Дислокации линня

Одним из основных понятий в теории дислокаций является понятие линии дислокации. Линией дислокации называется та воображаемая линия в кристалле, вдоль которой (в ее малой окрестности) концентрируются максимальные искажения решетки. Фактически при возникновении дислокации кристаллическая решетка остается неискаженной везде, за исключением области, непосредственно окружающей линию дислокации. Линия дислокации не обязательно должна быть прямой, а может иметь перегибы, ступени, т. е. любую форму. Особенность этой линии заключается в том, что она никогда не заканчивается (не обрывается) в кристалле, а выходит на его поверхность, замыкается на себя, образуя петлю, или замыкается на другие линии дислокации. [c.88]

Таким образом, линия краевой дислокации неограниченно простирается в плоскости скольжения вдоль края лишней атомной плоскости в направлении, перпендикулярном к направлению скольжения (направлению положения силы), т. е. линия дислокации проходит через точку Р перпендикулярно плоскости рисунка. Другими словами, для чисто краевой дислокации линия дислокации перпендикулярна направлению приложения силы сдвига и направлению скольжения. [c.89]

Бюргерса, т. е. линия дислокации переходит из одной плоскости скольжения в другую. Схематически этот процесс можно представить следующим образом (рис. 21). Допустим, что в кристалле с краевой дислокацией линия дислокации проходит через точку Р (/ 0 —лишняя атомная полуплоскость). Предположим, что атом из регулярного узла решетки 1 перешел, оставляя в узле вакансию, в положение Р", как бы достраивая полуплоскость РО, другой атом из узла 2 перешел в положение Р " и т. д. Указанный процесс будет равносилен перемещению линии дислокации вниз перпендикулярно вектору Бюргерса из одной плоскости скольжения тп) в другие т"п" и т. д.). Можно представить и обратный процесс. Атом из положения Р на краю лишней полуплоскости переходит, оставляя там вакансию, в какой-либо незанятый узел решетки 3, как бы укорачивая при этом полуплоскость РС. Это будет равносильно перемещению линии дислокации вверх из положения Р в Р, т. е. в другую плоскость скольжения т п ). [c.95]

Энергия дислокации, обязанная деформации вещества вблизи оси дислокации (линии АВ на рис. 1-1), зависит от механических свойств кристалла и пропорциональна квадрату вектора Бюргерса. Именно с этим связана невыгодность существования дислокаций с большими (много большими параметров элементарной ячейки кристалла) векторами Бюргерса. Поэтому тем или иным путем [c.6]

Реальный кристалл обычно содержит большое число дислокаций, линии которых сложным образом переплетаются. Но неизменность вектора Бюргерса вдоль дислокации приводит к тому, что линия изолированной дислокации должна быть либо замкнутой, либо выходить своими концами на поверхность кристалла. Предельными и наиболее простыми формами, которыми могут обладать дислокации указанных двух типов, является форма круговой дислокационной петли и форма прямолинейной дислокации. В диффузионной кинетике основную роль играют прямолинейные краевые дислокации и кольцевые призматические петли. [c.317]

Краевую дислокацию в кристалле мож-но представить как границу неполной атомной плоскости (рис. 258). На схеме рис. 259 видно, что край оборванной плоскости в решетке образуется, если вдвинуть сверху полуплоскость между плоскостями идеального кристалла или оборвать полуплоскость снизу. Обратим внимание на то, что на рис. 258 показана лишь одна атомная сетка и выход дислокации на эту сетку. Структуру надо представлять себе протяженной, а дислокацию — линией, уходящей за плоскость чертежа. Кристалл с краевой дислокацией можно образно представить себе как книгу, в которой одна из страниц наполовину оборвана. Для краевой дислокации характерно нониусное расположение атомных плоскостей сверху и + 1 атомная плоскость, снизу на том же отрезке длины п плоскостей. Область, в которой наблюдается нониусное расположение атомных слоев, и есть дислокация. Ширина области дислокаций не превышает нескольких междуатомных расстояний. Вдали от этой области искажения решетки столь малы, что их можно рассчитывать методами теории упругости сплошной среды. [c.315]

В процессе исследования механических свойств монокарбида W с помощью нарезок и измерения микротвердости обнаружена пластичность УС при комнатной температуре [131]. Отпечатки микротвердости были сделаны алмазной пирамидой Виккерса под нагрузкой 130 г. Авторы указанной работы наблюдали несколько параллельных линий скольжения по соседству с очень деформированным отпечатком, при этом оказалось, что скольжения могут наблюдаться по меньшей мере в трех различных плоскостях кристалла У/С. С помощью метода нарезок при исследовании удалось обнарул ить точки выхода лучей изолированных дислокаций. Линии скольжения также были выявлены на разломленных кристаллах УС, что является проявлением пластической деформации. [c.42]

Как ранее отмечалось, наибольшим физическим изменениям подвергался первый участок зоны термического влияния, прилегающий к зоне сплавления с металлом шва. В этом участке имеют место максимальная пластическая деформация и минимальная плотность следов деформации в теле зерен (дислокаций, линий сдвига) (рис. 65. 6Я. Пои этом нельзя забывать, что часть [c.110]

Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид днслокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 538). На рис. 02 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости АВСО в направлении, указанном стрелкой. [c.163]

Приступая к дислокационному описанию двойника и стараясь сделать ясной исходную модель, представим себе одноатом1 ю двойниковую прослойку , набором которых реализуется макроскопический двойник. Схема разреза такой прослойки изображена на рис. 3.3. Одноатомный двойник заканчивается частичной дислокацией, линия которой проходит через заштрихованную область. Составляющая вектора Бюргерса Ь в плоскости ху показана на рис. 3.3, а ее модуль, очевидно, равен Ь = 2аЩ а (2а - угол двойникования). [c.53]

Винтовую дислокацию (рис. 262) в кристалле можно определить как сдвиг одной части кристалла относительно другой, но в отличие от краевой дислокации линия винтовой дислокации параллельна вектору сдвига (рис. 263 и 264). Можно представить себе, чтовкристал- [c.316]

Анализ экспериментальных результатов показывает, что по травимости границ зерен в кипящей азотной кислоте, напряженному состоянию, плотности карбидных частиц, дислокаций, линий сдвига, размеру зерен, а также ряду других свойств кристаллической решетки всю околошовную зону можно разбить на три важнейших участка (рис. 45 б, в, г). [c.80]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология