Поверхностный слой атомные

Важнейшей отличительной особенностью дисперсных систем или коллоидного состояния вещества, является большая площадь поверхности раздела фаз. В поверхностном слое вещество обладает существенными свойствами, не похожими на свойства вещества в большом его объеме и в атомном или молекулярном состояниях. Большая поверхность раздела фаз вызывает сильное взаимодействие частиц дисперсной фазы с дисперсионной средой, которое приводит к тому, что частицы дисперсной фазы окружаются молекулами и ионами дисперсионной среды (растворителя) или же приобретают довольно [c.417]

Мультиплетная теория гетерогенного катализа, разработанная (1929) A.A. Баландиным, исходит из принципа структурного соответствия между расположением атомов в поверхности катализатора и в реагирующей молекуле, а также энергетического соответствия связей. Теория рассматривает, таким образом, не просто взаимодействие молекулы в целом с поверхностью катализатора, а взаимодействие отдельных атомов или атомных групп, содержащихся в молекулах реагирующих веществ, с атомами или ионами поверхностного слоя катализатора. [c.497]

Применение. Бор применяют как добавку к сплавам, увеличивающую нх жаропрочность и износостойкость, бор вводят также в поверхностный слой изделий (борирование). Поскольку ядро атома бора имеет высокое сечение захвата нейтронов, бор используют для защиты от нейтронов и в регулирующих устройстаах атомных реакторов (применяют борсодержащую сталь). [c.349]

Более серьезное замечание было сделано Бударом [265] при обсуждении вопроса о постоянстве теплоты растворения газов в металлах. Основываясь на том, что теплота растворения водорода в металле не уменьшается с увеличением концентрации водорода. Будар сделал заключение, что аналогичная закономерность может иметь место и в случае поверхности. Теплота растворения водорода в (3-титане [269] при концентрациях, меньших 10 атомн. %, имеет постоянное значение, равное 27,83 ккал/моль, а повышении концентрации до 30 атомн. % она медленно растет, достигая лишь 28,3 ккал/моль. Это увеличение теплоты растворения обусловлено расширением решетки. В данном примере имеет также место обмен с электронами проводимости металла. Поэтому, если при растворении не происходит изменения теплоты процесса с увеличением концентрации, то можно ожидать, что оно не будет наблюдаться и при обмене электронами между хемосорбированными атомами и поверхностным слоем электронов. [c.145]

Природа явления будет выяснена только при исследовании точно контролируемых поверхностей, для которых можно установить истинное значение таких факторов, как ориентация кристалла, природа адсорбированных и перестроенных поверхностных слоев, атомная и ионная подвижность в адсорбированных слоях, различие состава поверхности и объема плавленых катализаторов, наличие и природа объемных и поверхностных дефектов кристалла, электронное состояние твердого тела и т. п. Пока таким способом можно контролировать далеко не все важные катализаторы, но для некоторых из них контроль возможен, и это дает надежду на дальнейший успех. [c.190]

Атомы наносимого элемента после хемосорбции или химической реакции растворяются и диффундируют в глубь основного металла. Различают два вида диффузии атомную, при которой не образуются новые фазы, а максимальная концентрация внедряемого элемента ограничена его предельной растворимостью в твердом растворе при данной температуре и плавно понижается по мере удаления от поверхности в глубь металла (рис. 78, а), например Сг в Ре, и реактивную, при которой в поверхностном слое возникает одна или несколько новых фаз, отличных от твердого раствора, через которые и идет диффузия, а распределение концентрации внедряемого элемента характеризуется наличием скачков концентраций на границах фаз (рис. 78, б), например А1 или 81 в Ре. [c.119]

Полная энергия любого кристалла кварца (или его обломка) представляет сумму внутренней энергии, необходимой для образования атомной решетки, и поверхностной энергии, затрачиваемой на удержание частиц поверхностного слоя в равновесии. При смачивании зерен среды водой выделяется избыток свободной энергии, необходимой для создания поверхностного слоя на границе кварц—вода. Так если 111 — полная энергия кристалла кварца с площадью поверхности 5, а — полная энергия второй фазы (воды), то полная энергия всей системы и = и] + и2 + о5. [c.208]

Спектрометрия рассеяния ионов низких энергий (рассеяния медленных ионов, РМИ) занимает особое место среди методов анализа поверхности, поскольку рассеяние происходит исключительно на первом атомном слое поверхности образца. Так происходит потому, что ионы благородных газов низких энергий, проникая в твердое тело, нейтрализуются (вследствие их высокого потенциала ионизации) при неупругих электронных взаимодействиях. Таким образом, можно зарегистрировать только те ионы, которые претерпевают упругие столкновения непосредственно на поверхности твердого тела. РМИ является единственным методом, чувствительным к верхнему монослою, независимо от того, какие атомы находятся в глубине образца. Монослойной чувствительности в других методах можно достичь только в том случае, если поверхностный слой отличается по составу от нижележащих слоев (например, пленка адсорбированных молекул на металлической поверхности). [c.354]

В ненагруженном твердом теле л =Ло, что соответствует равновесному межатомному расстоянию в объеме, и л =Хо, что соответствует равновесному межатомному расстоянию в поверхностном слое по нормали. Следовательно, левый минимум (рис. 11.7) соответствует равновесному положению частиц в объеме вдали от трещины правый — равновесному положению частиц на свободных поверхностях трещины. Максимум на потенциальной кривой возникает вследствие того, что на процесс разрыва связей влияют ближайшие соседи, находящиеся в следующих атомных слоях. Их взаимодействие с атомами, выходящими после разрыва связей на поверхность микротрещины, характеризуется межатомным расстоянием х, причем у вершины трещины это расстояние максимально. В разгруженном материале вероятность нахождения частиц в левом максимуме кривой потенциальной энергии больше, чем в правом. Если нет осложняющих обстоятельств (коррозионных процессов и поверхностно-активной среды, проникшей в устье микро-трещины), то микротрещина после разгрузки будет смыкаться. [c.296]

Мультиплетная теория. Б основе этой теории лежит принцип структурного соответствия между расположением атомов на активных участках поверхности катализатора и строением молекул реагирующего вещества. Она рассматривает, таким образом, не просто адсорбционное взаимодействие молекул в целом с поверхностью катализатора, а взаимодействие отдельных атомов или атомных групп в молекуле реагирующего вещества (так называемых индексных групп) с определенными геометрически правильными группировками атомов или ионов поверхностного слоя катализатора. Иными словами, активными центрами па поверхности катализатора являются отдельные участки (так называемые мультиплеты) кристаллической решетки катализатора, имеющие правильную геометрическую конфигурацию, которая зависит от строения всей кристаллической решетки катализатора, Адсорбированная молекула садится на такой мультиплет так, что разные ее индексные группы связываются с разными атомами мультиплета. При этом происходит деформация связей адсорбированной молекулы. Величина подобной [c.164]

В результате получается информация об элементном составе поверхностного слоя (1 —10 атомных слоев под поверхностным монослоем), количестве адсорбированных на поверхности частиц и их природе. [c.409]

При термическом разложении в процессе обжига большую роль играет окисление связующего кислородом, присутствующим в газовой среде. В результате реагирования с ни.м в молекулярной структуре связующего образуются атомные группы, содержащие кислород. Эти группы особенно легко вступают в реакции, приводящие к уплотнению молекулярной структуры связующего. Вследствие этого она упрочняется, выход летучих веществ уменьшается. Кроме того, связующее становится менее подвижным, его вязкость увеличивается. Так как окисление идет преимущественно в поверхностном слое заготовки, то описанные изменения связующего нарушают ее однородность. [c.157]

Водородный электрод представляет собой платиновую пластинку, покрытую тонким слоем рыхлой пористой платины (для увеличения поверхности электрода) и опущенную в водный раствор серной кислоты (с активностью ионов Н, равный единице) (рис. 121). Через раствор серной кислоты пропускают водород под атмосферным давлением. Часть поглощенного платиной водорода переходит в атомное состояние, поэтому в поверхностном слое пластины [c.241]

Здесь о, Оц а- — поверхностные натяжения сплава, первого и второго компонента соответственно щ — число молей чистого компонента на единице поверхности у—коэффициент смешения, равный отношению атомных объемов первого и второго компонентов д и N — атомная доля первого компонента соответственно в поверхностном слое и объеме R — газовая постоянная Т— абсолютная температура 5 — парциальная молярная поверхность раствора. На этом основании можно полагать, что системы Аи—5 и Аи — Ое близки к идеальным с небольшим положительным отклонением от идеальности. [c.7]

Анализ захватывает поверхностный слой от 1 до 3 нм. Чувствительность 0,1 % для элементов с атомным номером > 1 [c.151]

Другая особенность коллоидных систем состоит в том, что благодаря очень малому размеру частиц такие свойства, как вязкость системы и скорость осаждения частиц, зависят от поверхностных явлений. Поверхностные явления происходят за счет того, что молекулы в поверхностном слое электростатически не уравновешены, т. е. на одной стороне поверхностного слоя молекулы заряжены одинаково, а на другой — по-разному, в то время как внутри фазы любая молекула окружена себе подобной. Поэтому на поверхности возникает электростатический заряд, амплитуда и знак которого зависят от координации атомов по обе стороны границы раздела. Некоторые вещества, и особенно глинистые минералы, обладают необычно высоким поверхностным потенциалом благодаря характерной атомной структуре. [c.132]

Из фотоэлектронных спектров (рис. 32.2) получают важную информацию, касающуюся энергий связи атомных орбиталей, энергий процессов встряхивания и стряхивания, энергии валентных электронов, распределения неспаренных электронов, спиновых состояний, идентификации структурных факторов, неоднородностей поверхностного слоя образца и области, прилегающей к этому слою. [c.140]

Для решения задач материаловедения необходим анализ поверхностных слоев с толщинами от долей одного атомного слоя до нескольких микрометров (последнюю задачу часто называют анализом тонких пленок ). [c.311]

Так как для аналитических целей важны только электроны, не претерпевшие каких-либо энергетических потерь, аналитический сигнал формируется электронами, выходящими из очень тонких поверхностных слоев. Глубина выхода (без потерь) фотоэлектронов определяется их средней длиной свободного пробега. Эта величина находится в пределах от 0,5 до 10 нм и зависит от кинетической энергии электронов. Обычно глубина выхода в РФЭС составляет величину порядка 1 нм (приблизительно 5 атомных слоев). Средняя длина свободного пробега является статистической величиной, обозначающей расстояние, проходимое электронами в твердом теле, до момента потери энергии 1/е ( 35%) частью электронов в результате столкновения с атомами вещества. [c.317]

Конструкция прибора такая же, как у РФЭС-спектрометров. Ультрафиолетовые фотоэлектронные спектры поверхностей чистых металлов содержат информацию об электронной структуре (плотности состояний) валентной зоны. Следует помнить, что такие спектры дают смешанную информацию о поверхностных и объемных состояниях, поскольку фотоэлектроны вылетают из нескольких атомных поверхностных слоев. Поверхностные состояния исследуются более четко, когда проводят измерения под малыми углами, т. е. при уменьшенной глубине отбора аналитической информации. [c.320]

Диссоциативная адсорбция происходит с большей скоростью на структурных дефектах, например ступенях, чем на гладких гранях. Адсорбированные атомы кислорода типа I обладают очень высокой 1>еакционной способностью по отношению к молекулам СО и На и способны превращаться в абсорбированные атомы кислорода типа II. Реакционная способность атомов кислорода типа II, находящихся в двумерном поверхностном слое оксида, значительно ниже, чем атомов кислорода типа I. При повышенных температурах наблюдается переход атомного состояния кислорода типа П в трехмерный оксид толщиной в несколько атомных слоев. Атомы кислорода оксида также значительно менее активны в отношении СО и На, чем атомы кислорода типа I. [c.701]

Структурная электронография обеспечивает полное определение атомного строения кристаллов или получение дополнительны.ч данных по ранее исследованным структурам. Во многих случаях она используется как дополнительный метод к рентгеноструктурному анализу. Но вместе с тем, являясь эффективным дифракционным методом изучения поверхностных слоев твердых тел, электронография представляет самостоятельный интерес для исследователей, изучающих процессы растворения минералов, взаимодействия поверхностей с реагентами, напрнмер при флотации. [c.204]

В работах Темкина с сотр. [48] развита модель поверхностного электронного газа. В модели принимается, что при адсорбции Л частиц в поверхностный слой металла переходит от них 7)7 электронов. Таким образом, г] соответствует эффективному заряду адсорбированной частицы в атомных единицах. Заряд, [c.127]

Рассмотрим теперь некоторые общие факторы, влияющие на величину тока оже-электронов. Возьмем образец, состоящий только из атомов А, расположенных в последовательности атомных слоев 1, 2,. .., г, где 1 — поверхностный слой, t-й слой содержит Nia атомов (в данной ситуации Nia не зависит от i). Ток JiA оже-электронов -го слоя равен. [c.416]

Важный шаг на нути к прямому наблюдению поверхностного слоя был сделан Мюллером, который в 1936 г. изобрел электронный проектор [42]. Этот прибор впервые позволил приблизиться к идеалу, подразумевающему возможность детального рассмотрения поверхности в масштабе, близком к области атомных размеров, и следить за быстрыми изменениями в поверхностном слое. Но наиболее важно то, что прибор дает непосредственную информацию о чистоте металлических поверхностей. Электронный проектор уже достаточно подробно описан в одном из выпусков настоящего издания [43]. Здесь же основной задачей является установление сравнительной перспективности различных методов определения поверхностной кинетики. Поэтому рассмотрим только избранные темы , которые относятся непосредственно к наблюдениям адсорбции и к определению свойств адсорбированных слоев. [c.163]

Несмотря на то что с помощью кривых заряжения иногда можно отличить различные валентные состояния тонкой поверхностной пленки окисла на серебряных электродах или в анодных процессах на палладии, родии или никеле в водных средах, для адекватного описания поверхностного слоя на электродах обычно требуются дополнительные исследования. Другая сторона этого вопроса - как отличить адсорбированные частицы, образующиеся на поверхности электрода в электродном процессе, от новой фазы на поверхности - обычно продукта окисления металла. По-видимому, между ними нельзя провести резкой термодинамической границы, но можно предполо жить, что образование "новой фазы" происходит с того момента, когда свободная энергия образования нового атомного слоя начинает незначительно отличаться от свободной энергии осаждения предыдущего слоя. Этим критерием можно пользоваться только после того, как образовались два или три первоначальных слоя. Более того, новая поверхностная фаза должна иметь рентгенограмму, характерную для определенного химического материала. В дополнение к электро- [c.399]

До настоящего времени при рассмотрении гетерогенных систем мы принимали (безоговорочно или с определенными пояснениями), что две контактирующие фазы являются гомогенными вплоть до геометрической поверхности раздела. Очевидно, это не соответствует действительности. Атомы, находящиеся вблизи этой поверхности, имеют другое окружение, чем в объеме, поэтому поверхностный слой и остальная масса фазы характеризуются разными значениями плотности и энергии. Физическая поверхность раздела имеет объем. Однако ее толпщна составляет самое большее несколько атомных слоев, т.е. порядка нанометра. [c.316]

Анодный сдвиг потенциала в поверхностном слое металла и пассивность последнего могут быть обусловлены активированной адсорбцией (хемосорбцией) пассивирующих частиц, в первую очередь пассивирующих анионов, в особенности однозарядного атомного иона кислорода 0 (анион радикала ОН, образующегося из НаО или ОН при анодной поляризации). Адсорбция ионов кислорода уменьшает свободную энергикэ поверхностных ионов металла за счет вытеснения эквивалентного количества свободных поверхностных электронов металла, т. е. создает пассива-ционный барьер. Поскольку поверхностный электронный газ вырожден, вытесняются электроны, находящиеся на самых высоких электронных уровнях, и при этом снижается поверхностный уровень Ферми металла. Изменение свободной энергии поверхности при полном ее покрытии адсорбированным монослоем составляет 3,8-10 эрг на один электрон, что соответствует 2,37 эВ, или 54,6 ккал/г-экв. [c.311]

Формула де Бройля (III.4а) показывает, что условию коротких волн (III.1) удовлетворяют как медленные электроны с энергиями порядка нескольких электронвольт, так и быстрые электроны, энергия которых составляет сотни и миллионы электрон-вольт. Метод дифракции медленных электронов позволяет иссде— довать структуру нескольких атомных слоев на поверхности твердого тела. Быстрые электроны используются в обычной электронографии для изучения тонких пленок и поверхностных слоев, в 100 А и более. [c.73]

Мультиплетная теория, предложенная А. А. Баландиным, исходит из принципа структурного (или геометрического) соответствия между расположением атомов на активных участках поверхности катализатора и строением молекул реагирующего вещества. Таким образом, теория рассматривает не просто взаимодействие молекул в целом с поверхностью катализатора, а взаимодействие отдельных ато-люв или атомных групп в молекуле реагирующего вещества (так называемых индексных групп) с определенными геометрически правиль-нылш группировками атомов или ионов поверхностного слоя катализатора. Согласно этой теории активными центрами на поверхности катализатора являются мультиплеты, Мультиплеты — это небольшие, [c.276]

Если кусок металла претерпел неоднородную, дилатацию только в местах скоплений дислокаций, то с достаточной точностью можно считать, что в области влияния подповерхностного скопления тонкий слой расширенной решетки, непосредственно примыкающий к поверхности, акцептирует электроны из френкелевского двойного слоя, создавая на поверхности избыток положительного заряда. Порядок толщины этого тонкого поверхностного слоя, взаимодействующего с внешними электронами, логично оценить величиной половины расстояния между плоскостью поверхностных атомов и лежащей под ней следующей атомной плоскостью, поскольку в таких масштабах расширение решетки на расстояниях 10 й от ядра дислокации можно считать равномерным, а выбранная таким образом нижняя граница слоя может считаться нейтральным сечением, от которого происходит расширение в обе стороны и ниже которого недостаток электронов восполняется за счет всего объема металла, а выше — за счет внешних электронов. [c.99]

При атомной неоднородности по классификации Эрлиха и Турпбула различаются участки внутри заданного поверхностного слоя, которые изменяются в зависимости от особенностей кристаллографической решетки участки на гранях частично [c.13]

При Г. р. с участием одного или неск. твердых реагентов часто образуются твердофазные продукты. Такие р-ции, как правило, локализованы на пов-сти раздела фаз или в поверхностном слое и обычно протекают нестационарно. Они характеризуются периодом индукции, в течение к-рого возникают зародыши (ядра) новой фазы. Их образование связано с перестройкой атомной структуры твердого реагента и требует затраты энергии. Поэтому такие Г. р. чувствительны ко всем нарушениям структуры, облегчающим образование зародышей, и м.б. активированы термич., радиац., мех. и др. воздействиями, увеличивающими концентрацию дефектов, в первую очередь плотность дислокаций (см. Дефекты в кристаллах). Кинетич. ур-ние р-ции в этом случае отражает изменение во времени не только концентраций реагирующих в-в, но и пов-сти раздела твердых фаз реагента и продукта по мере роста зародышей пов-сть раздела увеличивается и скорость р-ции сначала возрастает, затем проходит через максимум и снижается вследствие соприкосновения растущих зародышей и образования сплошного слоя твердого продукта (подробнее см. Топохи-мические реакции). [c.537]

Поверхностно-активные вещества - зто, как правило, органические соединения, молекулы которых содержат атомные группы, сильно различающиеся по силе взаимодействия с растворителем, например с водой. Так, в молекулах ПАВ имеются лиофильные и лиофобные (обычно гидрофильные и гидрофобные) группы. Слабое взаимодействие с водой гидрофобных групп вызывает стремление молекулы перейти из водной среды в углеводородную. ги фофиЛьные группы, наоборот, удерживают молекулу в водной среде. Таким образом поверхностная активность молекулы обусловливается гидрофобными радикалами, а растворимость в воде - гидрофильными группами. Ионные ПАВ диссоциируЕот в воде на ионы, один иа которых обладают адсорбционной (поверхностной) активностью, поэтому они накапливаются в поверхностном слое, другие (противоионы) не обладают ею, поэтому они уходят в раствор. [c.15]

Сочетание сигналов вторичных электронов, дающих изображение топограг фии поверхности, и сигналов отраженных электронов, дающих картину распределения среднего атомного номера, с качественным и количественным рентгеновским анализом делают ЭЗМА важнейшим методом анализа твердых тел. Он стал рутинным для решения любых типов задач и анализа любых типов материалов (идентификация частиц в металлах, фаз в геологических объектах, пылевых токсичных частиц, асбестовых волокон). Главным ограничением метода является размер аналитического объема—обычно 1-3 мкм диметром и глубиной, что мешает проводить количественный рентгеновский анализ нанофаз, хотя их можно увидеть, используя сигналы вторичных или отраженных электронов. Можно детектировать поверхностные слои толщиной не менее нескольких нанометров, но провести селективный анализ в этом случае не представляется возможным, и очевидно, что необходимо использовать другие методы — аналитическую электронную микроскопию и электронную оже-спектроскопию для микроанализа с высоким разрешением по глубине (единицы нанометров). [c.335]

Что касается второй подсистемы - водного окружения, то она состоит из множества малых молекул, склонных, однако, в силу своей природы к образованию сильных водородных связей и электростатическим взаимодействиям. Ни одно свойство жидкой воды не может быть описано на основе предположения о полностью хаотичном движении отдельных молекул. Эксперименты, в частности инфракрасные спектры, вообще не обнаруживают в жидкой воде при комнатной температуре свободных молекул воды. Дж. Бернал еще в 1932 г. в рентгеноструктурном исследовании воды в ее жидкой фазе впервые наблюдал зародышевые формы кристаллов, а годом позже вместе с Р. Флаулером выдвинул гипотезу о существовании в воде трех типов структур, непрерывно переходящих друг в друга [44]. Тщательный статистический анализ данных о многих свойствах воды, предпринятый Г. Немети и Г. Шерагой в 1962 г., привел авторов к заключению о присутствии в воде при нормальных условиях значительных количеств ассоциатов с одной, двумя, тремя и четырьмя межмолекулярными водородными связями [45], Специфика взаимодействия воды с природной аминокислотной последовательностью, обусловливающая возможность последней к структурированию, определяется не абсолютно независимым хаотическим, тепловым движением молекул воды, а движением сложной многофазно структурированной воды, а также сильным поверхностным натяжением (большой избыточной энергией поверхностного слоя) и высокой избирательностью взаимодействий воды в контактном слое с разными по своей природе атомными группами белка. Итак, выбранная модель белкового свертывания, включающая две тесно взаимодействующие между собой подсистемы, не может быть отнесена к классическим термодинамическим макроскопическим системам. [c.94]

ОО локализована вблизи оси луча. При прохождении через резист электронный пучок в результате РМУ расширяется, так что на границе резист — подложка экспонируется площадь большая, чем в поверхностном слое резиста. Эта площадь определяется длиной пути электрона в резисте и подложке. Хотя максимальное рассеяние энергии в единице объема из-за 00 гораздо меньше, объемный их вклад сравним. Доля РМУ и 00 в экспозиции резиста зависит от энергии излучения, толщины слоя и атомного номера элемента, входящего в состав вещества подложки. При повышении энергии излучения уменьшается потеря энергии на единицу длины пути, а при увеличении толщины слоя возрастает кумулятивный эффект столкновений электронов РМУ. Площадь, экспонируемая на границе резист — подложка, увеличивается с ростом толщины слоя. Адекватное экспонирование требует, чтобы пробег электронов в полимерном слое превышал его толщину с тем, чтобы обеспечить экспонирование резиста вблизи границы резнст — подложка. С возрастанием атомного номера элементов, образующих вещество подложки, увеличивается доля электронов 00 и уменьшается длина пробега электронов в подложке, в результате чего электроны 00 концентрируются вблизи оси луча. [c.220]

Важно отметить, что поверхностные слои белковых глобул имеют очень высокую микровязкость, которая создается высокоорганизованной атомно-молекулярной структурой акттных центров, когда полипептидные цепи белка фиксированы настолько жестко, что затрудняют и поступательное, и вращательное движение связанных молекул, или отдельных фрагментов молекул. [c.727]

Отрицательное значение изменения поверхностного потенциала в процессе адсорбции кислорода на серебре при малых заполнениях поверхности свидетельствует о том, что в процессе хемосорбции осуществляется перенос зарядов с атомов серебра на адсорбированный кислород и поверхность заряжается отрицательно [53]. Этот вывод подтверждается работами по изучению изменения работы выхода электрона при адсорбции кислорода на серебре. Большинство исследователей считает, что адсорбция кислорода на серебре сопровождается диссоциацией его на атомные ионы (атомарная адсорбция) [54, 55]. В то же время в области больших заполнений поверхности имеет место и недиссоциативная (молекулярная) адсорбция [56]. Однако взаимодействие кислорода с серебром не ограничивается одной адсорбцией. В поверхностных слоях серебра, происходит растворение кислорода в металле [52], причем растворенный кислород, в свою очередь, оказывает влияние на дальнейшую адсорбцию кислорода из газовой фазы [57]. [c.35]

Наряду с описанными выше методами ДМЭ и РФЭС к современным методам исследования принадлежат метод дифракции отраженных электронов высокой энергии (ДОЭВЭ) и оже-спектроскопия. Оже-электроны, обнаруживаемые в спектре вторичных электронов, возникают в результате внутреннего фотоэффекта — освобождения электрона из энергетически более высоко лежащей оболочки после безызлучательного электронного перехода в том же атоме, возбужденном полученной энергией. Энергия оже-электронов характеризует данный элемент. Из наружных участков твердого тела эмитируются электроны только первых двух или трех атомных слоев. Состав поверхностного слоя твердого тела и виды связи на его поверхности определяют, как и для описанных в разд. 3.3,7 спектров РФЭС, по положению пика в энергетическом спектре, изменению этого положения (химическому сдвигу) и по плрщади пика. [c.42]

Черепанов А. М.,ТресвятскийС. Г., Высокоогне упорные материалы и изделия из окислов, 2 изд.. М., 1964 К а й-н а р с к и й И..С., Процессы технологии огнеупоров. М., 1969 Омическая технология керамики и огнеупор . М., 1972 К а й-нарский И. С., Дегтярева Э. В., Орлова И. Г., Корундовые огнеупоры и керамика. М., 1981. А. С. Власов. ОЖЕ-СПЕКТРОСКОПИЯ электронная, метод изучения хим. состава поверхностных слоев твердых тел, основанный на эмиссии Оже-электронов. При облучении атомов исследуемого в-ва первичными электронами, ионами или рентгеновским излучением с энергией Еа происходит возбуждение электрона одной из внутр. оболочек X (напр., К-оболочки) атома энергия связи этого электрона Ех < Ео. На образовавшуюся вакансию переходит электрон с энергией связи Ey из более удаленной от ядра оболочки У (напр., J -оболоч-ки). Избыток энергии (Ях —Er) может привести к эмиссии т. н. Оже-электрона одной из внеш. ободочек (с энергией связи Ew Ех — Er). Вероятность эмиссии Оже-элект-ронов уменьшается при увеличении Еа и атомного номера определяемого элемента Z. Если 3 < Z 14, для хим. анализа использ. переходы типа KLL, а при 14 < Z 33 — типа LMM. [c.397]

Можно ожидать, что поверхностный атом, имея меньшее число соседей, чем объемный, должен связываться менее прочно, и это подтверждают данные температурной зависимости рефлексов ДМЭ и мёссбауэровские спектры высокодисперсных металлов. Для граней (100), (110) и (111) металлов с г. ц. к. и о. ц. к. структурами (N1, Р(1, Pt, Ag, Си, 1г, РЬ, ДУ, Мо, Сг, ЫЬ) отношение дебаевских температур поверхностных и объемных атомов составляет 0,4—0,85 [1, 2], а среднеквадратичные амплитуды колебаний, перпендикулярных поверхности, в 1,2—2,5 раза больше амплитуд колебаний объемных атомов. Из-за ангармоничности атомных колебаний увеличение их амплитуды приводит к растяжению поверхностных слоев в направлении, перпендикулярном поверхности. Степень растяжения, однако, относительно мала не превышает 5% [3], а более вероятно 1—2% [4]. В то же время для грани (110) алюминия (непереходного металла), по-видимому, наблюдается сжатие поверхностных слоев, достигающее 10—15% [5]. Причина такого поведения алюминия неизвестна. Для трех металлов — золота, платины и иридия — методом ДМЭ обнаружена перестройка поверхностных слоев, стабильная нри комнатной температуре и соответствующая, по-видимому, отсутствию на поверхности примесей [6, 7]. После очистки ионной бомбардировкой и отжига грани (100) этих металлов дают картины ДМЭ, которые можно объяснить перестройкой самого внешнего слоя металлических атомов. На грани (100) Р1 наблюдаются дифракционные картины от двух структур внешнего слоя—(1X2) и (1x5), а на гранях (100) Ли и 1г — от одной структуры (1x5). Структура (1X5), несомненно, возникает от совмещения решетки грани (100) подложки и решетки внешнего слоя, представляющей собой несколько сжатую структуру С (1x2). Обе структуры наблю- [c.110]

Каталитическая активность молекулярных кристаллов мала, так как молекулы, образующие кристаллы, полностью насыщены и неспособны к взаимодействию с адсорбированными молекулами. Поверхностный слой атомов в кристаллах с атомной рещеткой очень реакционноспособен, но быстро насыщается, реагируя с попадающими на его поверхность молекулами, связываясь с ними слишком прочными связями, поэтому также яе является катализатором. [c.99]

Каталитическая активность, приписываемая поверхностным слоям каталитического агента, может быть вызвана присутствием свободных электронов, ионов и электронных изомеров. Но бывают случаи в катализе, подобные гидрогенизации, когда главный процесс — ионизация водорода — сочетается со способностью водорода проникать внутрь кристаллической решетки металла или окиси металла. Предполагают, например, что водород, адсорбированный на платине или аналогичных металлах, превращается в атомное состояние и одновременно ионизируется, а атомный водород вступает в реакцию с гид-рогенизуемыми молекулами [48]. [c.80]

Удобным объектом для таких исследований служат сплавы системы 1п—Си, наличие у которых широкой области а-фазы позволяет применить правило Вегарда. Согласно последнему период кристаллической решетки твёрдого раствора металлов линейно зависит от состава раствора. Так, используя ультрамягкое рентгеновское излучение, авторы работы [51] установили плавное изменение химического состава поверхностного слоя сплава Си302п после анодной поляризации. Толщина измененного слоя составляла - 100 атомных слоев. Условия эксперимента отвечали ранней стадии СР, цинка из а-латуни, предшествующей одновременному раство рению компонентов. Следовательно, объемно-диффузионные процессы развиваются в, а-латуни уже на этапе начального СР. [c.43]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология