Препарирование образцов для сканирующей электронной микроскопии

Уже из простого перечисления ясно, что кристаллические и полукристаллические образования различной природы могут иметь один и тот же габитус, и, следовательно, по одним морфологическим признакам гидрата невозможна его идентификация. В этом существенный недостаток методики реплик, ибо во избежание возможного изменения образца в процессе его препарирования часто нельзя достоверно интерпретировать полученные данные с точки зрения фазового состава новообразований. То же справедливо и в отношении метода напыления или осаждения. Однако метод реплик или съемка на сканирующем микроскопе незаменимы при необходимости изучить прежде всего взаиморасположение частиц в пространстве, т. е. собственно надмолекулярную микроструктуру ненарушенного образца. Этими методами пользовались многие авторы [497—501], стремившиеся разработать представления о структуре затвердевшего цементного камня или решить важнейшую задачу прикладной электронной микроскопии — связать микроструктуру материала с его технологическими свойствами. При этом наиболее ценные, на наш взгляд, выводы получены при одновременном изу- [c.216]

Этих недостатков частично лишены методы сканирующей микроскопии, существенное преимущество которых состоит в исключении стадии сложного препарирования образцов. Предельное разрешение сканирующего (растрового) электронного микроскопа составляет около 300 А, т. е. на порядок ниже, чем в просвечивающем электронном микроскопе. В последних моделях растровых микроскопов этот предел снижен до 20 А, С помощью растрового электронного микроскопа можно исследовать структуру поверхности объемных образцов или сколов. [c.77]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология