Кремний моноокись

Керметы на основе системы моноокись кремния — хром обладают хорошими адгезионными свойствами, однородностью, стабильностью, высокой температуро-устойчивостью и хорошими механическими свойствами. Сопротивление пленки в широких пределах может варьироваться в зависимости от состава смеси. Наилучшие данные получены при 70% хрома и 30% моноокиси кремния. Для предотвращения агломерации к смеси обычно добавляют 0,5% коллоидного раствора окиси кремния. Испарение смеси производится с вольфрамовой спирали при температуре 1 300—1 600° С на подложку, нагретую до 200—250° С. После напыления пленки ее нагревают в контролируемой среде при температуре 400—450°С для стабилизации параметров. [c.50]

В качестве диэлектриков для пленочных конденсаторов чаще всего используется моноокись кремния. Пленки 8Ю имеют высокое пробивное напряжение (до 10 в см), что превышает пробивное напряжение для слюды. На свойства пленок моноокиси кремния сильно влияют условия осаждения. Так, например, плотность пленок, полученных при сравнительно высоких скоростях осаждения (25—30 к сек), превышает плотность чистой моноокиси кремния, а электронографический анализ таких пленок показывает наличие в них твердого раствора кремния. [c.52]

Предполагают, что промежуточным продуктом этой реакции является моноокись кремния. [c.32]

Получена также моноокись кремния 510 в виде темного смолоподобного аморфного продукта путем возгонки смеси ЗЮг и 5 в вакууме при 1250— 1300° С( 5 0 устойчива только в виде газа при высоких температурах при 400— 700 С она диспропорционирует на 8Ю>2 и 81. [c.97]

Образовавшиеся продукты могут взаимодействовать между собой, подвергаться термической диссоциации. Карбидизацию проводят без строгой изоляции от доступа воздуха. Поэтому конечный продукт имеет сложный состав он представляет собой, по сути дела, твердый раствор углерода, азота и кислорода в цирконии — 2г (С, М, О). Кремний удаляется в виде моноокиси, которая легко сублимируется при 1880° С давление ее пара 760 мм рт. ст. Моноокись кремния, легкоокисляющаяся кислородом при комнатной температуре, при выходе из зоны реакции сгорает, образуя ЗЮд. [c.445]

Моноокись кремния 510 получается при взаимодействии элементарного кремния с двуокисью кремния в вакууме при 1350—1450° С. [c.585]

Темно-зеленый краситель моноокись кремния где х и у [c.157]

Моноокись кремния-хрома. . [c.47]

Другим важным преимуществом этого метода является свобода выбора изолирующего материала. При обычном вакуумном напылении криотронов с использованием механических масок в качестве изолирующего материала применяется моноокись кремния. Применение моноокиси кремния объясняется тем, что она относительно легко наносится путем термического испарения в вакууме, не взаимодействует с подавляющим большинством материалов и, кроме того, процесс ее напыления может быть легко механизирован. Однако моноокись кремния отнюдь не является идеальным изолятором. При ее нанесении не удается полностью избежать образования пор и отверстий в очень тонких изолирующих слоях. Зти отверстия в изоляционном слое вызывают закорачивание лежащих по обе стороны от него сверхпроводящих слоев. Кроме того, возникающие при термо-циклировании внутренние напряжения в изоляционных слоях приводят к шелушению и расслоению тонкопленочной структуры. В связи с этим пытались заменить моноокись кремния органическими полимерными пленками, в которых оба вида повреждений отсутствуют. Однако специфической особенностью полимерных пленок является их способность растекаться и проникать под края механических масок. Кроме того, избыток паров органической жидкости загрязняет другие материалы, предназначенные для испарения, а также механические маски устройства, находящиеся в рабочем объеме вакуумной камеры. [c.59]

В отличие от технологии изготовления танталовых конденсаторов, когда требуется разгерметизация рабочего объема вакуумной установки, метод плазменного анодирования позволяет проводить весь технологический процесс получения тонкопленочных конденсаторов без разгерметизации рабочего объема вакуумной установки. Этим обеспечивается высокая чистота полученных иленок, поскольку до минимума снижается опасность их загрязнения и упрощается процесс изготовления конденсаторов. Конденсаторы с диэлектриком из окиси алюминия обладают лучшими электрическими свойствами по сравнению с конденсаторами, использующими в качестве диэлектрика моноокись кремния, поскольку последняя имеет относительно высокий тангенс угла диэлектрических потерь, низкую электрическую прочность и не совсем однородный состав. Кроме того, в отличие от алюминиевых конденсаторов с электролитическим анодированием алюминиевые конденсаторы с плазменным анодированием неполярны. [c.67]

Образование скоплен )й напыляемого вещества на масках, толщина которых сравнима с размерами самых малых отверстий, приводит к уменьшению точности последовательно напыленных пленочных рисунков. Поэтому такие скопления периодически необходимо удалять. Во избежание механических повреждений масок лучше всего это делать химическими способами. Для большинства металлов имеются избирательные травители, которые не взаимодействуют с материалом маски. Однако некоторые инертные материалы, такие как моноокись кремния или полимерные пленки растворяются только в очень агрессивных, широко применяемых реактивах, В таких случаях очистку масок можно обеспечить, предварительно создав покрытие из легко раствори.мого вещества, например, напыление пленки какого-нибудь металла. Образовавшиеся при последующих операциях напыления скопления инертных материалов можно затем удалить, воздействуя на подслой предварительно нанесенного вешества до тех пор, пока слой инертного материала не будет иметь сцепления с маской. Способы удаления скоплений с помощью парообразных химических реагентов были предложены ранее [12]. [c.564]

Причина потемнения кварцевого стекла [564] заключается в том, что в результате реакции натрия с окисью кремния образуются кремний и его моноокись, спектр поглощения которых аналогичен спектру поглощения кварцевого стекла, обработанного парами щелочных металлов. [c.232]

При плохой смачиваемости применяют испарители в виде конической проволочной спирали. Из таких испарителей наносят моноокись кремния (температура испарения 1008° С), серебро, хром. В первом случае применяют не вольфрамовую, а танталовую спираль. [c.53]

При получении многослойных покрытий большое значение имеет выбор химически инертного диэлектрика, который выполняет роль межслойной изоляции. В качестве такого материала чаще всего используется моноокись кремния SiO, однако при продолжительном отжиге нанесенного многослойного покрытия SiO вступает в реакцию с тонкой металлической пленкой. Моноокись кремния можно заменить фтористыми соединениями (фтористый магний, фтористый кальций). [c.168]

Кремний образует с кислородом два окисла моноокись 510 и двуокись кремния 5102. В табл. 9.3 даются значения констант равновесия некоторых реакций образования этих окислов. [c.411]

Моноокись кремния образуется и устойчива только при высоких температурах, при которых она обладает значительным давлением паров. Взаимодействие кремния с его двуокисью играет значительную роль. Благодаря этой реакции удается очистить поверхность твердого или жидкого кремния от поверхностных пленок двуокиси, присутствие которых препятствует выращиванию монокристаллов, или монокристаллических структурно со- [c.411]

Кроме кремневого ангидрида или кремнезема, для кремния известно второе, более бедное кислородом соединение — моноокись кремния (SiO), получаемая восстановлением кремнезема углем при высоких температурах (1500°). [c.297]

Моноокись кремния применяется в красочной промышленности и как абразивный материал. Было предложено также применять моноокись кремния в качестве тепло- и электроизоляционного материала. [c.298]

Эти пленки получают преимущественно гидролизом растворов или пиролизом соответствующих соединений при 300—600° С, а также окислением тонких слоев металлов. В последние годы получает распространение создание окисных пленок катодным распылением металла с последующим окислением последнего [316— 318]. Для изготовления пленок применяют окислы олова, индия, кадмия, титана, молибдена, вольфрама, ванадия, моноокись кремния с примесью золота или серебра. [c.145]

При низких парциальных давлениях воды в токе инертного газа на поверхности кремния образуется летучая моноокись, которая увлекается газовым потоком. При этом контролирующая стадия — диффузия травителя. [c.277]

Кристаллизация по дальнодействующему механизму была осуществлена через аморфные граничные слои самого различного состава пластики , углерод, селен, моноокись и двуокись кремния и др. Из этого следует, что возникновение в твердых граничных слоях индуцированной внутренней поляризации, отражающей электрический микрорельеф поверхности твердых тел, представляет собой весьма общее явление. Такая индуцированная поляризация замораживается , как показали проведенные эксперименты, настолько устойчиво, что граничные слои превращаются в своеобразные электрические копии поверхности кристаллов, которые сохраняют память даже будучи отделенными от матрицы. [c.259]

Кремниевая подложка 5 предварительно тщательно шлифуется и травится до получения ровной блестящей поверхности. Для удаления остаточного слоя окиси кремниевые подложки обрабатываются осушенным водородом при температуре около 1 300° С. При этом кремний взаимодействует с двуокисью кремния, в результате чего образуется моноокись кремния, которая возгоняется и конденсируется на стенках кварцевой трубы. После этого температуру в реакционной камере снижают и начинают пропускать водород через тетрахлорид. Скоростью роста пленки можно управлять, изменяя температуру реакции,скорость потока, состав смеси 51Си Из и время осаждения. [c.29]

Кремния моноокись S10 получают возгонкой смоси SiOa и Si в вакууме при 1250—1300° в виде темного смолоподобного аморфного продукта. Накаливанием этой смеси выше 1800° удалось получить кристаллич. моноокись — кубич. кристаллы, а = 5,16 А, плотн. 2,13. Твердая S10 находится в мета-стабильном ( замороженном ) состоянии термодинамически SiO устойчива только в виде газа при высоких темп-рах. При 400—700° диспропорционирует на Si и SiOj. При обычных темп-рах SiO в сплошной массе устойчива к действию кислорода, особенно благодаря образованию предохраняющей пленки кремнезема. В последнее время оспаривается существование моноокиси в кристаллич. состоянии. [c.410]

Пленки кремния были получены разложением четыреххлористого кремния в нейтральной и восстановительной среде и термическим разложением метилхлорсилаиа пленки карбида кремния — из метилхлорсилаиа, порошки моноокиси и двуокиси кремния — окислением четыреххлористого кремния, а моноокись кремния— восстановлением и термическим разложением тонкодисперсной двуокиси кремния. [c.228]

Моноокись кремния. В течение некоторого времени не было известно никаких приемлемых травителей для SiO. По-видимому, этот травитель должен содержать какое-то количество HF для того, чтобы обеспечивать растворение двуокиси кремния. Однако выяснилось, что одна только фтористоводородная кислота не обеспечивает однородности травления пленок SiO, и в этом случае остаются островки и образуются края линий совершенно неправильной формы. Наиболее подходящий травитель был разработан Хансом [108]. Он состоит из 10—12 молей водного раствора NH4F с NH4OH или какой-либо другой щелочью, добавляемой для того, чтобы получить pH, равную приблизительно 9. Если этот раствор использовать при температуре 80—90° С, то скорость травления составит примерно 5000 А мин-1. При использовании такого метода в сочетании с обычными негативными фоторезистами получают пленки с чистой поверхностью, края линий резкие и ровные, без следов подтравливания. [c.609]

Германохлороформ быстро гидролизуется в водных или щелочных растворах, давая моноокись германия [71]. Таким образом германий восстанавливается до двухвалентного состояния . Эверест изучил щелочной гидролиз хлороформа. При этой реакции образуется окись углерода и формиат. Автор пришел к заключению, что в обоих случаях реакция протекает через промежуточный ион M ir Оказалось, что гидролиз трихлорсилана представляет собой исключение вместо моноокиси кремния образуется силикат. [c.197]

КРЕМНИЯ ОКИСЛЫ — соединения кремния с кислородом, из к-рых устойчивым является двуокись, или кромнезе.м SiOj получена также неустойчивая моноокись SiO и есть указания на существование полуторной окиси SijOg. [c.410]

В качестве изоляции управляющего электрода в ТПТ чаще всего используются моноокись кремния и фтористый кальций, а также А Оз, В2О3, окись циркония и др. [c.71]

Главным недостатко.м метода выращивания монокристаллов кремния из кварцевых тиглей является то, что расплав кремния довольно ишенсивно растворяет кварц по реакции ЗЮг-Ь -[- ->2510. Моноокись растворяется в расплавленном кремнии, и таким образом кислород вводится в расплав. Парциальное давление паров моноокиси достигает при температуре плавления кремния десятков мм рт. ст., и поэтому часть ее улетучивается со свободной поверхности расплава и оседает на холодных частях установки Другая же часть кислорода захватывается растущим кристаллом, с некоторым характерным коэффициентом распределения (Л о = 0,5). При плавке в вакууме количество испаряющейся из расплава моноокиси увеличивается, а соответственно уменьшается захват кислорода кристаллом. [c.426]

Образование моноокиси кремния как промежуточного продукта реакции восстановления наблюдается при силикотермиче-ском восстановлении окиси магния, окиси кальция и хромовой руды. Обладая при температурах восстановления большой упругостью паров, моноокись кремния частично испаряется, чем можно объяснить образование дымовых налетов при силикотер-мическом получении феррохрома и ферромолибдена, а также заметную летучесть SIO2 при высоких температурах в восстановительной среде [253, 2541. [c.297]

Плотность моноокиси кремния определена равной 2,13 г/см Г256]. При нагреве до 1700° моноокись кремния возгоняется, а при более высоких температурах — диссоциирует. [c.297]

Прозрачные пленки из токопроводящей двуокиси олова применяют в качестве нагревательных элементов в различной химической аппаратуре (ректификационные колонки, фарфоровые котлы и ванны), в виде теплоотражающих покрытий, фильтров или экранов в гелиотехнике, как электроды гальванических ванн с целью осаждения особо чистых слоев металлов или в виде прозрачных электродов в электроконденсаторных устройствах [49—52]. Прозрачные полупроводниковые слои применяют также в электролю-минесцентных панелях, служащих для освещения контрольно-из-мерительных установок, и в транспортных сигнальных устройствах. Полупроводниковые пленки используют для снятия электрических статических зарядов со стеклянных стенок различных приборов и для выравнивания градиента напряжения изоляторов. В качестве пленкообразующего материала токопроводящих пленок, помимо частично восстановленной двуокиси олова, используют и такие соединения, как окислы кадмия, индия, цинка, вольфрама, молибдена, ванадия, моноокись кремния с добавками серебра или золота, сульфиды кадмия и меди, селениды и фосфиды меди [53—55]. [c.8]

Фурукава с сотр. 40] нашли также, что диэтилкадмий (наряду с алкильными соединениями алюминия, цинка или лития) в смеси с окисью алюминия (или окисью кремния, смешанной с окисью алюминия) —прекрасные катализаторы полимеризации окисей алкиленов (окись этилена, пропилена, моноокись бутадиена). [c.165]

В главах VH—X дается обзор работ по изучению испарения как самих окислов, так и более летучих продуктов низшей валентности, получаемых, в частности, нагреванием окислов в восстановительных условиях. Моноокись кремния SiO, получаемая, например, по реакции Si02+Si=2Si0, является наиболее характерным летучим окислом кремния. Глава VII посвящена преимущественно свойствам этого соединения. В остальных указанных главах рассмотрены выполненные за последние годы работы по изучению испарения окислов элементов II—VI групп Периодической системы. Исследование испарения окислов — один из наиболее интенсивно разрабатываемых разделов высокотемпературной химии. Проникновение техники в область очень высоких температур требует знания не только условий перехода твердого или жидкого окисла в газообразную фазу, но и знания строения, свойств и устойчивости газообразных окислов. [c.4]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология