Ориен гация

При определенной температуре подложки осадок состоит КЗ кристаллов с различными ориентациями. Как правило, число ориентпровок увеличивается с ростом температуры подложки. В общем случае не установлено, образуются кристаллы с орие.ч-гациями П и III (см. рпс. 23) на поверхности подложки или в процессе последующего роста. С утолщением осадка начинают образовываться лвоиники, причем интенсивность двойникования значительно уменьшается с увеличением температуры. Не исключено, что возникновение кристаллов с различными ориентировками обусловлено микротопографиеп поверхности. В большинстве работ изучались не исходные зародыши, а выросшие из этих зародышей кристаллы. При изучении эпитаксии важно разграничивать процессы возникновения и роста зародышей. Например, исследование слоев, состоящих из кристаллов различных ориентаций, показало, что доля кристаллов с определенной ориентировкой изменяется в зависимости от величины угла конденсаци и. Это обусловлено, естественно, не процессами зародышеобразования, а скорее всего геометрическим отбором различно ориентированных кристаллов. [c.86]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология