Условия образования поликристаллических осадков

В ранней стадии электрокристаллизации при благоприятных условиях осаждаемые ионы включаются в решетку субстрата (раздел XVI). Влияние субстрата на ориентацию осадка наблюдается только до определенного предела, после которого возникают отклонения от параллельного роста (т. е. от роста, характеризующегося сильным ориентирующим влиянием субстрата [163—168]) это отклонение характеризуется образованием в осадке двойников [164, 167—172], что в конце концов приводит к образованию поликристал-лического осадка с беспорядочным расположением кристаллитов. Как видно из рис. 58, толщина осадка, при которой исчезает ориентирующее влияние субстрата, зависит от ряда факторов, в том числе от плотности тока [165]. При длительном проведении электроосаждения поликристаллический осадок образуется всегда, независимо от типа и природы взятого субстрата (например, природы граней монокристалла). Однако при прочих равных условиях ориентирующее влияние поликристаллитного субстрата, имеющего маленькие кристаллитные зерна, прекращается раньше (при толщине осадка 1000 А), чем в случае большого монокристалла (при толщине осадка — 5000 А). При наличии поверхностноактивных веществ, примесей или ингибиторов это влияние субстрата прекращается на более ранней стадии [166, 168]. После образования поликристал-лического осадка средний размер отдельных зерен сильно зависит от концентрации поверхностноактивных веществ, которыми обычгю являются органические вещества с большими молекулами. Чем больше концентрация этих веществ в растворе, тем больше будет их адсорбция на растущих гранях отдельных кристаллитов и тем сильнее воздействие на электроосаждение. В конце концов по мере роста кресталла и снижения локальной плотности тока на индивидуальных гранях адсорбирующиеся примеси полностью блокируют рост, препятствуя развитию ступеней (которые, по предположению, являются идеально моноатомными ступенями, см. раздел ХП1), в результате чего образуются кристаллиты меньших размеров [173, [c.368]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология