Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Фракционное осаждение полисахаридов четвертичными аммониевыми основаниями

    ФРАКЦИОННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ПОЛИСАХАРИДОВ ЧЕТВЕРТИЧНЫМИ АММОНИЕВЫМИ ОСНОВАНИЯМИ [25] [c.42]

    В качестве осаднтелей полисахаридов ГМЦ из растворов используют смешивающиеся с водой органические растворители, соли четвертичных аммониевых оснований с длинноцепочечными радикалами, различные комилексообразователи [198]. Осаждение полисахарида сопровождается частичным удалением из него сопутствующих низкомолекулярных веществ и является одним из этапов его очистки. Наиболее распространенным приемом является осаждение полисахаридов ГМЦ этиловым спиртом. Постепенно увеличивая его концентрацию в растворе, можно осаждать ГМЦ фракционно. Обычно по достижении концентрации спирта 807о больщинство полисахаридов выпадают в осадок, а низкомолекулярные примеси остаются в растворе. [c.46]



Смотреть главы в:

Химия гемицеллюлоз -> Фракционное осаждение полисахаридов четвертичными аммониевыми основаниями




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Аммониевые основания

Осаждение фракционное

Полисахариды

Фракционное осаждение полисахаридов

Четвертичные основания



© 2025 chem21.info Реклама на сайте