Зародышеобразование порядок процесса

В целом кинетика кристаллизации может быть охарактеризована следующими основными параметрами степенью пересыщения или переохлаждения, скоростью зародышеобразования и скоростью роста кристаллов. Кроме того, при описании процесса кристаллизации следует учитывать, например, период индукции, время половины превращения, максимальную скорость кристаллизации, порядок процесса и т. д. Не задаваясь целью осветить сразу все относящиеся к массовой кристаллизации термины и понятия, остановимся прежде всего на тех, которые необходимы для общего представления и понимания сути данного процесса. [c.15]

Из приведенных в таблице данных видно, что для функции N = f (Ас) порядок процесса (см. стр. 49) возникновения центров кристаллизации может значительно превышать порядок реакций, наблюдаемых в химической кинетике. В данной работе он заключен в пределах от 1 до 8. Кристаллизация проводилась при перемешивании в отсутствие и в присутствии небольшого числа крупных затравочных кристаллов. В таблице приведены результаты вычислений, относящиеся к кристаллизации в гомогенной системе. Характерно, что в большинстве случаев порядок зародышеобразования не зависит от температуры. Что же касается константы скорости, то она для большинства соединений имеет положительный температурный коэффициент. Ее значения колеблются в очень широких пределах от 10 до 4200. Важным в данном случае является факт, подтверждающий, что может быть больше 3. Его значение заключается в прямом доказательстве невозможности свести процесс кристаллизации к одному из классов обычных химических реакций. [c.50]

Механизм формирования зародышей в известной мере зависит от диапазона пересыщений, при которых идет кристаллизация. Судя по данным работы [23], зародышеобразование в большей степени зависит от температуры в отсутствие перемешивания. Порядок процесса при различных Т оказывается разным. Например, при кристаллизации азотнокислого бария при 0,8 °С = = 10, при 25 °С — 14, а при 40 °С — 25. Для азотнокислого цезия при 0,8 25 и 40 °С имеем соответственно п , равные 15 40 и 160. С ростом температуры порядок процесса образования зародышей становится все больше и больше. Подобная закономерность объясняется сужением зоны пересыщений, при которых проводилась кристаллизация. [c.52]

Периодический процесс. К основным кинетическим характеристикам процесса кристаллизации относятся время индукционного периода, скорость кристаллизации вообще и ее максимальное значение, порядок процесса, константы скорости зародышеобразования и кристаллизации, а также время кристаллизации. Здесь идет речь только о ходе самого процесса. Поэтому характеристики твердой фазы как таковой не рассматриваются. [c.98]

Порядок процесса вторичного зародышеобразования сульфата аммония, согласно экспериментальным данным [22], равен 0,98. Данные о зародышеобразовании и росте кристаллов (N 4)2804, полученные на кристаллизаторе непрерывного действия при 18 "С, приведены в табл. Х,2. В качестве примеси (с ) применялись ионы Сг " (М — плотность суспензии). На кристаллизацию поступал раствор при температуре 40 °С. Под временем / здесь понимается время охлаждения до 18 X. [c.212]

Образование зародышей. В процессе зародышеобразования коллоидных частиц размером 10—20 А, которые затем растут посредством дальнейшего осаждения кремнезема из раствора, также можно наблюдать индукционный период. Согласно теории зародышеобразования, можно ожидать, что концентрация будет оказывать на него экстремальное влияние. По Нильсену [153], кажущийся кинетический порядок процесса образования зародышей может достигать значения 10. Как показано на рис. 3.56, можно связать точки перегиба с соответствующими концентрациями. Тогда из графика зависимости логарифма времени от логарифма концентрации будет видно, что порядок реакции равен 7 или 8. В этом отношении данное явление напоминает процесс зародышеобразования в других системах. На рис. 3.56 точки Е—Н представляют собой, по всей вероятности, моменты, после прохождения которых уже никаких дополнительных зародышей не образуется. Рост зародышей за счет расходования мономера и олигомеров продолжается вплоть до моментов, отмеченных точками /—L, после которых начинается созревание по Оствальду и устанавливается состояние равновесной растворимости зародышей с мономером. [c.370]

Из приведенных зависимостей следует, что с увеличением температуры порядок процесса зародышеобразования увеличивается [c.272]

Существование критического зародыша алмаза, состоящего из столь малого количества атомов, возможно, в частности, при достаточно высокой вероятности именно гетерогенного образования (большинство экспериментальных данных свидетельствует о гетерогенном механизме зародышеобразования) его на торцевых поверхностях графитовых блоков как наиболее реакционноспособных с учетом того, что поверхностные межфазные энергии базисной и торцевой поверхностей различаются на порядок. Отсюда становится очевидной роль определенных размеров графитовых блоков, т. е. процесса предварительной графитации. Действительно, как отмечено в работе [27], разность средних потенциальных энергий в расчете на один атом в малых агрегатах в основном обусловлена ненасыщенными связями наружных атомов агрегата и различиями в расположении атомов зонного строения (или приблизительно различиями в энергиях связей). Поэтому важен размер поверхностей графитовых блоков, поскольку ненасыщенными связями там являются а-связи, близкие по энергии к а-связи в алмазе (в отличие от л-связей в графите). [c.350]

В случае восстановления окиси меди водородом также невозможно получить истинную энергию активации поверхностного процесса, если не предпринимать мер для выделения этого процесса, например посредством искусственного зародышеобразования [19] обычно получают примерно 14 ккал/моль вместо истинного значения, равного 17 ккал/моль. Кроме того, порядок реакции по газообразному реагенту также можно правильно определить только при использовании специальных способов выделения поверхностного процесса. Так, при восстановлении окиси никеля порядок реакции по водороду практически равен нулю если не проводить выделения поверхностного процесса, то получают положительный порядок реакции, в зависимости от обстоятельств больший или меньший единицы [И, 12]. [c.218]

Наконец, отметим, что выводы на основе формулы (10.8) позволяют уточнить, каким образом глубина протекания процесса поглощения потенциальных центров зародышеобразования и перекрывания зародышей оказывает влияние на ход реакции, начинающейся в объеме реагента. Искажение, связанное с этим процессом, соответствует разнице между значениями и а. Эти два значения совпадают с точностью до 1%, когда а С 0,02. Таким образом, эффектами искажения можно пренебречь до тех пор, пока степень превращения реагента не достигнет 2% это область, в которой формула (3.85) справедлива. С другой стороны, если не принимать во внимание поглощение потенциальных центров и перекрывание зародышей, то при а = 0,039 совершается ошибка до 2%, а при а = 0,092 она составляет около 5%. Эти значения относятся только к случаю, когда зародыши произвольно распределены в объеме реагента. Однако можно считать, что они дают порядок величины ошибки, совершаемой при наличии некоторой регулярности распределения. [c.282]

Исгюльзуя полученное соотношение, можно найти порядок процесса зародышеобразования (п ), который для систем типа (NHJ.jSOj — НаО, содержащих затравочные кристаллы, оказался равным 2,62 0,92, [c.211]

Холланд и Линденмейер установили две важные закономерности. Во-первых, ширина и длина слоя увеличиваются пропорционально продолжительности роста в первой степени. Таким образом, исключается возможность того, что скорость роста кристалла определяется диффузионными процессами, так как в этом случае порядок по времени должен быть ниже первого. Во-.вторых, скорость роста зависит от степени переохлаждения таким образом, как это предсказывает уравнение (16) (рис. 44). Отсюда следует вывод, что рост кристалла в этих двух направлениях определяется процессом вторичного зародышеобразования. [c.123]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология