Метод растровой сканирующей электронной микроскопии

Метод растровой (сканирующей) электронной микроскопии, Растровая электронная микроскопия начала использоваться в биологических исследованиях 10—15 лет тому назад. Этот метод дает универсальную возможность получения объемного изображения объекта в диапазоне увеличений до 100 тыс. при достаточно высоком разрешении. Сейчас оно достигает 3 нМ. [c.96]

Этот метод дает возможность быстро получить качественную картину распределения отдельных элементов по поверхности шлифа. Принцип растрового микроанализатора [14—16] заключается в следующем. Электронный зонд сканирует по небольшому участку на поверхности образца синхронно с лучом, двигающимся по экрану катодно-лучевой трубки регистрирующего блока. Яркость луча на экране модулируется сигналом, приходящим с рентгеновского спектрометра, регистрирующего линию выбранного элемента. На экране трубки получается видимое изображение распределения отдельных элементов по поверхности образца в зависимости от настройки спектрометра на регистрацию того или иного элемента. Кроме того, такие приборы дают картины поверхности шлифа в отраженных или проходящих электронах, работая как растровые электронные микроскопы. [c.63]

Растровая (сканирующая) электронная микроскопия (РЭМ) является одним из методов электронной микроскопии. [c.148]

Существует три основных метода световая оптическая микроскопия, трансмиссионная электронная микроскопия (ТЭМ), растровая (или сканирующая) электронная микроскопия (РЭМ или СЭМ). Методы различаются сферами применения, определяемыми разрешением микроскопа. Разрешающая способность микроскопов определяется длиной волны излучения А, показателем преломления среды между образцом и линзой п р и углом приема линзы 6 [c.353]

Растровая электронная микроскопия. В химии твердого тела и материаловедении широко применяется и другой микроскопический метод исследования с использованием потока электронов — растровая (или сканирующая) электронная микроскопия (РЭМ). Метод заключается в сканировании поверхности образца максимально сфокусированным электронным пучком с одновременной регистрацией возбужденного этим пучком излучения. В качестве такого излучения чаще всего (из-за возможности достижения наибольшего разрешения) используют низкоэнергетические (до 50 эВ) вторичные электроны (собираемые к соединенному с фотоэлектронным умножителем сцинтилляционному детектору электростатическим коллектором), которые генерируются материалом [c.248]

В исследованиях полимеров применяют два основных метода просвечивающую электронную микроскопию (ПЭМ) и растровую, или сканирующую, электронную микроскопию (РЭМ, или СЭМ). В ПЭМ используют довольно сложные методики подготовки образцов. Образцы готовят либо прямыми методами в виде ульт-ратонких срезов или тонких пленок, получаемых выливанием разбавленных растворов полимеров на поверхность воды или другой жидкости, либо косвенным методом в виде реплик (копий с поверхности изучаемого материала), пластмассовых или угольных. Для повыщения контрастности электронных микрофотографий используют напыление металлов на полимерный объект или реплику, нанесение других контрастирующих веществ. Иногда перед получением реплик объект замораживают в жидком азоте и раскалывают. [c.144]

При исследовании срезов ИП наряду с традиционными методами оптической микроскопии [382, 3831 все шире используется метод растровой (сканирующей) электронной микроскопии [211, [c.51]

Электронно-микроскопический анализ. Этот метод дает представление о строении кристаллических областей в асфальтенах и дает наглядную картину об их надмолекулярной организации. Исследования выполняются в просвечивающих и сканирующих (растровых)- электронных микроскопах [329, 330]. Просвечивающие электронные микроскопы позволяют одновременно получать как электронно-микроскопический снимок, так и электронограмму в области больших и малых углов. Разрешающая способность их составляет 15—2 нм, а для сканирующих микроскопов 3—5 нм. Пучок электронов вызывает значительный разогрев и даже плавление образцов, поэтому просвечивающая электронная микроскопия применяется для объектов, имеющих незначительную толщину,— несколько десятков нанометров. Для этого образцы специальным образом готовят получают либо тонкие пленки, либо с помощью ультрамикротомов готовят срезы толщиной 10—20 нм. Из косвенных методов для исследования структуры асфальтенов получил распространение метод реплик. Для исследования используют мелкодисперсные порошки асфальтенов [325] или растворы в бензоле [319]. В первом случае асфальтены помещают на угольную (аморфную) подложку на медной сетке. С целью определения фоновых микропримесей проводят контрольные съемки пустой подложки. Во втором случае бензольные 0,1 % растворы асфальтенов диспергируют на поверхность полированного стекла с частотой излучателя 35 кГц. Далее стекло.с пленкой асфальтенов помещают в вакуумный пост и растворитель откачивают в течение 20 мин. Для контроля сходимости результатов с поверхности пленки асфальтенов получают реплику двумя способами. Одноступенчатая реплика образовывается напылением угольной пленки, а двухступенчатая — чистого алюминия толщиной не менее 0,2 мм. Затем асфальтеновую пленку растворяют в бензоле и отдельную угольную реплику оттеняют платиной. Во втором случае на обратную сторону отдельной алюминиевой фольги напыляют платиноугольную реплику толщиной 20—30 нм, а алюминиевую фольгу затем растворяют в азотной кислоте [331]. [c.158]

Этих недостатков частично лишены методы сканирующей микроскопии, существенное преимущество которых состоит в исключении стадии сложного препарирования образцов. Предельное разрешение сканирующего (растрового) электронного микроскопа составляет около 300 А, т. е. на порядок ниже, чем в просвечивающем электронном микроскопе. В последних моделях растровых микроскопов этот предел снижен до 20 А, С помощью растрового электронного микроскопа можно исследовать структуру поверхности объемных образцов или сколов. [c.77]

На образовании эмиссии электронов методом бомбардировки г[оверхности сканирующим пучком электронов с получением соответствующего телевизионного изображения основан метод растровой электронной микроскопии. [c.155]

Для обеспечения успеха предстоящих поисковых работ необходимо еще выше поднять научно-технический уровень структурно-химического микроанализа. Помимо пшроко применяемого в лабораторной практике метода локального рентгеноспектрального анализа, должны найти дальнейшее развитие методы ионной масс-спектральной микроскопии, ОЖЕ-спектро-скопии и лазерной спектрографии. Новые возможности изучения поверхностных дефектов открываются при использовании сканирующего (растрового) электронного микроскопа. [c.266]

Метод получения изображения рентгеновском излучении при сканировании по площади представляет по существу растровый рентгеновский микроскоп. Усиленный сигнал от детекторной системы—спектрометра с дисперсией по энергии или кристалл-дифракционного спектрометра — используется для модуляции яркости электронно-лучевой трубки (ЭЛТ), которая сканируется синхронно с электронным пучком. Таким образом, изображение на экране ЭЛТ получают за счет изменения интенсивности рентгеновского излучения с поверхности образца. Здесь используется такая же система развертки с регулировкой увеличения и такой же усилитель, что и в растровом электронном микроскопе (гл. 4). Электронный пучок может сканировать по линии в направлениях X или У и давать распределение рентгеновского излучения по линии. Пример типичного сканирования по линии для Со и Сг по поверхности окисленного высокотемпературного сплава приведен на рис. 5.14 (гл. 5). Электронный пучок можно, конечно, развертывать и по площади н получать изображение в рентгеновских лучах. Изображение в рент-геповски.х лучах при сканировании по площади может содержать тона от черного до белого в зависимости от условий эксперимента. Места с высокой концентрацией исследуемого элемента в пределах области сканирования будут на изображении почти белыми, серыми, когда концентрация элемента ниже, и черными всюду, где элемент отсутствует. Пример, иллюстрирующий результаты исследования руды, приведен на рис. 6.15. [c.296]

Электронно-микроскопический анализ. Этот метод дает представление о строении кристаллических областей в ас-фальтенах, а также наглядную картину об их надмолекулярной организации. Исследования выполняются в просвечивающих и сканирующих (растровых) электронных микроскопах. Просвечивающие электронные микроскопы позволяют одновременно получать как электронно-микроскопический снимок, так и электроно-грамму в области больших и малых углов. Разрешающая способность их составляет [c.91]

Для оценки качества травленой поверхности единый критерий отсутствует. Поэтому пользуются несколькими различными по своей природе показателями. Микрошероховатость поверхности оценивают виз) ально с помощью микроскопов (оптического, металлографического, растрового, электронного сканирующего) или по светорассеянию, а также при помощи профилометров, профилографов. Для определения микромеханических свойств можно использовать методы микровдавливания, склерометрии, трибометрии или определять износостойкость поверхности. Физико-химические свойства легче всего оценивать по смачиваемости и окрашиваемости поверхности, а также по прилипанию липких лент и приклеиванию полосок материи желатином. Весьма детальные и ценные сведения о химическом состоянии поверхности пластмасс можно получить методом рентгенофотоэлектронной спектроскопии. [c.35]