Карбид период решетки

Алмазные плёнки с преимущественной ориентацией микрокристаллитов, которые называют ориентированными или текстурированными , были получены на монокристаллических подложках из кремния, никеля, кобальта, 51С, кубического ВН, иридия и платины (см. [59]), однако гетероэпитаксиальные монокристаллические алмазные плёнки с диаметром более 1 мм не были получены вплоть до последнего времени. Прорыв в этой области наметился в последние годы благодаря развитию технологии гетероэпитаксиального роста алмаза на монокристаллической плёнке иридия, гетероэпитаксиально осаждённого на подложку из MgO (100) [61-64] или сапфира [65-66]. Монокристаллические 1г и Рс1 являются одними из наиболее перспективных материалов, которые рассматриваются как подложки для гетероэпитаксиального роста монокристаллических алмазных плёнок. Действительно, они имеют близкое значение периода кристаллографической решётки (а = 0,3839 нм и а = 0,389 нм, соответственно), что соответствует менее чем 9% рассогласованию с решёткой алмаза а = 0,3567 нм). Кроме того, оба вещества не образуют карбидов и достаточно слабо растворяют углерод. Получены гетероэпитаксиальные плёнки размером до 5 мм. [c.283]

Работы Я. С. Умаис1<ого по карбидам ванадия, ниобия и др. полностью подтверди ш правильность наших установок- о возможности широких колебаний в подобных веществах состава в пределах структурно однородной фазы, с изменением периода решётки, высказанных в работах автора 1936 г. и подтверждённых выполненными в нашей лаборатории работами А. А. Брегера и В. Л. Эпельбаума по нитридам титана и ванадия (1937—1940). [c.581]

Карбид тантала ТаС тип Со/о растворяет тантал до состава Та . С, причём период решётки уменьшается от 4,445 до 4,39. При большем содержании тантала возникает новая фаза aTajG, в которой атомы металла образуют плотную гексагональную упаковку. Помимо этой формы(аТаоС) предполагается образование второй, возможно, также гексагональной формы Та С,достаточно надёжно не охарактеризованной. [c.582]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология