Галлий арсенид

Галлия арсенид Си. Мд. Мп (0.1). 81 (0,3), А1. Т1 (0.5). Ре, РЬ, 8п (1), 2п (10). Смесь с С (1 1), пост, т., I мин [518, стр. 224]. [c.374]

Галлий (арсенид) 0,1 1,8.1013 9 12 Экстракционное отделение На1(Т1) 2,6-10-1 10 [24] [c.140]

Галлия арсенид + Меди хлорид + — - [c.785]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ВОДОРОДА В ГЕРМАНИИ, ИНДИИ, ГАЛЛИИ, АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ И ФОСФИДЕ ИНДИЯ МЕТОДОМ ВАКУУМ-ПЛАВЛЕНИЯ [c.124]

Определение кислорода и водорода в германии, индии, галлии, арсениде галлия и фосфиде индия производят методом вакуум-плавления на приборе ГЕОХИ (рис. 1). [c.124]

Галлия арсенид ОаАз М 144,53. [c.45]

Галлий, арсенид галлия [440]. Образец растворяют в кислоте, удаляют галлий и мышьяк экстракцией бутилацетатом из 7 N соляной кислоты. Водную фазу упаривают досуха и в остатке определяют литий по методу фотометрии пламени. Определяемые количества 1-10 —5-10" % Li. [c.149]

Химико-спектральное определение бора в германии и пленках германия. Определение кислорода и водорода в германии, индии, галлии, арсениде галлия и фосфиде индия методом вакуум-плавления. ..... [c.523]

Колориметрическое определение фосфора в галлии и индии. .... Фотометрическое определение серы в галлии, арсениде галлия, мышьяк [c.523]

Разложение триметилгаллия в атмосфере арсина, а также в смеси арсина и фосфина с целью получения эпитаксиального слоя арсенида галлия и галлий-арсенид-фосфида описано в работе f70]. [c.410]

Для получения тонких слоев нитридов галлия, алюминия и цинка мы использовали систему триметилгаллий — гидразин (триметилалюминий — гидразин и диэтилцинк — гидразин). Выбор этой системы объясняется нашим стремлением максимально снизить температуру осаждения слоев, что необходимо, например, для получения полупроводниковых или диэлектрических слоев на подложках из арсенида и фосфида галлия, арсенида индия и т. д., которые не выдерживают высоких температур. [c.87]

Арсенид галлия. Арсенид галлия в настоящее время третий по объему производства полупроводниковый материал. Пока имеется небольшой опыт выращивания способом Степанова массивных профилированных монокристаллов арсенида галлия. В [66] положительные результаты получены при работе по схеме В рис. 1 с кварцевыми формообразователями. [c.127]

АРСЕНИДЫ, соединения металлов с мышьяком. Кристаллич. высокоплавкие в-ва большой плотности. А. щел. металлов гидролизуются водой, А. щел.-зем. металлов водой разлаг. медленно, разбавл. к-тами — легко А. тяжелых металлов разлаг. только к-тами. С увеличением содержания Аз хим. стойкость возрастает. При действии окислителей А. превращ. в арсениты. Большинство А. обладает полупроводниковыми св-вами. Получ. сплавлением элементов в вакуу- 1е или инертной атмосфере. Полупроводниковые материалы в солиечяых батареях, ИК-детекторах, датчиках Холла, туннельных диодах, транзисторах, светодиодах, лазерах. ПДК в пересчете на Аз 0,5 мг/м . См., напр., Кадмия сескви-арсенид, Галлия арсенид, Железа арсенид, Кобальта арсенид. [c.56]

ГАЛЛИЯ АРСЕНИД GaAs, темно-серые с фиолетовым оттенком крист. t 1238 С не раств. в воде и орг. р-рителях разлаг. к-тами. Получ. из элементов под давл. паров As. Полупроводниковый материал для светоизлучающих туннельных, переключательных диодов, инжекционных лазеров, фотоэлектронных умножителей и др. Токсичен, в Мильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия), М., 1974. [c.118]

Г. с., в отличие от алюминийорг. соед., как катализаторы полимеризации используются редко, гл. обр. из-за того, что стоимость Ga существенно выше, чем А1. Перспективно применение Г.с. для получения полупроводниковых материалов, напр, галлия арсенида. [c.481]

В виде плотного слитка ОаР получают сплавлением Са с Р под давлением паров Р, в виде пористого слитка-действием РНз на расплав Оа. Монокристаллы выращивают методами зонной плавки или вытягиванием по Чохральскому из-под флюса В Оз под давлением Аг, небольшие монокристаллы-из р-ров ОаР в расплаве Оа. Порошкообразный СаР получают восстановлением ОаРОд водородом или СО при 800-1 ООО °С. Эпитаксиальные пленки ОаР наносят аналогично пленкам галлия арсенида. Для легирования монокристаллов и пленок ОаР используют добавки Те, 8е, 8, Зп, Сй, Ое. [c.482]

Галлий и его арсениды и антимониды. Для определения примесей в полупроводниковой системе Ga—Р—S лучшим растворителем является смесь (4 1) азотной и соляной кислот, насы-ш енная бромом [191]. Серу затем определяют турбидиметрически в виде BaS04 в присутствии этанола с диэтиленгликолем. Чувствительность определения серы 2,6 мкг/мл, ошибка 4—6% [191]. Фотометрирование золя сульфида свинца позволяет определить серу в галлии, арсениде галлия, мышьяке и индии [140]. [c.197]

Галлия арсенид (50) Ag (0,3), d, Pb (1), u (5), Au (20), Zn (100). 1. Отгонка As la (АзВгз) из смеси H l и Вгг, экстракция галлия диэтиловым эфиром из 6 н. раствора НС1. 2. С (10% Ga) пост. т. 15 а. 20 сек [518, стр. 157]. [c.379]

Определение олова в мышьяке, галлии, арсениде и фосфиде галлия. Анализ мышьяка. Навеску до 3 г растворяют при нагревании в смеси НС1 и HNO3. К раствору добавляют 2 мл 0,5 раствора ЭДТА, 1 мл Н3РО4 (1 3), 0,3 мл раствора Ве" в НС1 [72 мг Ве(0Н)2 в 1 мл] и воду до 40 мл. Раствор доводят до кипения, затем добавляют NH3-H20 до перехода окраски фенолфталеина и 1 —2 мл избытка. Полученный раствор с 30 мл горячей воды оставляют для коагуляции осадка. [c.174]

Одним из факторов, обусловливающих рассеяние тепловых волн (фононов) и приводящих к увеличению теплового сопротивления, является неупорядоченность сплава. Изучение теплопроводности сплавов систем германий — кремний, арсенид галлия — арсенид индия и других проводилось ранее рядом авторов [6—8]. В работе [9] на основе модели Колоуэя [4] получено выражение для теплового сопротивления неупорядоченных сплавов [c.246]

Установлено, что в кристаллах со структурой цинковой обманки скалывание легче всего происходит вдоль плоскостей 110 , тогда как в кристаллах со структурой алмаза — вдоль плоскостей 111 . Это обусловлено тем, что в структуре цинковой обманки плоскости 111 образуются поочередно либо только 111-атомами, либо только V-атомами. Если такие плоскости противоположно заряжены, то между ними существует электростатическое притяжение и разделить их трудно. Однако каждая плоскость (ПО) состоит из равного числа 111-атомов и V-атомов, так что между этими плоскостями не возникает электростатических сил, и поэтому разделить их относительно легко. Исходя из данных о характере скалывания, можно сделать некоторые выводы о степени ионной связи в кристаллах соединений III—V. Фосфид галлия скалывается только по плоскостям 110 , что указывает на значительную долю ионной связи в антимониде алюминия и в арсениде галлия наблюдается слабое скалывание по плоскостям 111 , которое указывает на меньшую долю ионной связи в антимониде галлия, арсениде индия и антимониде индия, кроме скалыва- [c.69]

Неорганические люминофоры (1975) -- [ c.150 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.118 ]

Справочник Химия изд.2 (2000) -- [ c.310 ]

Применение спектров комбинационного рассеяния (1977) -- [ c.456 ]

Основы общей химии Том 2 (1967) -- [ c.224 , c.310 ]

Основы общей химии Том 2 Издание 3 (1973) -- [ c.67 , c.156 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология