Размножение кристаллов

Зародышеобразование, порождаемое растущим кристаллом, называется размножением кристаллов. [c.26]

Хороший обзор по размножению кристаллов приведен в книге Л. Н. Мату- вича Кристаллизация из растворов в химической промышленности . М., 1968. — При.ч. ред. [c.111]

VII. 121. Предельные скорости роста. В случае монокристаллов предельная скорость роста определяется одним из трех факторов 1) началом дефектного роста 2) началом поликристаллического роста 3) началом зародышеобразования в жидкой фазе. При росте кристаллов в промышленной кристаллизации третий фактор имеет, по-видимому, наибольшее значение. Скорость роста по большей части ограничена размножением кристаллов при столкновениях. Другими словами, скорость роста ограничена используемым пересыщением, а это пересыщение в свою очередь ограничено необходимостью снизить размножение кристаллов до приемлемого уровня, чтобы получать кристаллы не менее какого-то определенного размера. Уровень пересыщения достаточно низок для того, чтобы дефектный рост не играл такого большого значения, как в случае выращивания монокристаллов. [c.269]

Во всех процессах массовой кристаллизации очень существенным фактором является чрезвычайная легкость, с которой образуются зародыши путем размножения кристаллов при столкновении. То, что в некоторых типах аппаратов маточный раствор циркулирует по внешнему контуру(где он вновь становится пересыщенным), дает возможность удалять нежелательные зародыши, циркулирующие вместе с раствором. Это может быть сделано либо перегревом потока раствора в определенном участке циркуляционного контура, либо введением в циркуляционный контур отстойника. [c.285]

Размножение кристаллов при столкновениях почти всегда является лимитирующим фактором для скорости роста при эксплуатации промышленных кристаллизаторов. [c.285]

Во многих случаях причины размножения тривиальны кристалл при введении в раствор был недостаточно хорошо обмыт и на его поверхности присутствовали мелкие кристаллические частицы кристалл при перемешивании соприкасается со стенками кристаллизатора, лопастями мешалки или соседними кристаллами, вследствие чего образуются мелкие осколки кристалл при росте растрескивается, что также приводит к возникновению осколков. Внесение кристалла в пересыщенный раствор, даже при его тщательной обмывке и уравнивании температур кристалла и раствора, практически всегда вызывает появление новых центров кристаллизации, в том числе и при малых пересыщениях, — видимо, из-за попадания кристаллообразующих пылинок из воздуха. Именно поэтому затравочные кристаллы всегда вносятся в недосыщенный раствор и лишь затем задается пересыщение. Однако даже при исключении всех перечисленных причин наличие растущего кристалла в пересыщенном растворе увеличивает вероятность запаразичивания. Причины этого истинного размножения кристаллов пока не ясны. [c.26]

Если только условия не илагоприятствуют другим тшам размножения кристаллов, описанным в последующих разде.чах. — При.и. автора. [c.104]

По-видимому, этот способ размножения кристаллов является достаточно общим, хотя детально он изучался только в случае MgS04-7H20. [c.105]

Другие опубликованные работы но размножению кристаллов. Систематических работ по размножению опубликовано сравнительно мало. Пауэрс [Powers, 1956, 1963] описал эксперименты, в которых кристалл сахарозы, прикрепленный к стеклянному кри-сталлоносцу, вращался в пересыщенном растворе. Принимались предосторожности, дававшие уверенность, что первоначально система не содержала зародышей. Тем не менее в растворе непрерывно появлялись новые зародыши. Эффект имел место даже при очень низких пересыщениях, что исключает размножение иглами, которое, насколько известно, требует высоких пересыщений. Возможно, это еще один тип размножения. Например, всегда можно представить, что образуется поликристалл с таким слабым сцеплением между отдельными его частями, что они разделяются, как только возникнут . [c.110]

VII. 119. Размножение при столкновении в промышленных аппаратах для массовой кристаллизации. Результаты экспериментов по размножению кристаллов при столкновении были приведены в разделе ИХ. 28. Примечательной особенностью этих результатов является высокая скорость образования новых зародышей. Цифры, приведенные для MgSOi 7Н2О показывают, что при ДГ = 3° С на каждом кристалле, находящемся в перемешиваемом растворе, образуется около 10 новых зародышей в секунду. Есть основания полагать, что данное вещество не является исключительным в смысле размножения. [c.268]

Даже с учетом этого факта пересыш ения, создаюш иеся в промышленных кристаллизаторах, часто оказываются как раз в том интервале, где нужно ожидать больших скоростей размножения кристаллов нри столкновениях. Кроме того, лишь небольшая часть кристаллического слоя находится при наиболее высоких пересыщениях. Возьмем, например, кристаллизатор типа Осло , в котором пересыщенный раствор подается снизу в кристаллический слой. Тогда скорость уменьшения пересыщения будет тем больше, чем выше само пересыщение, так что в основном пересыщение снимается в самой нижней части кристаллического слоя. Поэтому только в небольшой части слоя будет большая скорость размножения кристаллов. Следовательно, скорость образования зародышей не будет такой уж исключительно большой по отношению к общему количеству кристаллов в аппарате. Эти соображения могут помочь в объяснении сравнительно небольшой скорости размножения кристаллов при столкновении, хотя трудно все же поверить, что это единственное и достаточное объяснение. [c.269]

VII. 122. Проектирование процессов и оборудования промышленной кристаллизации. Проектирование технологического процесса промышленной кристаллизации требует прежде всего знания основных физико-химических принципов кристаллизации. В особенности нужно отметить понимание соотношений между скоростью роста на поверхности кристалла и тепло- или массопереносом, несовершенного роста, зародышеобразования, в частности размножения кристаллов при столкновениях. При наличии физико-химической базы достаточно очень небольшого запасаснециальных химико-инженерных знаний. Все необходимое можно найти в книге Бэмфорта [Bamforth, 1965], где кроме многочисленных схем установок для кристаллизации описано также все вспомогательное оборудование (насосы, центрифуги, фильтры, клапаны и т. д.), проектирование которого в этой области промышленности может быть в определенных отношениях очень специфичным. [c.270]

Таким образом Карус Штерне в конце прошлого — начале нашего века увидел не только аналогию размножения кристаллов и живых организмов — он обратил внимание на явления борьбы за существование в царстве кристаллов . Это был очень важный шаг. Для перехода от физической химии к биологии необходимо от борьбы за существование кристаллов перейти к естественному отбору. Это становится возможным на основании созданной Н. К. Кольцовым концепции матричного воспроизведения биологических макромолекул [144], концепции конвариант-ной редубликации [288, 467, 468]. [c.12]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология