Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Ось двойникования

    Как видно из кривых рис. 2.45, а—в, АЭ резко возрастает при переходе к пластической деформации (о не пропорционально е) в большом объеме образца. Эта деформация связана с массовым образованием и перемещением дефектов кристаллической решетки. Происходит образование, движение дислокаций и их групп, двойникование. Все эти процессы связаны.с появлением сигналов АЭ. Пластическая деформация объема Ы0 з мм вызывает импульсы АЭ с энергией порядка 10 Дж и шириной спектра порядка [c.174]


    Характерно, что деформация двойникованием весьма распространена у кристаллитов с гексагональной решеткой, поскольку у них ограничено число плоскостей скольжения. Двойники могут возникать на малой площади чешуйки при сосредоточении больших локальных напряжений или вследствие приложения сдвиговых напряжений, приводящих к внедрению дополнительной гексагональной плоскости между слоями. [c.241]

    При исследованиях в отраженном свете можно полнее и с большей объективностью, чем в проходящем свете, изучить кристаллическую структуру материалов. Это обусловлено тем, что в полированных шлифах просматриваются разрезы кристаллов, располагающиеся лишь в одной плоскости, тогда как в проходящем свете изучается слой материала толщиной до 300 мкм, в котором кристаллы часто накладываются друг на друга, в связи с чем возникают ошибки в определении границ зерен. В отраженном свете весьма отчетливо просматриваются плоскости двойникования, становятся контрастными края кристаллов и дефекты их поверхности и выявляется макроструктура зерен по фигурам травления. При применении косого освещения и проведения исследования в темном поле можно получить и некоторые дополнительные данные о строении отдельных кристаллов и зерен. В отраженном свете более точны и количественные определения содержания отдельных фаз. [c.118]

    Кристаллы псевдогексагонального габитуса, обусловленного двойникованием и = 1,563, Пт= 1,562, Пр= 1,557 положительный или отрицательный 2 У=40° (68°, 90° спайность совершенная по (001) и хорошая по (010) и ОЮ)- При дегидратации часть воды сохраняется до температуры 600°С и выше. Плотность 2,5 г/см . Твердость 2,5—3. Природный минерал глин. [c.187]

    Бесцветные кристаллы часто призматического габитуса. В связи с двойникованием облик кристаллов может изменяться и,j = 1,6815 (ТС), 1,6772 (С), Мр=1,5279 (С) (—) 2V=184 спайность хорошая по (ПО). ДТА (—) 447°С (превращение арагонита в кальцит) (—) 860—1100°С (диссоциация на СаО и СО2). Плотность 2,947 г/см . Твердость 3,5—4. Синтетически может быть получен из растворов при обменных реакциях солей кальция с щелочными карбонатами. Порошок арагонита при кипячении в растворе нитрата кобальта приобретает лиловый оттенок, так как покрывается пленкой основного карбоната кобальта. Эта реакция протекает значи- [c.192]

    Кристаллизуется в виде планок, удлиненных по оси , волокон и пластинок с совершенной спайностью по (010) двойникование по (010) отрицательный удлинение положительное показатели светопреломления заметно варьируют %= 1,541, Пр= 1,530 также fig= 1,515 Пт= 1,514, Ир= 1,512 или ng от 1,536 до 1,553. ДТА (—) 700—730°С (дегидратация). Конечный продукт дегидратации — неориентированный волластонит и кристобалит. По некоторым данным окенит теряет воду уже при 200°С. Плотность 2,33 г/см . Твердость 5. Растворяется в НС1 с выделением студенистого кремнезема. В природе встречается в виде спутанно-волокнистых белых масс или мелких плоских кристаллов. [c.301]


    Кристаллизуется в виде призматических удлиненных кристаллов, часто имеющих простое двойникование в поперечном направлении Иср= 1,630. Потеря массы (по статическому методу) в основном в пределах температур 650—700°С. При разложении образуется Y- 2S. Плотность 2,84 г/см . Растворяется в НС1. Образуется при гидротермальной обработке различных исходных материалов с соответствующей величиной отношения a/Si при температурах 400— 800°С и давлении>29,4 МПа. Может быть получен из 3S при температуре 807°С и давлении 17,15 МПа при выдержке в течение [c.303]

    Кристаллизуется в виде пластинок и призм, часто наблюдается двойникование ttg= 1,661, = 1,661, Ир= 1,650. ИКС (рис. 70). Отличается большой термической стабильностью. ДТА (—) 690°С (дегидратация) (—) 980°С. Конечным продуктом дегидратации является неориентированный = 2S. [c.307]

    Плоским дефектом кристаллической решетки является двойникование — поворот узлов одной части кристалла в положение, симметричное другой его части. Возникновение таких дефектов связано с изменением энергии на значение порядка 10 Дж. [c.172]

    Остановимся кратко на атомно-молекулярном механизме отдельных видов деформаций в материалах с кристаллической структурой. Упругие деформации формы и объемы — это результат искажения кристаллической решетки. Пластические деформации есть следствие остаточных изменений в относительном расположении зерен кристаллической решетки. При этом можно выделить несколько наиболее характерных явлений, определяющих процесс пластического деформирования скольжение (сдвиг) двойникование дислокация разрушение структуры, представляющее смещение кристаллических зерен, которое сопровождается нарушением сцепления. С возрастанием нагрузки происходит постепенное ослабление и разрыв структуры. [c.188]

    Очень часто на промежуточной стадии выявления отдельных атомов возникают недоразумения, уводящие экспериментатора с правильного пути. Иногда недоразумение возникает из-за неоднозначности выбора пространственной группы в рамках данной дифракционной группы. Еще больше неприятностей экспериментатору доставляет двойникование в исследуемом образце, распознать которое удается далеко не сразу. Очень распространена ситуация, когда структура не хочет уточняться / -фак-тор остается высоким, хотя, казалось бы, все атомы размещены вполне надежно. Причина этого, как правило, заключается в той или иной незаметной ошибке, сделанной на предшествующей стадии расшифровки неправильно распознаны атомы разных элементов (переставлены местами), не учтены молекулы кристаллизационной воды, не учтена возможная неупорядоченность в размещении атомов или ориентационная неупорядоченность отдельных групп (например, ионов СЮ4-) и т. д. Вследствие всех этих причин исследование отдельных структур может потребовать не нескольких дней или недель, а одного-двух месяцев. [c.168]

Рис. 77. Схема двойникования в о. ц. к. решетке Рис. 77. Схема двойникования в о. ц. к. решетке
    Структурные особенности НК проявляются также при деформации двойникованием, ползучести, испытании на усталость, фазовых превращениях и др. [c.488]

    В качестве модельного образца твердого тела нами был выбран монокристалл кальцита, который отличается тем, что в нормальных условиях в нем затруднено трансляционное скольжение и пластическая деформация при небольших нагрузках практически осуществляется путем двойникования. [c.126]

    Пластическая деформация осуществлялась путем двойникования. Двойники имели клинообразную форму. Определенная с помощью электронного микроскопа величина угла при вершине клина составляла 2—3 град. При воздействии на поверхность кристалла вблизи пластического накола раствором уксусной кислоты наблюдали с течением времени зарождение новых клиновидных двойников и более или менее равномерный их рост (рис. 37). [c.126]

    Далее кратко рассмотрим основные механизмы образования микротрещин, которые можно подразделить на дислокационные, диффузионные и в результате межзерен-ного сдвига. Дислокационные механизмы могут быть разделены на три группы. К первой группе относятся модели (Зинера, Стро, Коттерелла, Гилмана и др.), связывающие инициированные микротрещины со скоплением дислокаций в плоскостях скольжения. Эти скопления возникают в результате остановки движущихся дислокаций в различных барьерах, которыми являются границы зерен с большими углами разориентировки, включения, поля напряжений. Вторая группа моделей предполагает образование микротрещин в результате скопления дислокаций в окрестностях пересечения систем элементарных актов пластической деформации путем скольжения и двойникования (модель Коттерелла). В соответствии с концепциями моделей третьей группы микротрещины инициируются в результате взаимодействия дефектов кристаллической решетки при пластическом деформировании. Эта группа -барьерные механизмы, описывающие процесс развития трещин в результате объединения цепочек вакансий в движущихся дислокациях со ступенькой пересечение малоугловых границ аннигиляции дислокаций в близко расположенных плоскостях скольжения возникновения поля растягивающих напряжений от двух дислокационных скоплений противоположного знака. [c.86]


    На рис. 39 показан один из двойников при увеличении в 25 000 раз и схематически — профиль этого двойника. Видна ступенька на границе двойника (имеет вид темной полосы), образовавшаяся вследствие выхода дислокаций. На другой границе двойника имеется канавка травления дислокаций, которые не успели разрядиться, так как были заторможены двойником. Видны также следы полных дислокаций. По-видимому, при двойниковании создается достаточно высокий уровень касательных напряжений для возникновения таких дислокаций, а пониженный поверхностный потенциальный барьер еще более снижает этот необходимый уровень напряжений. [c.126]

    В результате испытаний удалось установить интенсивное развитие хемомеханического э екта при всестороннем обжатии образца мрамора, насыщенного раствором кислоты без ингибитора, и показать возможность ингибирования этого эффекта если в присутствии ингибитора (как и в случае сухого образца) отдельные зерна деформировались лишь по отдельным плоскостям, наиболее благоприятным для механического двойникования (рис. 55, а), то без ингибитора (рис. 55, б) двойникование прошло и по плоскостям, в которых деформация была ранее затруднена (поздние двойники). Поздние, двойники, пересекаясь в пределах одного зерна ранее возникшими двойниковыми прослойками, перестают увеличиваться в длину и вследствие совместного действия механохимического и хемомеханического эффектов начинают расти в ширину, разбивая зерно на более мелкие субзерна. Увеличение обжимающей нагрузки усиливало проявление наблюдаемых эффектов. [c.157]

    Дислокаций. По-видимому, при двойниковании создается достаточно высокий уровень касательных напряжений для возникновения таких дислокаций, а хемомеханический эффект еще более снижает этот необходимый уровень напряжений. [c.129]

    Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

    Последующее молекулярное описание одноосного деформирования неориентированного частично кристаллического полиэтилена характеризует пластическую деформацию волокон, образующих термопласты со сферолитной структурой. Оно может служить иллюстрацией большого разнообразия механизмов деформирования. При деформациях менее 1 % выявляют анизотропные упругие свойства кристаллов (орторомбического) полиэтилена [57] и аморфного материала [53]. При тех же самых условиях имеют место неупругие деформации СНг-групп и сегментов цепей, которые обусловливают низкотемпературные Р-, у- и б-релаксационные механизмы [10, 56]. При больших деформациях (1—5%) происходит дополнительное изменение сегментов цепи, их относительного положения и конформационные изменения (поворот связей). Подробное исследование поведения цепей в аморфных областях было выполнено Петракконе и др. [53]. В кристаллических областях под действием деформаций такого же порядка возникают дислокации и дислокационные сетки (наблюдаемые в ламеллярных кристаллах в виде муаровых узоров). В зависимости от условий внешнего нагружения и типа дислокаций их движение вызывает пластическую деформацию кристалла путем двойникования, смещения плоскостей или фазового перехода орторомбической ячейки в моноклинную. Обширный обзор деформирования полимерных монокристаллов был дан Зауэром и др. [57] и в книге Вундерлиха [3]. Детальный расчет вклада различных структурных элементов и дефектов в деформирование частично-кристаллических полимеров можно найти во многих статьях, из которых здесь приводятся только некоторые [47—62]. Хотя упомянутые выше эффекты обусловливают нелинейность зависимости напряжение—деформация, первоначально существовавшая надмолекулярная организация все еще сохраняется. Подобная деформация называется однородной. [c.41]

    Часто зарождение трещин наблюдается в месте встречи двойника деформации с каким-либо прочным барьером, например, фа-ницей зерна или другим двойником (рисунок 2.1.5, а). Как известно, двойники распространяются с высокой скоростью и возникающие при столкновении с препятствием напряжения не успевают релаксировать. Особенно благоприятные условия для зарождения трешин создаются при встрече растущего двойника деформации с ранее образовавшимся, для которого было хара1сгерно другое направление двойникования (рисунок 2.1.5, б). В этом случае концентрация напряжений в месте встречи особенно велика. [c.41]

    JПloвepxнo ть кристаллов из слитков представляет собой переплетение плоских слоистых образований (рис. , а). По всей видимости, последующ ие слои нарастают независимо на предыдущие. После снятия верхних слоев при помощи лшжой ленты (с.м. рис. , б) кристаллы имели гладкую зеркальную поверхность с прямыми линиями двойникования. Внутренняя, более совершенная часть кристалла, образуется в начальный период кристаллизации при высокотемпературной изотермической в ы-держке, когда необходимое пересыщение раствора Ре — С достигается частичным выпариванием растворителя, а также о начальный период охлаж,дения. Верхние [c.90]

    В результате движения дислокаций при деформации кристаллитов графита возможно их двойниковавие, наиболее вероятное в крупночешуйчатых графитах [5-11]. Это процесс скачкообразного деления кристаллита плоскостью двойникования на две части, кристаллическая решетка каждой из которых становится зеркальным отражением другой ее части, лежащей по другую сторону от плоскости двойникования (рис. 5-6). [c.239]

    Кристаллизуется в виде бесцветных правильных зерен или пластинок, полисийтгетическое двойникование одна спайность совершвн- [c.234]

    Бесцветные таблитчатые кристаллы, полисинтетическое двойникование спайность совершенная по (010) %= 1,724, м, = 1,712, Лр=1,706 ( + ) 2 1/ = 66—73°, ИКС полосы поглощения при (см- ) 930—1040 (валентные колебания связи 51—О) 430—440 (деформационные колебания связи 5 —О—51) 585—590 (колебания связи Mg—О) мервинит, гидратированный в автоклаве, дополнительно имеет полосы поглощения при 1420—1450 и 880 (колебания г зупа СОз ) 3400—3600 (валентные колебания групп ОН-). Гдл == 1598°С, [c.249]

    КаО-гЗСаО-128102 (М = 2105,04 состав, % К2О 4,48 Са061,27 ЗЮг 34,25 К 3,72 Са 43,79 51 16,01 О 36,48). По одним данным представляет собой а -форму СгЗ, стабилизированную К2О, по другим — индивидуальное соединение. Предположительно, гексагональная сингония. Неправильные, иногда округл )1е зерна, характерно сложное двойникование одноосный, положительный .<.= 1,703, 0= 1,695 при содержании небольшого количества железа в твердом растворе показатели светопреломления могут повыситься до п< = 1,722, По= 1,713. Способен к гидратации. хМожет встречаться как самостоятельная фаза в портландцементном клинкере. [c.269]

    Почти изометричные кристаллы или таблички, часто двойникование, спайность хорошая по (0,10) и (001) бесцветный положительный ng=l,4973, rtm=l,4957, =1,4935 2 1 = 67°. Около 650°С превращается в одноосную отрицательную форму. 7 пл = Ю69°С плотность 2,66 г/см . Растворимость в воде при 20°С—0,11, при 100°С—0,24 кг на 1 кг растворителя. Обнаружен в заводских порт-лаидцементных клинкерах. [c.269]

    Важный параметр АЭ при пластической деформации — алплы-тудное распределение. Металлы с решеткой типа гранецентриро-ванный куб (алюминий, 7-железо) имеют небольшую среднюю энергию импульса (меньше 10 ° Дж), сигналы большой амплитуды в них наблюдают редко. Для них характерна деформация скольжением. Металлы с решеткой типа объемно центрированный куб (в том числе а-железо) имеют несколько большее среднее значение энергии импульсов. Деформация металлов с гексагональной плотно упакованной решеткой (например, цинка, титана) вызывает импульсы АЭ с амплитудой в тысячи раз большей (порядка 10 Дж), так как они деформируются двойникованием. [c.175]

    Скольжение является наиболее распространенным механизмом пластической деформации кристаллических материалов, однако важную роль играют также образование сбросов и двойнико-вание. При деформационном двойниковании часть кристалла становится зеркальным отражением в атомном масштабе относительно некоторой плоскости в результате однородного двойникующего сдвига в направлении, параллельном этой плоскости. Двойнико-вание принципиально отличается от скольжения тем, что при нем происходит однородное смещение каждого атомного слоя на расстояние, меньшее вектора трансляции. Двойники часто образуются в о. ц. к. кристаллах у них плоскость зеркального отражения (112), а направление сдвигов [11 Г] (рис. 77). Двойники растут в виде плоских дисков, имеющих большое отношение диаметра к толщине. Подобные тонкие диски наблюдаются во многих о. ц. к. материалах их называют также полосами Неймана. Очень часто встречаются двойники и в гексагональных плотноупакованных материалах — цинке, кадмии и магнии. В материалах с г. ц. к. решеткой механические двойники — более редкое явление по [c.181]

    Котрелл и Билби [И ] предложили модель последовательного образования двойникового сдвига на плоскостях, параллельных плоскости зеркального отражения (112) в о. ц. к. решетке. Модель хорошо описывает геометрию перемеш,ений, но с ее помош,ью нельзя, например, объяснить, почему напряжение, при котором начинается двойникование, зависит от температуры слабее, чем критическое касательное напряжение. [c.182]

    Эти монокристаллы, имеющие структуру pi-фазы, обнаруживают высокую квазиупругость (до 10—15% ) и при растяжении, и при изгибе. Она обусловлена превращением в процессе деформации в широком диапазоне температур и напряжений. При определенной ориентации высокую упругость проявляют и монокристаллы у-фазы, в которых деформация осуществляется путем двойникования. [c.508]

    Силы взаимодействия между базисными плоскостями малы и являются ван-дер-ваальсовыми. Энергия связи между плоскостями составляет от 4,2 до 18,2 кДж/моль- а расстояние 0,3354 нм. Вследствие малости сил связи между базисными плоскостями последние могут являться главными плоскостями сдвига, и по ним возможны расслоения и расколы кристаллитов. При этом образуются двойники типа срастания с осью, параллельной гексагональной оси с [7]. Двойникование монокристаллов, по мнению авторов указанной работы, в ряде случаев неправильно отождествляются со структурой третьей кристаллической формы углерода — карбина. [c.13]

    На электронограммах, полученных на просвет от измельченных проб стеклоуглерода (размер частиц <40 мкм) термообработанных при 2000 °С образцов, обнаруживается лишь двумерная упорядоченность — отражения только типа (00/) и Ьк). Обработка измельченных образцов при 2600 °С приводит к появлению наряду с преобладающим двумерным (турбостратным) углеродом поликристаллического графита. Для последнего наблюдаются отражения, характерные для монокристаллического графита, не обнаруживаемые из рентгеновской дифракции. Их анализ показывает, что полученная картина соответствует двойной дифракции от базисных двойников графита с углом двойникования 28°. Подобные монокристаллические образование возникают в результате полигонизации и сдвигов углеродных слоев в распределенных по объему стеклоуглерода напряженных высокоориентированных областях при их механическом разрушении, поскольку разрушение глобул размером 30 нм при достаточно грубом диспергировании образцов исключено. [c.213]


Библиография для Ось двойникования: [c.536]   
Смотреть страницы где упоминается термин Ось двойникования: [c.404]    [c.197]    [c.250]    [c.256]    [c.258]    [c.265]    [c.272]    [c.283]    [c.313]    [c.127]    [c.182]    [c.128]   
Обратимая пластичность кристаллов (1991) -- [ c.13 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Акустическая эмиссия, сопровождающая упругое двойникование

Вязкость двойникования

Гистерезис при упругом двойниковании

Двойникование атомарная теория Гарбера

Двойникование атомарная теория Лифшица

Двойникование кристаллах графита

Двойникование кристаллов

Двойникование плоскости двойников-ания

Двойникование с изменением формы

Двойникование стадийность

Двойникование упругое

Двойникование, атомарная теория Лифшица-Обреимова

Двойникование, атомарная теория Лифшица-Обреимова макроскопическая теория Владимирского

Двойникование, атомарная теория Лифшица-Обреимова направление

Дислокационная модель двойникования кристалла

Закон Ауэрбаха Законы двойникования

Закон критических скалывающих напряжений при двойниковании

Зарождение двойникующих дислокаций при упругом двойниковании

Количественное описание процесса пластической деформации двойникованием

Критерий механического двойникования

Критерий механического двойникования при локальном нагружении

Линия двойникования

Направление двойникования

Напряжения, концентрация двойникования к другой

О возможности количественного описания основных стадий механического двойникования в дислокационных терминах

Пайерлсовский механизм пластической деформации двойникованием

Петля при упругом двойниковании

Плоскость двойникования

Работа двойникования

Размножение Дефектов при многократном упругом двойниковании

Сверхупругость при двойниковании

Стадийность процесса двойниковании

Статика и динамика упругого двойниковании

Теоретическое исследование динамики основных стадий двойникования

Упрочнение при упругом двойниковании

Экспериментальное исследование динамики упругого двойникования

Элементы двойникования

Энергия упругая, запасенная в объеме при двойниковании



© 2024 chem21.info Реклама на сайте