Эмиттер

К сожалению, сравнение теории и эксперимента затрудняется не только несовершенством обоих подходов. Структура кластеров, изученных масс-спектрометрически, не известна, Кроме того, как указывают сами авторы работ [363, 373], она может отличаться от равновесной структуры свободных кластеров в вакууме, так как эти кластеры образуются на поверхности эмиттера и подвержены его влиянию. [c.136]

В газоразрядных лампах используется излучение положительного столба низкого давления или непосредственно, или путем последующего возбуждения флуоресценции ультрафиолетовым излучением (люминесцентные лампы). В натриевых и ртутных лампах в качестве источника света используется дуга с горячим катодом, которая зажигается в парах указанных элементов. Величина давления в лампе определяется ее рабочей температурой, поэтому вакуумный объем, в котором происходит разряд, термически изолируют, заключая лампу в еще один вакуумированный стеклянный баллон. Лампы работают на переменном токе, и поэтому каждый электрод снабжен термоэлектронным эмиттером электронов в виде слоя оксида. Зажигание и разогрев лампы происходят под воздействием высоковольтных импульсов, вырабатываемых при размыкании индуктивной цепи или при введении дополнительного газа (неона). [c.94]

В 1970-е годы был разработан новый тип низкоэнергетического (0,15-0,3 МэВ) ускорителя электронов с линейным катодом [18]. Отличительная особенность этих ускорителей заключается в большой силе тока пучка. Основной частью ускорителя является электронная пушка, размещенная вдоль оси цилиндрической вакуумной камеры. Катодом служит длинная непрерывно нагреваемая проволока или лента из вольфрама. Применяют также катоды прямого накала с напаянным на ленту эмиттером из гексаборида лантана. Катод окружен оболочкой, покрытой решеткой, на которую подается высокое напряжение от генератора, анодом служит вакуумное окно из тонкой металлической фольги. Ширина электронного пучка в этом ускорителе имеет большую величину (до 200 см), равную длине катода. Для облучения более широких изделий выпускают установки с двумя и более ускорительными трубками. Параллельное размещение нескольких катодов позволяет значительно расширить зону электронного пучка. [c.104]

Фотоумножитель представляет собой прибор, состоящий из фотоэлемента, между катодом и анодом которого расположены вторичные эмиттеры электронов (диноды), обеспечивающие внутреннее усиление фототока в 10 —10 раз. Для дополнительного усиления фототока применяют усилители постоянного и переменного тока. Однако более точные результаты измерений можно получить компенсационным методом, т. е. сравнением двух фототоков от одного и того же или от разных ФЭУ. [c.79]

Такие частицы могут участвовать в разного рода гомогенных химических реакциях, диффундировать к электроду-эмиттеру, подвергаться на нем катодному восстановлению или анодному окислению, что отражается на значении измеряемого фототока, которое складывается из трех составляющих [c.218]

На рис. 153 показан принцип действия полупроводникового усилителя — транзистора полупроводникового триода). Он состоит из трех частей — двух р-проводников — эмиттера и коллектора, между которым находится очень узкая область с л-проводимостью — база. При отсутствии тока в цепи эмиттер — база ток в цепи коллектор — база не идет, так как работа р-п-перехода база-коллектор соответствует рис. 152 , 8. Пропускание тока в цепи эмиттер—база забрасывает в базу носители тока, в результате цепь коллектора становится проводящей. Током малой мощности в цепи эмиттер—база можно управлять током большой мощности в цепи коллектор-база. [c.276]

Альфа-частицы испускаются в основном тяжелыми атомами за исключением единственного примера — Ве, который распадается с периодом полураспада 10 сек на 2 атома гелия. При этом даже изотоп Sm считается необычно легким альфа-эмиттером. Оказалось, что все встречающиеся в природе атомы с массовым числом,большим чем у неустойчивы и им свойственен альфа-распад. Вероятно, что атомы с массовыми числами в интервале 190—208 также энергетически неустойчивы и подвергаются альфа-распаду, но период их полураспада слишком велик, чтобы процесс был замечен. [c.394]

При изготовлении ра зличных типов интегральных схем используется одна и та же базовая технология, заключающаяся в последовательном многократном выполнении операций окисления, диффузии, травления, фотолитографических процессов. В последнее время широкое распространение получила так называемая планарная технология, отличительной особенностью которой является то, что все активные и пассивные элементы структуры формируются в приповерхностном слое с одной стороны пластины, а р—/ переходы областей эмиттер — база и база — коллектор выходят на одну плоскость и защищены слоем окисла. Это обеспечивает повышенную надежность прибора, поскольку р — -переходы изолированы от влияния внешней среды. Варианты планарной технологии отличаются способами изоляции активных элементов (диодов, транзисторов, резисторов) друг от друга. Электрическая изоляция может быть осуществлена обратно смещенным р — л-переходом или диэлектрической пленкой двуокиси кремния. Иногда используют комбинированный способ изоляции. [c.97]

Точно так же, как и в атомном спектре определённые переходы осуществляются, а другие — запрещены, мОжно говорить о разрешенных и запрещенных переходах при бета-распаде. Вместо того чтобы говорить о действительном запрете, более точно было бы сказать, что переходы между одними ядерными уровнями более вероятны, чем между другими. Более вероятные переходы называют разрешенными переходами, а менее вероятные — в большей или меньшей степени запрещенными. Наиболее ярким показателем существования этой степени запрещенности является период полураспада бета-эмиттера. Период полураспада для [c.404]

В ранних исследованиях результатов бомбардировки различных газов альфа-частицами из природных альфа-эмиттеров, таких, как было отмечено, что когда в качестве бомбардируемого [c.413]

Фотоумножители. В настоящее время обычно используется другой тип вакуумных фотоэлектрических приемников — фотоумножители. В них совмещены вакуумный фотоэлемент и усилитель, действие которого основано на вторичной электронной эмиссии. Первичные электроны, освобожденные из катода под воздействием света, ускоряются электрическим полем и попадают на металлическую пластинку — эмиттер (рис. 119, а). За счет своей кинетической энергии они вырывают с поверхности эмиттера вторичные электроны. При этом каж- [c.188]

Л —анод К —фотокатод Э, —— эмиттеры [c.189]

Для атомов щелочных металлов характерна малая работа выхода электрона, поэтому они используются в электронике как эмиттеры электронов для фотоэлементов, фотоумножителей и преобразователей световых сигналов в электрические (работа выхода ф, = 1,81 эВ для цезия, что соответствует кванту лучистой энергии видимой части света). [c.291]

Для щелочно-земельных металлов характерны низкие значения работы выхода электронов, особенно для бария (ф, = 2,11 эВ), поэтому они употребляются как эмиттеры в электронной вакуумной аппаратуре. [c.299]

Рассмотрим влияние химически адсорбированного кислорода и паров воды на полупроводниковые свойства германия. Окисленная поверхность германия, содержащая оксид и гидроксид, проницаема для водных паров. На поверхности раздела между германием и оксидным слоем молекулы воды отдают электроны германию и образуют ионы Н, а гидроксильные группы связываются с поверхностными атомами германия. Процесс образования ионов Н резко возрастает при большой концентрации дырок вблизи поверхности. При этом энергетические уровни непосредственно пол поверхностью полупроводника настолько искажаются, что, например, приповерхностные участки базовой области германиевого триода от эмиттера до коллектора могут превращаться в материал л-типа, и базовый слой окажется за-шунтированным.-Очевидно, окончательные этапы изготовления прибора должны проходить в сухом воздухе и р—л-переходы должны быть герметизированы. В оксидном слое у поверхности раздела с полупроводником ионы Н способны перемещаться. В определенных условиях ионы Н захватывают электроны из объема германия, уменьшая тем самым число свободных электронов. При этом изменяются объемный [c.250]

Транзистор — это наиболее распространенный в микроэлектронике. прибор с р— -переходом. В основе его работы лежит рассмотренная выше инжекция носителей. Плоскостные транзисторы могут быть р— —р- и —р— -типов. В качестве примера рассмотрим транзистор п—р— -типа. Он состоит из монокристалла германия или другого полупроводника, имеющего узкую центральную область р-типа, ограниченную с обеих сторон материалом -типа [17]. Напряжение подводится к трем металлическим электродам так, что один —р-переход (эмиттер) смещен в прямом направлении, в то время как другой переход (коллектор) смещен в обратном направлении. Область, разделяющая эмиттер и коллектор, называется базой (рис. 190). [c.462]

Для успешной работы транзистора необходимо, чтобы почти весь эмиттерный ток состоял из электронов, переходящих от эмиттера в базу, так как дырочная составляющая этого тока к коллектору не идет и в усилительном действии триода не участвует. Отношение электронной составляющей эмиттерного тока 1 к полному току эмиттера /, называется эффективностью эмиттера у. Расчет показывает, что [13] [c.463]

На пути от эмиттера к коллектору часть электронов рекомбинирует с дырками базовой области. Поэтому ток коллектора / меньше электронной составляющ,ей тока эмиттера. Отношение IJ/n называется коэффициентом переноса р. Можно показать [13], что [c.464]

Вольфрам — самый тугоплавкий металл. Из него изготовляют мощные эмиттеры для вакуумной техники, добавки к вольфраму тория или лантана резко снижают работу выхода электронов. [c.356]

Для создания электронных пучков используют специальные электронные пушки с катодами в виде проволочной петли из вольфрама или сплава вольфрама с рением [14]. Плотность тока термоэлектронной эмиссии достигает 5 А/см2. В. игольчатых катодах к вершине петли прикрепляют иглу с радиусом кривизны менее 1 мкм, с поверхности которой в полях напряженностью 10 -10 В/см в результате электронной эмиссии плотность тока возрастает до 10 Л/рм2. В технологических установ1 ах с интенсивными (сильноточными) электронными потоками находят применение плазменные эмиттеры на основе тлеющих и дуговых разрядов [15]. В этих эмиттерах площадь и форма эмиссионной границы определяется свойствами плазмы и условиями токоотбо- [c.102]

ГДО (г) — концентрация р-излучателей -го типа, предшествонников эмиттеров запаздывающих нейтронов — постоянная распада нейтронного эмиттера -го типа Ж—общее число групп запаздывающих нейтронов. В стационарном состоянии каждый эмиттер, который распадается, должен в среднем замещаться эмиттером того же типа, образующимся нри делении, т. е. [c.416]

Исследование плоских полевых эмиттеров на основе композитных покрытий, содержащих ОСНТ, показали, что они характеризуются Еср=1,2-3 В/мкм при токе 100 цА/см2. Для покрытий из КСНТ Еср=2-4 В/мкм при токе 100 iA/ m2. [c.24]

Углеродные нанотрубы благодаря своему малому диаметру и большому отношению длины к диаметру перспективны для создания низковольтных автоэлектронных эмиттеров. Начиная с 1994 года во всем мире интенсивно проводятся исследования автоэмиссионных характеристик углеродных слоев с нанотрубами, приведшие к созданию первых вакуумных приборов с такими автоэмиттерами плоских вакуумных дисплеев, источников света и др. В докладе анализируются основные направления таких исследований. [c.28]

Электротехника, радиотехника и электроника. Редкоземельные металлы находят применение как газопоглотители (геттеры) в вакуумной технике и как эмиттеры. Их соединения весьма перспективны для изготовления катодов в электронных приборах. Используются также в счетно-решающих машинах, телевизионной и авиационной технике и радиотехнике. Особенно перспективны в этом отношении бориды и гексабориды РЗЭ [12]. Марганцевые соединения РЗЭ типа МпЬпОд — хорошие сегнетоэлектрики. Окись неодима применяется в электронных приборах в качестве диэлектрика с малым коэффициентом линейного расширения. Хороший диэлектрик СеОа в смеси с ТЮа- Смесь СеОа со 5гО используется в радиокерамических материалах. Широкое применение нашли соединения РЗЭ как активаторы или как основа для люминофоров в люминесцентных лампах и ртутных лампах высокого давления [19]. Составная часть люминофоров, применяющихся в лампах для освещения,— диспрозий [20]. [c.88]

По наличию или отсутствию пространственного разделения зон генерации и детектирования электроаналитические методы обнаружения и исследования промежуточных продуктов, обладающих электрохимической активностью, также можно разбить на две группы. В первой из них для обеих целей используется один и тот же рабочий электрод, потенциал которого тем или иным способом достаточно быстро меняется во времени от значений, необходимых для синтеза промежуточных частиц, до значений, при которых их можно обнаружить путем анодного окисления или катодного восстановления. В методах второй группы наряду с рабочим электродом, служащим для осуществления изучаемого процесса, используют один или несколько индикаторных электродов, предназначенных для электроаналитического определения промежуточных и конечных продуктов реакции на рабочем электроде. Доставка соответствующих частиц от рабочего к индикаторному электроду обычно (хотя и не во всех случаях) осуществляется посредством конвективной диффузии. К первой группе принадлежат методы коммутаторной и циклической вольтамперметрии, хронопотенциометрии с реверсом тока, ко второй — метод вращающегося дискового электрода с кольцом и его аналоги. Промежуточное положение занимает фотоэмиссионный метод. В этом случае единственный рабочий электрод выполняет две функции эмиттера электронов и индикаторного электрода. Исследуемые частицы генерируются в приэлектродном слое раствора и достав- [c.197]

В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, которые позволяют формировать в нем разнородные области п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), являющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т. п. формированне стеклообразных пленок на основе 810а, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным этапом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного и акцепторного типов, при П0М01ДИ которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы. [c.96]

Подготовка приборов к работе. Включают приборы Л2-7 и ГКЗ-40 в сеть, прогревают в течение 30 мин. Подключают выходной кабель от гнезда выход ВЧ прибора ГКЗ-40 к гнезду генератор прибора Л2-7. Подключают кабели питания прибора Л2-7 с гравировкой А и В к одноименным гнездам прибора ГКЗ-40. Оргаггы управления прибора ГКЗ-40 устанавливают в следующие исходные гюложения общая база —общий эмиттер —в среднее положение, 6/ц —и22 —в положение и22, < прп —рпр —в среднее положение, 7 —обе в крайнее левое положение, 1 (тА) —в положение 30. [c.136]

В электротехнике используют фториды церия и др. для изготовления электродов дуговых ламп и прожекторов в целях увеличения яркости и постоянства свечения. Об использовании гексаборида лантана LaBe в качестве термоэлектронного эмиттера упоминалось в гл. XI, 3. Весьма интересно, что гексабориды лантана, гадолиния и лютеция (имеют 5й( -электрон в атоме) имеют наименьшую работу выхода электронов — соответственно 2,66 2,06 и 3,00 эв. У гексаборидов других лантаноидов работа выхода выше. Например, у ТЬВ и ЕиВе она равна 3,53 и 4,9 эв соответственно. [c.329]

Поскольку п—р-переход эмиттер—база смещен в прямом направлении (энергетический барьер понижен на еУ ), из эмиттера в базовую область течет заметный электронный ток электроны эмиттируются (инжектируются) в базу — отсюда и название. [c.462]

Работающий по такой схеме транзистор во многих отношениях подобен вакуумному триоду, причем эмиттер играет роль катода, база — роль сетки, а коллектор работает как анод. Однако транзистор, несмотря на то, что он состоит из трех основных частей, работает скорее не как триод, а как пентод с очень большим импедансом коллектора (анода), что позволяет снимать бол ьшие напряжения. [c.463]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология