Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Криотроны тонкопленочные, напыленная

    Другим важным преимуществом этого метода является свобода выбора изолирующего материала. При обычном вакуумном напылении криотронов с использованием механических масок в качестве изолирующего материала применяется моноокись кремния. Применение моноокиси кремния объясняется тем, что она относительно легко наносится путем термического испарения в вакууме, не взаимодействует с подавляющим большинством материалов и, кроме того, процесс ее напыления может быть легко механизирован. Однако моноокись кремния отнюдь не является идеальным изолятором. При ее нанесении не удается полностью избежать образования пор и отверстий в очень тонких изолирующих слоях. Зти отверстия в изоляционном слое вызывают закорачивание лежащих по обе стороны от него сверхпроводящих слоев. Кроме того, возникающие при термо-циклировании внутренние напряжения в изоляционных слоях приводят к шелушению и расслоению тонкопленочной структуры. В связи с этим пытались заменить моноокись кремния органическими полимерными пленками, в которых оба вида повреждений отсутствуют. Однако специфической особенностью полимерных пленок является их способность растекаться и проникать под края механических масок. Кроме того, избыток паров органической жидкости загрязняет другие материалы, предназначенные для испарения, а также механические маски устройства, находящиеся в рабочем объеме вакуумной камеры. [c.59]



Технология тонких пленок Часть 1 (1977) -- [ c.0 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте