Температурная зависимость поверхностной плотности зарядов

Температурная зависимость поверхностной плотности зарядов [c.104]

Микрофотографии избирательного травления кристаллов КС — КВг различных составов показаны на рис. 4. Обращает на себя внимание по-выщенная поверхностная плотность ямок травления кристаллов с небольшими добавками КС1 и КВг в твердом растворе. В результате статистического изучения подобных микрофотографий построена зависимость плотности дислокаций от состава твердых растворов (см. рис. 3, б). Максимумы кривой примерно отвечают составам с минимальными концентрациями /-центров и максимальными значениями электропроводности. Связь электропроводности с дислокациями может быть объяснена следующим образом. Зейтцем [14] высказаны интересные соображения об образовании вакантных мест из дислокаций. Существенную роль в этом процессе играют уступы на линиях дислокаций. В месте уступа в кристаллической решетке образуется потенциальная яма, равносильная наличию в этом месте некоторого эффективного заряда. Зейтц рассматривает это место как зарождающуюся вакансию благодаря тому, что ближайший ион захватывается уступом и включается в ряд ионов, образующих особенную плоскость дислокаций. Образовавшаяся вакансия может продиффундировать в глубь кристалла. При нагревании кристалла, необходимом для снятия температурной зависимости электропроводности, дислокации начинают перемещаться, встречая на своем пути препятствия. Это обусловливается появлением уступов на линиях дислокаций, а следовательно, некоторого дополнительного числа вакансий, увеличивающих ионную проводимость кристалла. [c.189]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология