Детекторы полупроводниковые

Таблица 42, Детекторы полупроводниковые

Детекторы. Детекторы инфракрасного излучения, используемые в абсорбционной спектроскопии [3], можно разбить на две большие группы I) так называемые термические детекторы, действие которых основано на измерении тепловых эффектов, возникающих под действием суммарной энергии большого числа падающих фотонов, и 2) фотонные детекторы, полупроводниковые устройства, в которых электрон может поглотить квант ИК-излучения и перейти из валентной зоны в зону проводимости, внося свой вклад в электропроводность. В целом фотонные детекторы обладают быстрой реакцией и более чувствительны, однако интервал длин волн их ограничен, и, кроме того, они действуют при температуре жидкого азота или ниже. Термические детекторы, напротив, применимы в широком интервале длин волн и не требуют охлаждения, но они инерционны и относительно мало чувствительны. За исключением детектора с внутренним фотоэффектом из РЬ5, который широко применяется в ближней ИК-области при комнатной температуре, фотонные детекторы редко используются в лабораторных спектрофотометрах и далее не обсуждаются. [c.101]

Диапазон измеряемых толщин золотых, платиновых и т. п. покрытий 0,1 0 мкм. Детектор полупроводниковый, из теллурида кадмия, термостабилизированный элементом Пельтье. [c.177]

Детектор полупроводниковый, кремниевый, охлаждаемый элементом Пельтье. Диапазон определяемых элементов от А1 до У. [c.178]

Важнейшими характеристиками при этом являются коэффициент преобразования, динамический диапазон, инерционность, геометрические размеры. При использовании одиночных детекторов первого поколения можно было использовать сцинтилляционные кристаллы с ФЭУ, которые обладают высокой чувствительностью, удовлетворительным динамическим диапазоном (10 ) и малой инерционностью. Применение ФЭУ из-за их значительных габаритов затруднительно при использовании линейки, состоящей из большого числа детекторов. Для этих случаев применяют ионизационные газовые детекторы, полупроводниковые детекторы и сцинтилляционные кристаллы с полупроводниковыми фотодиодами. [c.190]

Детекторы инфракрасного излучения. Подобно источникам, детекторы ИК-излучения используются только для определенных интервалов длин волн. Для фундаментальной ИК-области (2,5 до 50 мкм), которая чаще всего используется в анализе, обычно применяются термопары, полупроводниковые и пневматические детекторы. Полупроводниковые детекторы и термопары обнаруживают ИК-излучение в виде теплового эффекта при поглощении излучения зачерненной поверхностью. Пневматические детекторы действуют по принципу измерения давления, возрастающего при нагревании газа под действием падающего излучения. Все эти детекторы имеют относительно низкую чувствительность. Казалось бы, что ИК-спектрофотометры, в которых используются эти детекторы в сочетании с обычными источниками ИК-излучения, характеризующимися низкой интенсивностью, должны быть относительно малочувствительными приборами. Однако чувствительность этих приборов не так уже мала вследствие того, что каждая проба исследуется в приборе относительно длительное время (5—15 мин). Такая зависимость между чувствительностью и временной характеристикой является обычной в химических приборах и часто используется, когда необходимо увеличить чувствительность или скорость анализа. Кстати, применение в современных приборах недавно созданных новых высокочувствительных пироэлектрических детекторов дает возможность получать ИК-спектры за относительно короткое время. [c.730]

Понижение уровня фоновой активности в режиме совпадений не всегда компенсирует потерю эффективности, так как влияние первого фактора на чувствительность в грубом приближении пропорционально корню квадратному, а второго — прямо пропорционально. Значит, падение эффективности в 10 раз требует для повыщения чувствительности уменьшения фоновой активности более чем в 100 раз. Повышение избирательности метода совпадений обычно связано с необходимостью установления более узких границ энергетических интервалов, а это непосредственно сказывается на эффективности. Замена сцинтилляционных детекторов полупроводниковыми также связана со значительной потерей эффективности. [c.210]

Детектор полупроводниковый, из теллуррша кадмия, охлаждаемый элементом Пельтье. Диапазон определяемых элементов от Р до и. [c.178]

С приемного пьезопреобразователя электрические колебания поступают на предварительный усилитель (лампа Л7) и после усиления детектируются амплитудным детектором (полупроводниковый точечный диод Д ) с выделением огибающей модулированных колебаний. Детектированные колебания усиливаются и ограничиваются усилителем-ограничителем (лампы Лъ, Лд, Лю) и поступают со стабилизированной амплитудой на фазовый детектор (трансформатор Лп—Ли, лампа Лц). [c.228]

В настоящее время имеется огромное число всевозможных детекторов, находящих применение в отдельных специальных случаях. Таковыми являются ультразвуковые детекторы, полупроводниковые детекторы, детекторы по электропроводности, кулонометрические детекторы, массовые детекторы и ряд других. В табл. 39 даны сведения относительно пределов детектирования разными наиболее распространенными неспецифическими детекторами. [c.328]

ХШ-161.Детекторы полупроводниковые для измерения ионизирующих излучений. [c.135]

Микроволновый спектрометр состоят из источника излучения (чаще всего клистрона), ячейки с исследуемым в-вом (или ииогда объемного резонатора), детектора (полупроводникового или болометра) и устройства, позволяющего модулировать частоты спектральных линий внешним электрическим Штарка эффект) или магн. полем Зеелиша эффект). Ширина спектральной линии обусловлена гл. обр. эффектом Доплера и соударениями молекул. Чтобы уменьшить роль соударений, эксперимент проводят при низкнх т-рах (200 К) и давлениях газа ( 0,13 Па, 10 мм рт.ст.) или используют мол. пучки, в к-рых практически отсутствуют соударения молекул. Это обусловливает высокую разрешающую способность метода (<в/Аш я 10 -10 ). Погрешности определения частот о, а следовательно, и крайне малы (АВд 10 см , 10 нм), что позволяет установить геом. параметры двухатомных молекул с наивысшей точностью по сравнению с др. методами иосле-дования структуры (в частности, дифракционными). [c.83]

Карманный дозиметр у-излучения DG-101 Измерение МЭД (0,1-10 мкЗв/ч) индивидуальной накопленной дозы (0,1-10 мкЗв) фотонного излучения (0,08-6 МэВ). Детектор полупроводниковый. Габариты, масса — 140 X 34 X 14 мм, 150 г [c.124]

Применение. Для изготовления кристаллических детекторов, полупроводниковых усилителей и фотосопротивлений силито-вых высокотемпературных стержней для получения кремнийорганических соединений для раскисления металлов и получения ряда сплавов. [c.355]

При использовании упругорассеянных электронов важно отделить эффекты, обусловленные рельефом, и эффекты, обусловленные зависимостью интенсивности рассеяния от атомного номера для химически сложного объекта. Для анализа изображения можно использовать твердотельные парные детекторы — полупроводниковые кристаллы, устанавливаемые симметрично относительно электронного зонда над образцом (см. рис. 22.10). Специальное суммирующее устройство позволяет отделить эффекты, обусловленные рельефом, от эффектов контраста, создаваемых различиями в химическом составе. [c.566]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология