Лазеры с перестройкой частоты с параметрической генерацией

Перестройка частоты излучения в широком диапазоне возможна также в полупроводниковых лазерах и в параметрических генераторах. В последних изменение длины волны генерации осуществляется поворотом кристалла, в котором происходит смешение двух [c.375]

ТИПОВ с непрерывной перестройкой частоты перекрывают широкие (>10 нм в видимой области, 10 см в инфракрасной) спектральные диапазоны, например лазеры на красителях [4, 5], параметрические генераторы [6], лазеры с переворотом спина [7,8] и полупроводниковые диодные лазеры [9,10]. Более ограниченные диапазоны непрерывной перестройки ( 1 ГГц 0,03 СМ ) получены с помощью СО и СОг-лазеров 3 результате перестройки давлением вблизи их основных линий генерации с фиксированными частотами [11]. [c.544]

В устройствах с параметрической генерацией используется лазерное возбуждение и перестройка частоты происходит при изменении температуры. Область перестройки частот этих лазеров и ширина полосы обычно больше, чем для лазеров ПД и ПСКР [3]. [c.33]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология