Транзистор плоскостной

В 1953 г. Брэдли , Тили и Уильямс описали конструкцию и электрохимический метод изготовления германиевого высокочастотного транзистора, так называемого поверхностно-барьерного триода. Это был первый транзистор плоскостного типа, который мог работать [c.154]

Транзистор — это наиболее распространенный в микроэлектронике. прибор с р— -переходом. В основе его работы лежит рассмотренная выше инжекция носителей. Плоскостные транзисторы могут быть р— —р- и —р— -типов. В качестве примера рассмотрим транзистор п—р— -типа. Он состоит из монокристалла германия или другого полупроводника, имеющего узкую центральную область р-типа, ограниченную с обеих сторон материалом -типа [17]. Напряжение подводится к трем металлическим электродам так, что один —р-переход (эмиттер) смещен в прямом направлении, в то время как другой переход (коллектор) смещен в обратном направлении. Область, разделяющая эмиттер и коллектор, называется базой (рис. 190). [c.462]

У приборов, разработанных до 1964 г., выпуск которых продолжается, условные обозначения состоят из двух или трех элементов. Первый элемент — буква Д—для диодов, П — для плоских транзисторов второй элемент показывает область применения приборов плоскостные германиевые диоды — 301—400, плоскостные кремниевые— 201—300, мощные германиевые низкочастотные транзисторы — 201—300, мощные кремниевые низкочастотные транзисторы — 301—400 и стабилитроны — 801— 900. [c.57]

Полупроводниковыми материалами для изготовления транзисторов служат кремний и германий. Плоскостной транзистор содержит тонкую пластинку из кремния или германия с проводимостью типа п, в которой с двух сторон путем введения акцепторной примеси создаются области с проводимостью р. [c.27]

Автор измерял увеличение тока анодного растворения германия Дг в зависимости от тока инъекции дырок 1р. По аналогии с плоскостным сплавным транзистором коэффициент усиления по току [c.71]

Частотные свойства плоскостных транзисторов характеризуются предельной частотой усиления по току /а и максимальной частотой генерирования /ген. [c.156]

Л/7Г — плоскостной полевой транзистор У усилитель — входной сигнал О— [c.104]

Здесь будет изложена идея простейшего устройства этого типа, так называемого плоскостного транзистора. Основой усилителя являются монокристаллы германия. Введением примеси во время выращивания кристалла или на основе диффузии в готовый образец, в нем создается прослойка /7-0е между двумя слоями /г-Ое (рис. ХХП1.9). [c.522]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология