке и в сочетании с отсутствием в реакционной системе агрессивных газов, таких, как хлор и хлористый водород, делает его подобным процессу получения эпитаксиальпых слоев элементарных полупроводников. [c.414]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология