Размножение кристаллов в промышленных кристаллизаторах

Размножение кристаллов при столкновениях почти всегда является лимитирующим фактором для скорости роста при эксплуатации промышленных кристаллизаторов. [c.285]

Даже с учетом этого факта пересыш ения, создаюш иеся в промышленных кристаллизаторах, часто оказываются как раз в том интервале, где нужно ожидать больших скоростей размножения кристаллов нри столкновениях. Кроме того, лишь небольшая часть кристаллического слоя находится при наиболее высоких пересыщениях. Возьмем, например, кристаллизатор типа Осло , в котором пересыщенный раствор подается снизу в кристаллический слой. Тогда скорость уменьшения пересыщения будет тем больше, чем выше само пересыщение, так что в основном пересыщение снимается в самой нижней части кристаллического слоя. Поэтому только в небольшой части слоя будет большая скорость размножения кристаллов. Следовательно, скорость образования зародышей не будет такой уж исключительно большой по отношению к общему количеству кристаллов в аппарате. Эти соображения могут помочь в объяснении сравнительно небольшой скорости размножения кристаллов при столкновении, хотя трудно все же поверить, что это единственное и достаточное объяснение. [c.269]

Когда кристаллы сталкиваются друг с другом или со стенкамп сосуда, образуются новые зародыши, часто в большом количестве и при очень низких пересыщениях. Это — размножение при столкновении, оно распространено очень широко. Например, в одном случае кристаллы MgSOi-THaO, которые были взвешены в перемешиваемом пересыщенном растворе, после 30-секундного перемешивания породили 425 новых зародышей. Из этого делается вывод, что если желательно получить продукт с крупными кристаллами на промышленной установке, то имеет смысл непрерывно удалять маточный раствор из кристаллизатора, чтобы выводить из системы [c.116]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология