Размножение кристаллов в промышленных аппаратах

VII. 119. Размножение при столкновении в промышленных аппаратах для массовой кристаллизации. Результаты экспериментов по размножению кристаллов при столкновении были приведены в разделе ИХ. 28. Примечательной особенностью этих результатов является высокая скорость образования новых зародышей. Цифры, приведенные для MgSOi 7Н2О показывают, что при ДГ = 3° С на каждом кристалле, находящемся в перемешиваемом растворе, образуется около 10 новых зародышей в секунду. Есть основания полагать, что данное вещество не является исключительным в смысле размножения. [c.268]

Даже с учетом этого факта пересыш ения, создаюш иеся в промышленных кристаллизаторах, часто оказываются как раз в том интервале, где нужно ожидать больших скоростей размножения кристаллов нри столкновениях. Кроме того, лишь небольшая часть кристаллического слоя находится при наиболее высоких пересыщениях. Возьмем, например, кристаллизатор типа Осло , в котором пересыщенный раствор подается снизу в кристаллический слой. Тогда скорость уменьшения пересыщения будет тем больше, чем выше само пересыщение, так что в основном пересыщение снимается в самой нижней части кристаллического слоя. Поэтому только в небольшой части слоя будет большая скорость размножения кристаллов. Следовательно, скорость образования зародышей не будет такой уж исключительно большой по отношению к общему количеству кристаллов в аппарате. Эти соображения могут помочь в объяснении сравнительно небольшой скорости размножения кристаллов при столкновении, хотя трудно все же поверить, что это единственное и достаточное объяснение. [c.269]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология