Толщины окисных пленок

Рис. 94. Зависимость толщины окисной пленки на меди от парциального давления кислорода при температуре, С

В табл. 68 приведены толщины окисных пленок на железе, определенные различными методами. [c.435]

Теория Мотта и Кабреры позволяет прежде всего определить критическую толщину окисной пленки hg, выше которой применима теория образования толстой окалины, а ниже которой необходимо использовать теорию для тонких пленок. [c.50]

Толщина окисной пленки зависит от вида металла, [c.22]

Толщина окисных пленок на железе (по Эвансу) [c.435]

Определение толщины окисных пленок. Толщину сравнительно тонких (до 1 мкм) пленок определяют методом цветовых оттенков Ньютона (см. приложение). Для определения толщины на поверхность оксида при помощи заостренной фторопластовой палочки наносят каплю плавиковой кислоты. После протравливания окисла до поверхности кремния пластину промывают дистиллированной водой, [c.134]

Для удаления остатков масел и уменьшения толщины окисной пленки насадку обезжиривают в уайт-спирите, травят в 10%-ном растворе каустической соды при температуре 65—70° С в течение 2—3 мин, далее промывают в холодной и горячей воде, а затем нейтрализуют в 5%-ном растворе азотной кислоты с последующей промывкой в воде. Остатки жиров с проставочных листов удаляют при помощи растворителей. Кассеты промывают в уайт-спирите и ацетоне и окончательно в четыреххлористом углероде. [c.195]

Сравнительно новыми способами подготовки поверхности металлов являются химическое и электрохимическое полирование. Механизм обоих процессов имеет много общего. В обоих случаях в процессе полирования на металле образуется тонкая окисная пленка, которая затрудняет растравливание металла под действием раствора. Толщина окисной пленки меньше на микровыступах поверхности и больше в микровпадинах. Кроме того, в микровпадинах удерживается вязкий слой продуктов реакции металла с раствором. Все это приводит к тому, что микровыступы растворяются быстрее, чем микровпадины, и, следовательно, происходит сглаживание неровностей на поверхности металла. [c.159]

Атомы, образующие решетку окисла, сильно связаны со своими положениями равновесий и не могут покидать их (это не совпадает с общепринятым эстафетным механизмом диффузионных процессов). Соотношение концентраций Ме и М/ в решетке вновь образующихся на поверхности слоев окисла зависит от соотношения диффузионных потоков атомов Ме и М1. Состав окисла непостоянен по толщине окисной пленки, но в каждом слое постоянен во времени. [c.89]

Алюминий легко соединяется с кислородом уже при обыкновенной температуре. При этом поверхность покрывается окисной пленкой А Оз, предохраняющей его от дальнейшего окисления. Толщина окисной пленки составляет 0,00001 мм. Она прочна, тверда и гибка, не отстает при растягивании, сжатии, закручивании и изгибе. Окисная пленка придает поверхности матовый вид. Благодаря ей алюминий не разрушается (не корродирует) от влаги и воздуха. [c.305]

Толщина окисной пленки, А, определенная методом [c.435]

Толщина окисной пленки колеблется от 5—10 А до нескольких тысяч ангстрем. Окисная пленка может утолщаться только в том случае, когда через нее диффундирует кислород. Если ионы металла и принадлежащие им электроны диффундируют из железа через окисную пленку намного быстрее, чем кислород, то окисная пленка растет на границе газа и окисла (рис. 2, а). В противном случае зона роста будет находиться под слоем окисла (рис. 2,6). Если скорость диффузии ионов металла и кислорода не очень отличаются друг от друга, то зона роста располагается внутри окисной пленки (рис. 2, в). Размеры ионов металла меньше (следовательно, скорость диффузии больше), чем молекула кислорода, поэтому окисная пленка обычно растет на поверхности, соприкасающейся с газом. Окисная пленка утолщается из-за диффузии. Ее утолщение, в свою очередь, замедляет диффузию — коррозия уменьшается. [c.22]

Определение толщины окисной пленки [c.287]

Металлы с блестящей поверхностью реагируют с газами при высоких температурах очень интенсивно. Скорость окисления зависит от давления, диссоциации образующегося окисла и парциального давления реагирующего газа. Толщина окисной пленки в разных условиях неодинакова. [c.83]

С повышением температуры ако-рость диф фузии газов через- пленку окисла к металлу и встречной диффузии атомов металла возрастает, что ускоряет окисление и увеличение толщины окисной пленки. Если пленка имеет защитные свойства, то процесс дальнейшего окисления замедляется (рис. 2-28). [c.68]

Толщина окисной пленки, мк. . . 4—8 [c.304]

Скорость окисления оценивают по количеству прореагировавшего кислорода или металла. Для этой цели применяют три метода гравиметрический, манометрический и метод измерения толщины окисной пленки. Наиболее универсальным и широко применяемым является гравиметрический метод. Гравиметрическим методом определяют либо количество прореагировавшего кислорода — по увеличению массы образцов, либо количество окисленного металла -по уменьшению массы (после удаления с образцов окалины). [c.16]

Плоские изделия небольших размеров (цифры, буквы, микросхемы, сетки и пр.) изготовляют на плоских алюминиевых формах.Изделия наращивают из электролитов меднения. Силу сцепления регулируют изменением толщины окисной пленки, получаемой анодированием. Изделия снимают с поверхности при помощи липких лент. Формы из алюминия используют для многониточных резьбовых алмазных кругов (II, 12]. [c.16]

Наиболее легко растворимый слой был удален достаточно быстро, затем, после некоторого периода, в течение которого толщина окисной пленки практически не изменялась, начался процесс растворения основной массы окисла, который продолжался в течение 21 Дня график изменения толщины окисла на этом этапе отвечает параболической зависимости. Дальнейшего растворения окисной пленки можно было добиться только после снижения концентрации кислорода и понижения потенциала электрода до —0,25 В. [c.156]

Окисные пленки на титане обладают свободной электронной я ограниченной ионной проводимостью [63, 64]. Электронная проводимость при небольшой толщине пленки обеспечивает протекание электрохимических процессов па границе раздела окисел — электролит. Вследствие небольшой электронной проводимости при дальнейшем росте толщины окисной пленки происходит образование запорного слоя с высоким удельным электрическим сопротивлением, резко ограничивающим плотность тока титанового анода нри данном значении потенциала. Поэтому использование титана как анода невозможно [10, 59, 65, 66]. [c.120]

С понижением температуры электролита до 265— 270 К растворение окиси алюминия замедляется и толщина окисной пленки/ достигает 30—60 мкм. Электролит охлаждают методом барботажа воздуха температурой 250—260 К, охлаждаемого в вихревых трубах, которые питаются от заводской пневмосети. На сплавах АЛ9, АК6, В95 образуется пленка толщиной 40—60 мкм, а на сплавах типа Д16— пленка толщиной 30—60 мкм. [c.238]

САМООЧИЩЕНИЕ. Электротехнику рений интересует и как материал для контактов. У рениевых контактов есть очень ценное свойство — способность к самоочищению. Обычно контакты выходят из строя оттого, что их поверхность покрывается слоем окисной пленки, препятствующей току, или же контакты свариваются. Рений, как и другие металлы, окисляется, когда между контактами возникает электрическая дуга, но семиокись рения НегО летуча — в процессе естественного саморазогрева контактов она испаряется, и толщина окисной пленки остается минимальной. Эта пленка практически не увеличивает сопротивления контактов, но препятствует их свариванию. Самоочищение рениевых контактов гарантирует надежную работу многих электротехнических устройств на Земле и в космосе, [c.200]

Микроструктура возникшей на железе толстой окисной пленки (окалины) при окислении железа на воздухе в течение суток при 700 °С показана на рис. III.15 (см. вклейку). Толщина окисных пленок, возникших на различных металлах, а также кинетика их роста различны. Так, на алюминии пленка продолжает расти несколько недель [38, с. 186, 275, 281 40], достигая толщины 50— 100 А. На меди толщина окисной пленки спустя месяц также может достигнуть 100 А, а процесс окисления железа практически заканчивается за несколько часов [40], Кинетика роста окисных пленок на различных металлах при комнатной температуре показана на рис. III.16. Как видно из рисунка, рост пленок не прекращается [c.103]

Толщина окисной пленки 0,25 мкм. 2 Толщина окисной пленки 1 мкм. Толщина окисной пленки 7 мкм. [c.107]

Схематический график зависимости логарифма I от к по Хауффе и Ильшнеру приведен на рис. 31. Из этого графика следует, что скорость перемещения электронов вследствие туннельного эффекта определяет скорость образования самых тонких пленок (область /), а скорость переноса ионов — скорость роста более толстых пленок (область II). Так, окисление алюминия во влажном кислороде при 25° С описывается во времени логарифмическим законом, переходящим по мере увеличения толщины окисной пленки в обратный логарифмический закон (рис. 32) переход от логарифмического закона к обратно логарифмическому закону окисления наблюдали у тантала в интервале от 100 до 300° С. [c.55]

Рис. 4.30. Зависимость водородонасыщекия титана ВТ1-1, относительного изменения массы образцов Дт/т и толщины окисной пленки б от температуры испытания (давление водорода 5 МПа, выдержка 24 ч).

В. Поглощательные и излучательные характеристики. Поглощательная способность системы поверхностей (значение ее заключено между О и 1) определяет долю падаю-нгего излучения, поглощенную системой поверхностей. Степень черноты (излучательная способность — значение ее тоже заключено между О и 1) определяет, какая доля излучения черного тела в действительности излучается системой поверхностей. Чем определяются эти величины Очевидно, они зависят от используемой системы поверхностей. материала, из которого она изготовлена, его структуры, определяемой обработкой, толщиной окисных пленок, неровностями и т. д. Если структура поверхности стабильна (это не всегда имеет место), то радиационные характеристики рассматривают как функции термодинамического состояния, определяемого температурой Т.,. Более того, характеристики зависят от природы теплового и.злучения направления и длины волны, а иногда и поляризации. [c.454]

Какие факторы влияют на скорость химической коррозии Какая форма зависимости изменения толщины окисной пленки во времени нголюдается для различных металлов [c.405]

Наконец, при потенциалах, превышающих равновесный потенциал кислородного электрода, увеличение плотности тока будет происходить в результате окисления воды с выделением газообразного кислорода. Легче всего этот процесс протекает на тех металлах, чьи окисные пленки обладают высокой электронной проводимостью (золото, платина). На анодах нз таких металлов гидроксильные ионы беспрепятственно отдают свои электроны, окисляясь до молекулярного кислорода. Если же окпсные пленки, экранирующие поверхность металла, отличаются низкой электро[щой проводимостью, то анодный процесс направляется не на разложение воды с выделением кислорода, а на увеличение толщины окисной пленки — так называемое анодное оксидирование. При этом анодный потенциал нередко может достигать значений порядка сотен вольт (точнее говоря, таких знач ений достигает падение напряжения в пределах окисной пленки при протекании электрического тока). [c.196]

Коррозия титана определяется скоростью химического растворения окисной пленки. В условиях анодирования толщина образующегося окисного покрытия зависит от соотношения скоростей образования окисной пленки н се растворения- При анодировании титана в 0,1 н-, 1,0 н. и 5 н. II2SO4, плотностью тока от 0,5 до 2 А/м в интервале температур от О до 60 °С предельная толщина окисной пленки составляет 0,2—0,3 мкм [78]. [c.121]

В водной среде толщина окисной пленки на алюминии увеличивается гораздо быстрее, чем на воздухе. Скорость ее утолщения уменьшается со временем до достижения предельной толщины, которая зависит от температуры, насыщенности воды кислородом, имеющихся в воде ионов и pH. В морской воде эта естественно образующаяся защитная пленка более подвержена разрушению, а ее восстановлешгс и рост тормозятся ионами хлора. [c.356]

При малой толщине окисной пленки напряженность поля значительна, но по мере утолщения пленки она ослабевает и при толщине порядка нескольких десятков нанометров становится исчезающе малой. В этих условиях в качестве основной движущей силы диффузии остается градиент концентращ1й, обусловленный изменением соотнощения металла и окислителя в окисной пленке. На границе металл — окисел в пленке следует ожидать максимально возможную в рассматриваемых условиях концентрацию катионов при некотором недостатке анионов, а на границе окисел - газ следует ожидать максимально возможную концентрацию анионов при некотором недостатке (по отнощению к внутренним слоям) катионов. Наряду с этим предполагается наличие в окисле дефектов, которые, по современным представлениям, являются необходимым условием для диффузии [5 - 9]. Эта модель, в совокупности с представлением об окисной пленке как о полупроводнике, является основой теории Вагнера - Хауффе, описывающей рост толстых окисных пленок по закону квадратичной параболы [10]. [c.12]

Особенность электронографического метода состоит в том, что электронный пучок рассеивается веществом приблизительно в 10 раз сильнее, чем рентгеновские лучи, и проникновение электронов в вещество невелико в сравнении с рентгеновскими лучами. Максимальная толщина окисных пленок, поддающихся злектронографированию, при съемке на просвет, составляет около 100 нм. При съемке методом отражения (применяя касательный к поверхности пучок электронов) можно анализировать окисные пленки толщиной порядка 1 нм и даже обнаруживать наличие мономолекулярного окисного слоя, т.е. фиксировать переход от хемисорбции к окислению. Электронография позволяет изучать процесс зародышеобразования, а при электронномикроскопическом исследовании фольговых образцов — кристаллическую структуру неметаллических включений (микродифракция). Таким образом, чувствительность метода весьма высока, и основное достоинство его заключается в возможности исследования малых объемов вещества. [c.22]

Толщина окисной пленки титана, мгновенно образующейся после контакта свежеочищенной поверхности с воздухом, составляет около 1 -10 м, за сутки при комнатной температуре она достигает 2 X X 10 м, а за четыре года увеличивается до 5-10 м. Это говорит о том, что процессы диффузии через окисную пленку резко замедлены вследствие ее компактности и хорошей адгезии к металлу [61]. [c.119]

Исходя йз предположения, что весь ток расходуется только на образование Т1О2, была определена толщина окисной пленки, образующейся в 1 н. Н2804 при 25 °С в течение двух часов при значениях потенциала 0,25 В, 0,95 В и 1,75 В она соответствовала 3,6 X X 10- 8, 5,5-10- 8 и 6,8-10- 8 м. [c.123]

На рис. IV-12 показано изменение потенциала во времени при анодной поляризации титана в 0,1 н. NaOH плотность тока постоянная. При всех значениях плотностей тока линейные участки возрастания потенциала на кривых до начала выделения кислорода соответствуют увеличению толщины окисной пленки. К моменту достижения потенциала выделения кислорода толщина окисной пленки составляет 10 м [118] (в расчете на окисный слой из Ti02). [c.125]

Адгезия тех же полимеров к алюминиевой и железненной фольге характеризуется значительно более высоким сопротивлением отслаиванию, так как окисные пленки на поверхности этих субстратов значительно прочнее и тоньше, чем на меди, не имеют такого числа дефектов и хорошо связаны с основой. Как известно окисные пленки на таких металлах, как алюминий, цинк полово, весьма компактны, прочны, имеют небольшую толщину, отличаются хорошими защитными свойствами и хорошей сцепля-емостью с металлом [167, 168]. Окисные пленки на меди, наоборот, отличаются большой толщиной, значительным количеством дефектов (пор, трещин, микропузырей) и слабой связью с металлом. Поэтому увеличение толщины окисных пленок на этих металлах приводит к разным результатам (рис. VHI.18). Как видно из приведенных данных, увеличение толщины окисных пленок на поверх- [c.314]

Рис. VIII.18. Зависимость соаротивления расслаиванию в системе металлическая фольга — эластомер от толщины окисной пленки на металле [166]

Аналогичные эллипсометрические измерения пассивирующих окисных пленок на железе проведены Кудо, Сато и Окамото [75], продолжившими работу Сато и Коэна по механизму роста окисных пленок на железе [83]. На рис. 13 показаны изменения Д и ц при потенциостатическом окислении железа и гальваностатическом восстановлении окисной пленки на железе, а на рис. 14 приведено сравнение экспериментальных и теоретических изменений Д и ц/ для нескольких принятых значений оптических констант пленки. Соотношение между толщинами окисных пленок на железе, определенными кулонометрическим и эллипсометрическим методами, приведено на рис. 15 (ср. [78]). Эллипсометрические, емкостные и кулонометрические свойства изучались также Уордом и Де-Гинетом [80]. Проанализировано накопление протонов и содержание воды в пленке (ср. [81, 84]) в зависимости от ее толщины. В случае сложного поведения пассивирующих окисных пленок на железе, как при их образовании, так и при катодном восстановлении, эллипсометрические исследования дают существенную дополнительную информацию, которую нельзя получить ни поверхностной кулонометрией, ни химическим анализом пленки. [c.434]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология