Галлий с оконном

I благодаря высокому коэффициенту диффузии цинка в двуокиси кремния я в арсениде галлия (в сравнении с оловом при той же температуре) трудно реализовать бесконечный источник при проведении диффузии при 1000° С. Поскольку коэффициент диффузии цинка зависит от концентрации цинка, то глубина легирования в значительной степени зависит от толщины окисной пленки. Из рис. 10-16 следует, что глубина легирования зависит от толщины окиспого слоя, даже если время проведения диффузии всего 1 час. Подводя итог использованию алкоксисиланов и металлоорганических соединений для нанесения источника диффузии непосредственно на поверхность полупроводника, можно отметить следующие преимущества рассмотренного метода легирования [91]. Метод дает возможность регулировать поверхностную концентрацию, получать результаты с высокой воспроизводимостью, обеспечивает гибкость процесса селективной диффузии из твердого тела. Возможности и гибкость новой системы ярче всего проявляются при сравнении с обычными методами диффузии. На рис. 10-17 показана обычная последовательность процесса выращивание маски из двуокиси кремния, вытравливание окон с применением методов фотолитографии, проведение диффузии примесей с целью образования р — - -перехода. В отличие от рассмотренного выше использование твердого источника обеспечивает возможность выбора последовательных операций (рис. 10-18). Процесс можно провести либо обычным способом, либо изменить последовательность операций таким образом, чтобы твердый источник наносился на пластину и затем удалялся с применением метода фотолитографии с тех поверхностей, в которые нежелательно проводить диффузию, прежде чем температура пластины не будет доведена до температуры диффузии. Благодаря гибкости но- [c.422]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология