Транзистор

Особое место среди электропроводящих материалов занимают так называемые полупроводники. При низких температурах они характеризуются очень низкой электрической проводимостью, близкой к таковой диэлектриков — типичных представителей изоляторов. С повышением температуры их электрическая проводимость сильно (по экспоненциальной зависимости) повыщается, приближаясь к таковой металлов — типичных представителей проводников электрического тока. Кроме того, электрическая проводимость полупроводников сильно зависит от внешнего воздействия (давления, освещенности, наличия электрического и магнитного полей и т. п.), а также от содержания примесей и дефектов в кристаллах. Возможность в широких пределах управлять электрической проводимостью полупроводников изменением температуры, введением примесей, механическим воздействием, действием света, а также электрического и магнитного полей положена в основу их разнообразного применения. Их используют при изготовлении всевозможных диодов, транзисторов, тиристоров, фото- и термоэлектронных приборов, в качестве лазерных материалов и т. д. (см. разд. 1.22). [c.261]

Если холинэстераза иммобилизована с помощью ковалентного связывания, то срок службы биосенсора возрастает Так, датчик, состоящий из рН-электрода с иммобилизованной на поверхности ацетилхолинэсте-разой (путем сшивки глутаровым альдегидом с альбумином), функционирует без изменения характеристик достаточно длительное время. С его помощью определяли паратион и севин на уровне 10 - 10моль/л Продолжигельность анализа 30 мин. Содержание паратиона и севина контролировали по относительному снижению отклика сенсора после внесения в ячейку аликвоты пробы. Заметим, что величина измеиения pH зависит не только от активности фермента, но и от буферной емкости раствора. Поскольку увеличение кислотности происходит лишь на мембране, а в объеме раствора pH остается практически постоянным, обычно применяют высокие (до 0,1 моль/л) концентрации субстрата и ячейки большого (100 мл и выше) объема. Кроме глутарового альдегида для иммобилизации холинэстеразы используют сополимеры акрил- и метакриламида, желатин. В последнем случае стеклянный шарик рН-электрода погружают в 5-10%-й раствор желатина, содержащий фермент, затем высушивают и обрабатывают водным раствором глутарового альдегида. Аналогичные мембраны используют и в датчиках на основе рН-чув-ствительных полевых транзисторов (911. [c.294]

Полупроводники. Полупроводниками называются вещества, которые по своей электрической проводимости занимают промежуточное место между металлами и изоляторами они применяются в различных отраслях техники в качестве выпрямителей, транзисторов, термоэлементов, фотоэлементов и др. В 40—50-х годах было получено большое число полупроводников, обладающих весьма ценным сочетанием свойств. Одновременно изучались их свойства и закономерности внутреннего строения, что составило новый важный раздел современной физики. [c.145]

Германий используют в качестве полупроводника в таких электронных приборах, как кристаллические выпрямители (диоды) и усилители (триоды, или транзисторы). Кристаллы германия применяют также для изготовления термисторов (измерителей температуры), Б фотоэлементах с запирающим слоем и в термоэлементах. Германиевые полупроводниковые устройства с успехом заменяют электронные вакуумные лампы, отличаясь от них компактностью, надежностью в работе и долговечностью. [c.207]

При исчезновении сигнала от датчика транзистор закрывается, обесточиваются реле РРп- Гаснет лампа Л и отключается реле Р . Остается включенным реле Р и горит лампа Л — Блокировка . Если тумблер в БПР стоит в положении С блокировкой , то останется включенным и соответствующее реле Pj в БПР, пока не снимется сигнал блокировки нажатием кнопки Кн2 1 Снятие блокировки . При этом погаснет лампа Л и отключается реле Р . Аналогично работают и остальные 9 каналов устройства. Режим контроля включает в работу все каналы. работают кнопки Снятие звука , Квитирование , однако на БПР сигнал при этом не поступает. [c.157]

Основным элементом схемы реле РИ-2 является двухкаскадный транзисторный усилитель мощности, работающий в релейном режиме. Сопротивление обмотки базового электромагнитного реле является нагрузкой коллекторной цепи транзистора выходного каскада усилителя. [c.159]

В исходном состоянии, когда искробезопасный вход не замкнут, транзисторы находятся в закрытом состоянии. При замыкании входных клемм (замыкании контакта датчика) транзисторы открываются и обмотка электромагнитного реле Р переключается через открытый транзистор выходного каскада к минусовой шине питания. Реле срабатывает и через свои НО и НЗ контакты выдает командные сигналы на исполнительные [c.159]

Лекция 2. Полупроводниковый стабилитрон и его применение в параметрических стабилизаторах. Транзистор, устройство и принцип действия. [c.255]

Для прекращения подачи топлива при заполнении отстойника водой применяются поплавковые клапаны (пат. 1113621 Великобритания). В нижней части такого отстойника находится поплавок, который всплывает в воде и тонет в топливе. При заполнении отстойника водой поплавок перекрывает подачу топлива. Для возобновления подачи топлива необходимо спустить воду из отстойника, открыв кран в днище фильтра. В некоторых конструкциях водоотделителей предусмотрено автоматическое удаление воды и грязи с помощью крана, управляемого соленоидом (пат. 3419034 США). Ток в обмотку соленоида подается из электронной системы, выполненной на полупроводниках. Датчик системы находится в верхней части отстойника. При увеличении уровня отстоя в цепи датчика, присоединенного к базе первого транзистора, возникает ток, который усиливается и подается на обмотку соленоида. Система оборудована реле времени, задерживающим отключение на 1...2 с после того, как основной отстой слит. [c.142]

Кремний как полупроводник применяется в многочисленных полупроводниковых приборах термосопротивлениях (термисторах), выпрямителях, транзисторах, детекторах, термометрах сопротивления для самых низких температур, модуляторах света и т. д. в таких областях, как радиоэлектроника, телемеханика, фотоэлементы, счетно-решающие и управляющие устройства. [c.9]

Перспективно применение сдвоенных, систем эффективного анода (протектора из металла,. имеющего более отрицательны электродный потенциал, чем металл трубопровода), подключаемого к трубопроводу через диод, и эффективного катода, потенциал которого имеет более положительное значение, чем металл сооружения, подключаемого к трубопроводу через транзистор обратной проводимости (рис. 52, б). Эффективный катод системы ограничивает отрицательный потенциал трубопровода от глубокой поляризации блуждающими токами в период катодного импульса. Ограничение осуществляется включением в базу транзистора управляющего электрода из определенного сплава, установленного в активатор. Такой электрод имеет постоянный потенциал (табл. 29) относительно окружающего грунта. [c.175]

Современные материалы иа основе ЛЦУ и их практическое применение. Ориентированные пленки для микроэлектроники. ЛЦУ транзистор. Командные поверхности. Упрочняющие и антифрикционные покрытия. Высокоэффективные биосовместимые покрытия. ЛЦУ нити - шовный материал для хирургии, сверхвысокопрочные волокна, волокнистые адсорбенты. [c.19]

Примесные полупроводники р-типа (рис. А.62, е). Внесение примесных атомов, способных быть акцепторами электронов, приводит к тому, что примесные энергетические термы находятся несколько выше валентной зоны О. Вследствие переноса электронов из валентной зоны на уровни атомов-акцепторов в валентной зоне становится возможной дырочная проводимость . (Комбинации германиевых и кремниевых полупроводников с р- и л-проводимостью применяются в транзисторах.) [c.143]

Транзисторы (триоды) используются для усиления и генерации незатухающих колебаний. В триоде осуществляется р—п—р-пере-ход. [c.9]

Очень чистый кремний для транзисторов готовится путем превращения химически чистого кремния в четыреххлористый (или четырехбромистый) кремний и восстановления последнего водородом. Напишите соответствующие уравнения реакций. [c.107]

Интегральные микросхемы операционного усилителя. С точки зрения электротехники электрохимические переменные — ток, потенциал, заряды и т. п.— имеют непрерывный (или аналоговый) характер. Экспериментаторов интересуют способы поддержания их на определенном уровне, а также их измерения в аналоговой форме. Наиболее подходящими для этих целей являются специальные интегральные микросхемы, так называемые операционные усилители (ОУ). Эти схемы представляют собой наборы электрических компонентов (транзисторов, емкостей, сопротивлений, диодов и других элементов), сформированных на поверхности и в теле полупроводникового материала (обычно это кремний) и соединенных определенным образом для выполнения предназначенных функций. Изготовленная интегральная микросхема снабжается рядом выводов и запечатывается в специальный корпус. [c.38]

Если вспомнить, что обычно операционный усилитель имеет выходное напряжение (12ч- ИВ) и выходной ток порядка 10 мА, то ясно, что этими параметрами будут ограничены возможности данного потенциостата. Более мощные потенциостаты требуют включения в выходную цепь специальных усилителей. Чаще всего это неинвертирующие усилители (ламповые или на полевых транзисторах) с небольшим [c.47]

Особая роль полупроводников в современной технике определяется возможностью изготовления на их основе выпрямителей и усилителей (транзисторов). При этом используются явления, возникающие на месте контакта металла с полупроводником или контакта между п- и р-полупроводниками. [c.519]

Свойства контакта п- и р-полупроводников используются не только в полупроводниковых выпрямителях, но и в полупроводниковых усилительных лампах, так называемых транзисторах, создание и внедрение которых создало революцию в радиотехнике. [c.522]

Наряду с диодами и транзисторами полупроводниковые материалы имеют самое разнообразное применение в технике (термисторы, фотодиоды, фотосопротивления, преобразователи тепловой и атомной энергии и т. п.). Отсюда видно, какое огромное значение имеют полупроводниковые материалы в современной науке и технике. [c.523]

На рис. 153 показан принцип действия полупроводникового усилителя — транзистора полупроводникового триода). Он состоит из трех частей — двух р-проводников — эмиттера и коллектора, между которым находится очень узкая область с л-проводимостью — база. При отсутствии тока в цепи эмиттер — база ток в цепи коллектор — база не идет, так как работа р-п-перехода база-коллектор соответствует рис. 152 , 8. Пропускание тока в цепи эмиттер—база забрасывает в базу носители тока, в результате цепь коллектора становится проводящей. Током малой мощности в цепи эмиттер—база можно управлять током большой мощности в цепи коллектор-база. [c.276]

Диоды, триоды, резисторы, транзисторы и т. п. [c.312]

Применение германия. Наличие у германия двух типов проводимости обусловливает его применение в качестве полупроводника в электронике и радиотехнике (транзисторы). [c.192]

Особо чистый кремний применяют для изготовления рабочих элементов полупроводниковых устройств (интегральные схемы ЭВМ, солнечные батареи и др.). Разработана технология изготовления интегральных схем, позволяющая размещать иа 1 см поверхности пластиики, вырезанной из монокристалла кремпнп, десятки тысяч транзисторов и сопротивлений, связанных друг с другом в единую схему. [c.376]

Окиснортутные элементы и батареи фирмы МеИогу (США) для питания полупроводниковых усилителей (транзисторов) [c.878]

Электрический сигнал, снимаемый с анода фотоумножителя, [oжнo непосредственно подавать на осциллограф. При этом соиро-тивление анодной нагрузки подбирается исходя из длины и волнового сопротивления кабеля так, чтобы не было затяжки электрического сигнала. Иногда для согласования высокого выходного сопротивления ФЭУ с низкоомным кабелем используется катодный повторитель, называемый усилителем мощности, который имеет высокое входное сопротивление и пизкоомныи выход. Аналогичные эмиттерные повторители, собранные на транзисторах, хотя и зани-л[ают мало места, но менее предпочтительны из-за высокого коэффициента шумов. Усиление сигнала при помощи вертикального усилителя осциллографа возможно при наличии дифференциального усилителя, позволяющего компенсировать отклонение нулевой линии. [c.185]

При потенциале сооружения, имеющем более отрицательное значение, чем потенциал управляющего электрода, на базу транзистора поступает сигнал положительной полярности, транзистор открывается, и эффективный катод начинает поляризовать сооружение анодно, происходит торможение катодной поляризации защищаемого сооружения, т. е. снижение избыточного катодного потенциала сооружения до уровня потенциала управляющего электрода. При этом эффектавный [c.175]

Магиитотранзисторы. Любой однопереходной транзистор может быть использован в качестве магниточувствительного прибора. Однопереходный транзистор состоит из стержня полупроводника с омическими контактами на концах и р-л-переходом между ними. Под действием внешнего магнитного поля изменяется напряжение включения и остаточное напряжение транзистора [46]. [c.122]

При питании электрической машины от преобразователя частоты шш управляемого выпрямителя, из-за сложных процессов коммутации силовых тиристоров и транзисторов в воздушном зазоре существует характерный спектр гармоник поля. Спектр гармоник зависит от технического состояния электродвигателя, режима работы и отклонений в работе приводимого механизма. Так как мощность двигателя в зтом случае соизмерима с мощностью питающего устройства, то искажение спектра поля в воздушном зазоре щзиведет к появлению на выводе машины соответствующих гармоник напряжения, т. е. высшие гармоники могут из зазора выйти на электрический вывод и исказить напряжение сети. [c.228]

Разработанные к настоящему времени технологии получения высокочистых монокристаллов алмаза с заданными свойствами и алмазных пленок открывают новые перспективы их использования при изготовлении оптических окон для мощных лазеров и оптических приборов, теплоотводов, элементной базы для создания мощньпс транзисторов и различного рода датчиков, в частности, датчиков радиационного излучения. [c.4]

Управляющий электрод тиристора 8 подключен через конденсатор 10 к выходу мультивибратора, собранного на транаисторах II, 12. Первичная низковольтная обмотка бобины 9 соединена с запальной свечой 13.Контакты 1 подключены в цепь базы транзистора б через со-, противление 15.Питание мультивибратора и триггера осуществляется стабилизированным источником питания, собранным на транзисторе 16 и стабилитроне 17. [c.43]

Источник питания с удвоением напряжения, собранный на диодах 18 и ковденоаторах 19, через ограничительное.сопротивление 20 подключен к конденсатору 7.Выход мультивибратора подключен через конден-ОАТОР 21 и диод 22 ко входу триггера на базу транзистора. [c.43]

Фотодиодная матрица представляет собой совокупность ячеек со светочувствительной областью (фотодиодов) и набора транзисторов для управления работой ячеек и усиления их сигналов. Например, матрица типа МИФ-15 состоит из 1024 ячеек размером 0,1 X 0,,1 мм, которые скомпанованы в квадрат 11X11 мм. Спектральная чувствительность фотоэлементов ячеек позволяет регистрировать излучение в области 500— 900 нм. Матрица работает в трех режимах запись (накопление), считывание и стирание накопленной иформадии. Время накопления — до 1 мс, считывания— I мкс, стирания — 2 мкс. Чувствительность различных матриц в области 500—600 нм составляет (1,02,5) 10- Дж или 2-10 фотонов. [c.83]

Точ1Ю так же можно сказать, что человеческая деятельность, которая приводит к столь впечатляющему упорядочению окружающего нас мира-1юлученне мета.члической меди из беспорядочно рассеянной медной руды получение из песка кремниевых транзисторов для радиоприемников получение бумаги, на которой [c.178]

Элементарные кремний и германий представляют собой полупроводниковые материалы, которые в настоящее время очень широко применяются для производства транзисторов, термистеров, фотоэлементов и других деталей радиоэлектроники, радио- и электротехники. Электропроводность кристаллических германия и кремния (и других полупроводников) в значительной степени обусловлена ничтожными примесями атомов других элементов, замещающих атомы германия и кремния в их кристаллических решетках. Появление некоторого числа свободных слабосвязанных электронов или электронных вакансий, так называемых дырок, придает кристаллам полупроводниковых материалов свойство избирательной проводимости отрицательной — электронной — или положительной — дырочной. Электропроводность полупроводников определяется не только природой и концентрацией примесных элементов (которая, вообще говоря, обычно бывает очень мала атома примеси на 10 —10 атомов основного элемента), но и физическими [c.104]

Технические средства (ТС) представляют собой целостные материальные системы, которые функционируют и развиваются в социально-природной окружающей среде. В понятие технические средства обучения (ТСО) включают механические, электрические и электронные устройства, которые использует преподаватель для передачи информации и контроля знаний обучаемых. К ним относят аппаратуру динамической и статической проекции (киноаппаратура, эпи- и диапроекторы) телевизионные системы, видео- и звукозаписывающую аппаратуру аппаратуру программированного обучения и контроля электрифицированные таблицы, стенды, макеты и модели лингафонное оборудование электронно-вычислительные обучающие системы совместно со счетно-решающей техникой и компьютерами электронные и радиотехнические приспособления (приставки) и детали (диоды, транзисторы, резисторы и пр.), предназначенные для совершенствования демонстрационного и ученического эксперимента. Ко всему перечисленному хорошо подходит также понятие педагогическая техника . [c.5]

В последние годы развитие химического эксперимента происходит в направлении не только его соединения с педагогической техникой (проекционной аппаратурой), но и с электроникой в направлении максимального сокращения времени для подготовки демонстрационных и лабораторных опытов (про-цессоризация химического эксперимента) . В этом плане для сборки и конструирования приборов по химии применяются радиотехнические материалы (монтажные провода, пластмассы и пластики, металлы и сплавы) и полупроводниковые детали (диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы). Все это позво- [c.152]

Здесь будет изложена идея простейшего устройства этого типа, так называемого плоскостного транзистора. Основой усилителя являются монокристаллы германия. Введением примеси во время выращивания кристалла или на основе диффузии в готовый образец, в нем создается прослойка /7-0е между двумя слоями /г-Ое (рис. ХХП1.9). [c.522]

Особо чистый кремний применяют для изготовления полупроводниковых устройств (инте1рольные схемы ЭВМ, солнечные батареи и др ). Разработана технология производства интегральных схем, позволяющая размещать на I см поверхности пластинки, вырезанной из монокристалла кремния, десятки тысяч транзисторов и других радиоэлементов. [c.382]

Физика и химия твердого состояния (1978) -- [ c.462 ]

Основы современного электрохимического анализа (2003) -- [ c.0 ]

Основы автоматизации холодильных установок Издание 3 (1987) -- [ c.75 ]

Современные электронные приборы и схемы в физико-химическом исследовании Издание 2 (1971) -- [ c.0 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология