Алюминия арсенид получение

Описано получение арсина при гидролизе арсенидов натрия [118, 119], магния [107, 120, 121], кальция [120, 121], цинка [21, 122, 123], алюминия [27] и других металлов. Разложение арсенидов водой приводит, наряду с образованием арсина, также и к образованию высших арсинов и значительных количеств водорода. Наиболее удобно применять арсениды цинка и алюминия. [c.633]

Ценным свойством нитрида алюминия является его высокая стойкость в агрессивных химических средах и, в частности, в расплавах криолита и алюминия [10], а также в расплавах соединений группы А В . Поэтому для получения очень чистых монокристаллов полупроводникового арсенида галлия авторы работы [12] рекомендуют применять контейнеры из чистого нитрида алюминия [11]. [c.90]

Для получения тонких слоев нитридов галлия, алюминия и цинка мы использовали систему триметилгаллий — гидразин (триметилалюминий — гидразин и диэтилцинк — гидразин). Выбор этой системы объясняется нашим стремлением максимально снизить температуру осаждения слоев, что необходимо, например, для получения полупроводниковых или диэлектрических слоев на подложках из арсенида и фосфида галлия, арсенида индия и т. д., которые не выдерживают высоких температур. [c.87]

При создании тепловой технологической зоны необходима параллельная работа над совершенствованием конструкции зоны и технологии процесса выращивания. Окончательная экспериментальная доводка зоны неизбежно предполагает получение профили-лированных кристаллов, контроль их физических характеристик и изготовление пробных приборов или устройств на основе выращенных кристаллов. В соответствии с рассмотренными выше принципами Всесоюзным научно-исследовательским институтом электротермического оборудования (ВНИИЭТО) создан ряд конструкций тепловых технологических зон для выращивания способом Степанова монокристаллов германия, кремния, арсенида галлия и окиси алюминия (сапфира). Потребовалась разработка схемы процесса и конструкции тепловой зоны с учетом специфики каждого из этих материалов. [c.111]

Подбор материала формообразователя, удовлетворяющего всем перечисленным выше требованиям, особенно при выращивании высокотемпературных кристаллов, встречает значительные трудности. В этих случаях принципиальная возможность получения профилированных кристаллов материала решается в зависимости от того, удастся ли найти материал формообразователя, обладающий химической стойкостью при температуре расплава. Для примера рассмотрим некоторые имеющиеся в настоящее время результаты использования различных материалов формообразователей при выращивании способом Степанова кристаллов германия, кремния, арсенида галлия и окиси алюминия. [c.122]

Большой интерес в последнее время вызвали сведения о получении новых металлов, которые сохраняются при атмосферном давлении в течение некоторого времени (особенно при низких температурах), хотя они термодинамически устойчивы (в большей своей части) только при высоких давлениях. Эти новые металлы были названы металлическими алмазами [85]. Речь идет об элементах и соединениях, обладающих в среднем четырьмя валентными электронами на один атом и способных при высоких давлениях претерпевать превращение из модификации с алмазной решеткой в более плотную металлическую модификацию с более высоким координационным числом. К числу таких новых металлов относятся металлические фазы всех элементов IV группы, а также нитрид бора, фосфид алюминия, арсенид галлия, антимонид индия и многие другие соединения в своих металлических модификациях— число их, по утверждению Дарнелла и Либби [85], составляет многие тысячи (см. также стр. 96). [c.90]

Арсенид алюминия. Арсенид (мышьяковистый) алюминия представляет собой трудно синтезируемое соединение. Для получения этого вещества рассчитанные количества алюминия и мышьяка помещают в графитовый тигель, предварительно прокаленный в вакууме до 2000°С. Тигель с содержимым помещают в кварцевую ампулу, откачивают до мм рт.ст.и затемзапаивают. Для предохранения от возможного взрыва ампулы ее заключают в металлический [c.136]

В работе [125] были подвергнуты анализу моносилан, полученный при реакции диспропорционироваиия триэтоксисилаиа в присутствии металлического натрия моногерман, полученный при реакции между тетрахлоридом германия и борогидридом иатрии диборан, полученный путем восстановления треххлористого бора водородом арсин, фосфин, сероводород и селеповодород, полученные путем разложения разбавленной соляной кислотой арсенидов, фосфидов, селенидов цинка, магния и алюминия. [c.195]

Химия сыграла весомую роль не только в разработке новых материалов, таких как оптические волокна, и процессов их получения, но и в создании материалов для оптических устройств, предназначенных для переключения, усиления и хранения оптических сигналов. Эта область открывает замечательные возможности — ведь оптический переключатель способен срабатьюать за одну миллионную милионной доли секунды (за пикосекунду). В современных оптических устройствах используются ниобат лития и арсенид галлия-алюминия, продукты электронной индустрии. Однако органические стереоизомеры, жидкие кристаллы и полиацетилены могут давать оптические эффекты, превосходящие возможности ниобата лития. Эта область исследований обещает много новых открытий и технологических разработок. [c.85]

Полученные таким способом диоды обладали электролюминесценцией, которая наблюдалась в инфракрасной области (8500А, как и у арсенида галлия). Внешний квантовый выход при температуре 77° К и плотности тока - -ЮО а/слг достигал 12%. при комнатной температуре он был в 100 раз меньше [43]. Спектр излучения удалось сместить в более коротковолновую сторону путем одновременной диффузии цинка и фосфора в м-С(1Те, легированный алюминием [44]. На поверхности теллурида кадмия образовывался слой твердого раствора (7п, С(1с) Те, причем р-п-переход создавался за счет более медленной диффузии фосфора по сравнению с диффузией цинка (внутренняя часть образовавшегося слоя твердого раствора получалась легированной алюминием, а поверхность— фосфором). Такие диоды имели спектр излучения с Х акс от 8500 до 5900А при составе 2п зС(1о 7Те и гПдщСс1о58Те наблюдалось излучение в красной области спектра, и квантовый выход при температуре 77° К достигал примерно 6%. При высоких концентрациях теллурида цинка в твердом растворе квантовый выход резко падал и росло электрическое сопротивление диодов. При комнатной температуре эффективность излучения была в 100 раз меньше. [c.42]

По мере взаимодействия алюминия и мышьяка температуру всей системы повышают, сохраняя температурный градиент. При этом происходит загустевание всей массы в результате образования А1Аз. Процесс ведут медленно в течение 50—60 ч. Окончательная температура первого этапа получения арсенида алюминия 1200° С. Полученную массу потом расплавляют в графитовом тигле в высокочастотной печи. Во второй стадии синтеза А1Аз упругость пара мышьяка неизмеримо меньше, так как над соединением летучесть мышьяка ниже, чем над элементом. Продолжительность прямого синтеза арсенида алюминия намного сокращается при применении вибрационного перемешивания. [c.137]

Производят арсенид галлия методами направленной кристаллизации, вытягиванием из расплава по Чохральскому и зонной плавкой. Главным контейнерным материалом при получении и очистке GaAs служит плавленый кварц. Применяются также стеклоуглерод и нитрид алюминия. [c.138]

Фосфид алюминия. Соединения типа А Р изучены меньше, чем арсениды и антимониды. Это вызвано трудностью их синтеза и получения совершенных монокристаллов. [c.143]

Б результате сложной переработки сырья получают технический продукт, чаще всего двуокись германия, загрязненную в основном мышьяком, железом, алюминием, кремнием. В целях очистки ее растворяют в соляной кислоте, переводя таким образом в тетрахлорид — кипящую при 83° жидкость, которую удобно очищать дистилляцией. Труднее всего отделить мышьяк, так как заметные количества треххлористого мышьяка из-за высокой упругости паров отгоняются вместе с СеСи. Удовлетворительные результаты получают при дистилляции в присутствии хлора он способствует переходу трихлорида мышьяка в нелетучую мышьяковую кислоту. Другой способ очистки от мышьяка — дистилляция через колонку с чистой медной стружкой, на которой мышьяк выделяется в виде налета арсенида меди содержание мышьяка снижается до 10 %. Комбинируя оба способа, можно снизить концентрацию мышьяка еще на один порядок. Эффективен также простой способ экстракционного разделения хлоридов этих элементов хлорид мышьяка хорошо растворяется в насыщенной хлором соляной кислоте особой чистоты, а хлорид германия не растворяется. Тяжелый тетрахлорид германия вытекает из нижней части колонки, а загрязненная мышьяком соляная кислота выводится из верхней. Полученный после двух- трехкратной экстракции материал пригоден для зонной очистки после перевода в элементарный германий. [c.177]