Двойникование кристаллах графита

Совершенно естественно, что выдерживание кристаллов графита в Нг при температурах 900 и 1000° не изменяет топографии поверхности. Но когда графит выдерживали в Нг при 1000° в течение 2 час перед окислением кислородом при 850°, наблюдали два явления. Во-первых, тенденция кислорода образовывать гексагональные ямки уменьшается во-вторых, значительное число ямок ориентировалось перпендикулярно полосам двойникования, как видно на рис. 96. [c.175]

Необходимо сразу же подчеркнуть важность сдвоенных структур, поскольку о них часто упоминается в специальных работах. Вопрос двойникования в графите интенсивно изучался [38—43] и теперь достаточно ясен. Считают [42], что двойнико-вание может иметь место в исходном кристалле графита под углом 2048 к направлению (1010) и лежать в плоскости 1121). С химической точки зрения это означает, что двойникование происходит под углом 20°48 относительно оси базисной плоскости кристалла и вдоль связей — С—С—, как показано на рис. 76, а. На рис. 76, б черными линиями выделены направления, по которым происходит пересечение плоскостей двойникования 1121 с базисной плоскостью ООО/ , и ясно видно, что гексагональные ямки, параллельные полосам двойникования (которые в свою очередь параллельны друг другу или пересекаются под углом 60°), имеют на гранях атомы углерода в конфигурации кресла. В перпендикулярных ямках атомы углерода на гранях располагаются в конфигурацию зигзаг , или [c.129]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология