Кремния моноокись, травление

Моноокись кремния. В течение некоторого времени не было известно никаких приемлемых травителей для SiO. По-видимому, этот травитель должен содержать какое-то количество HF для того, чтобы обеспечивать растворение двуокиси кремния. Однако выяснилось, что одна только фтористоводородная кислота не обеспечивает однородности травления пленок SiO, и в этом случае остаются островки и образуются края линий совершенно неправильной формы. Наиболее подходящий травитель был разработан Хансом [108]. Он состоит из 10—12 молей водного раствора NH4F с NH4OH или какой-либо другой щелочью, добавляемой для того, чтобы получить pH, равную приблизительно 9. Если этот раствор использовать при температуре 80—90° С, то скорость травления составит примерно 5000 А мин-1. При использовании такого метода в сочетании с обычными негативными фоторезистами получают пленки с чистой поверхностью, края линий резкие и ровные, без следов подтравливания. [c.609]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология