Фокусирующие столкновения при ионном

Объяснить ионное распыление на основе теории радиационных разрушений впервые попытался Кейвелл [26]. Моделирование процессов столкновения на ЭВМ первыми ввели Гибсон с сотрудниками [27]. Картины осадка (системы напыленных пятен, характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов), наблюдавшиеся при ионном распылении монокристаллов, интерпретировались как прямое доказательство фокусировки при столкновениях в цепочке атомов. Однако отчетливые картины осадка были получены даже для кристаллических решеток, в ко торых невозможна фокусировка при столкновениях (Се, 51), или в гексагональной плотно упакованной решетке в направлениях, построенных из зигзагов. Подобные картины были получены даже для энергий ионов при которых в цепочке столкновений не могло участвовать более двух или трех атомов решетки. Все эти факты ускорили пересмотр представлений касающихся механизма ионного распыления. Гаррисон с сотрудниками [28] а также Леманн и Зигмунд [29] пришли к выводу, что в ионное распыление фокусирующие цепочки вносят очень малый вклад Ионное распыление является в основном результатом столкновений, происходящих вблизи по верхности, и картину осадка можно объяснить, рассматривая столкновения только в трех приповерхностных атомных слоях. Гаррисон считает, что со временные вычислительные машины не обладают необходимыми емкосты памяти и быстродействием, чтобы полностью смоделировать процесс ион ного распыления. В настоящее время наиболее исчерпывающее теоретическое исследование процесса ионного распыления провел Зигмунд [ЗО]. [c.359]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология