Конструкция полупроводниковых детекторов

Конструкция полупроводниковых детекторов [c.87]

В последнее время все большее применение в науке и те.х-нике находят полупроводниковые детекторы ионизирующих излучений (ППД), в особенности имеющие р—i—и-структуру [4]. ППД обладают некоторыми преимуществами перед другими счетчиками низкой инерционностью, большим сроком службы, нечувствительностью к электрическим и магнитным полям, малыми габаритами и весом, высокой механической прочностью и возможностью варьирования конструкции. Однако при решении вопроса о возможности применения ППД в условиях горнорудной и металлургической промышленности необходимо учитывать их основной недостаток — наличие обратного тока и его температурную зависимость, что не позволяет обеспечивать достаточную эксплуатационную надежность полупроводникового гамма-детектора, работающего в диапазоне 5—35° С. [c.32]

Полупроводниковые детекторы многослойной конструкции для преобразования ионизирующих излучений в электрические сигналы [1] изготавливают из германия или кремния. Полупроводниковые детекторы могут быть выполнены поверхностно-барьерными в виде р-п-перехода или диффузионно-дрейфовыми в виде трехслойного кристалла р-г-л-типа. На полупроводниковые детекторы подается электрическое напряжение так, чтобы они были включены в обратном направлении. Чувствительной к ионизирующему излучению зоной у них является обедненный носителями запирающий слой или 1-СЛОЙ. [c.311]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология