Регулирование автоматическое выращивания кристалло

АВТОМАТИЧЕСКОЕ РЕГУЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ [c.271]

Процесс выращивания кристаллов можно автоматизировать единственным способом, используя приборы с радиоизотопными датчиками, реагирующими на разницу в плотностях жидкой и твердой фаз кристаллизующегося вещества. На рис. 145 показана принципиальная схема автоматического регулирования процесса выращивания кристаллов. Пучок радиоизотопного излучения от излучателя 3, пройдя через границу раздела твердой и жидкой фаз кристаллизующегося вещества, падает на детектор излучения 4. Сигнал, возникающий на выходе детектора, усиливается прибором 5 и попадает в преобразователь 6, где непрерывно сравнивается с сигналом, поступающим от эталонного устройства. Это устройство состоит из компенсационного источника излучения 12, эталонного поглотителя 11, выполненного в виде клина, и детектора излучения 13. Нулевое положение преобразователя устанавливают в начале процесса регулирования при помоши рукоятки клина 10. Скорость кристаллизации задают скоростью перемещения источника и связанного с ним детектора излучения. [c.272]

Рис. 11 Схема установки е автоматическим регулированием температуры при выращивании кристаллов полупроводников с летучими компонентами [16,64]

Установки для выращивания кристаллов способом Степанова состоят из следующих основных узлов тепловая технологическая зона с формообразователями, располагаемая в герметичной рабочей камере система автоматического регулирования температурного режима механизмы технологических перемещений система регулирования скорости вытягивания каркас установки вакуумная и газовая системы система водоохлаждения, блок питания контрольно-измерительные приборы. [c.133]