Электронная сканирующий электронный

Рис. 2-12. Микрофотография нефтяного кокса чешуйчатой структуры. Сканирующий электронный микроскоп

Рис. 14.1. Микрофотография поверхности фосфатированиой мягкой стали марки 1010 (получена с помощью сканирующего электронного микроскопа). Покрытие получено из кислого раствора фосфата цинка с добавкой нитрата натрия в качестве ускорителя при выдержке в течение 1 мин при 65 °С [11а]

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) Электронная оже-спектроскопия (ЭОС) [c.12]

Метод рентгеновского микроанализа позволяет легко определять распределение элементов и сегрегацию компонентов с шагом 1 мкм и может быть полезен для исследования таблеток, а также крупных частиц катализатора. Особенно ценно сочетание этого метода со сканирующей электронной микроскопией. [c.30]

Сопоставление результатов различных методов исследования (дифференциальная сканирующая калориметрия, сканирующая электронная микроскопия и ядерный магнитный резонанс) позволило получить представление о характере поведения воды в гидрофильных полимерных материалах [55]. [c.67]

Рис. 14.39. А. Микрофотография Т-киллеров (относительно мелкие клетки сверху и справа), полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа. Т-киллеры атакуют более крупную клетку (обычно это либо раковая клетка, либо клетка, инфицированная вирусом, либо клетка трансплантированных органа или ткани. Б. На этой микрофотографии, полученной также с помощью сканирующего электронного микроскопа виден Т-киллер (относительно крупная клетка в центре), прикрепившийся к группе чужеродных эритроцитов и разрушающий их.

Визуальное наблюдение и изучение разорванных образцов с помощью оптического или сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) являются важнейшими методами анализа разрушения. Очевидно, они помогают [c.263]

Микроструктурные исследования игольчатого кокса позволяют считать, что ламелярные составляющие возникают из мелких фибриллярных образований, по-видимому, за счет повышенной турбулентности газовых потоков при замедленном коксовании. Дополнительную информацию по оценке микроструктуры также можно получить при использовании сканирующей электронной микроскопии [2-34]. [c.60]

Структура изопористой мембраны (фотография получена с помощью сканирующего электронного микроскопа). [c.57]

Медленный рост трещины при растяжении компактных образцов, обладающих морфологической структурой второго типа, схематически проиллюстрирован на рис. 9.23, а. Здесь показан преимущественный рост трещин серебра впереди обычных трещин вдоль поверхностей раздела крупных сферолитов (рис. 9.23, б), внутри более крупных сферолитов (рис. 9.23, в) и на границах небольших сферолитов (рис. 9.23, г). Поведение обычной трещины в зоне ее быстрого роста иллюстрируется на рис. 9.24. На микрофотографии поверхности разрушения, полученной на сканирующем электронном микроскопе, выявляются отклонения пути разрушения от прямой, обусловленные неоднородностями структуры (рис. 9.24, а). Точки 1—3 соответствуют путям разрушений, показанных на рис. 9.24, а—в. Эти пути соответствуют границе сферолита 1 или рассекают соответственно сегмент 2 или ядро 3. [c.395]

Сведения о текстурных и структурных характеристиках исследованных образцов получены из анализа изотерм адсорбции азота и диоксида углерода, а также методом сканирующей электронной микроскопии. Обнаружено, что при термическом расширении происходит расщепление графитовых пластин на более тонкие слои. Полученные образцы обладают развитой микропористой структурой, представленной в основном щелевидными микропорами с преобладающим размером щелей 0,71-0,92 нм. Суммарный объем микропор составляет 0,114-0,330 см /г и зависит от способа приготовления углеродного материала. [c.122]

Для изучения поверхности электродов и явлений адсорбции используют оптические методы. Часть этих методов предназначена для исследования поверхностного слоя электродов, погруженных в раствор электролита и включенных в электрохимическую цепь. Таким образом получается информация о состоянии границы раздела фаз при заданном составе раствора и заданном потенциале электрода. К этим методам относятся эллипсометрический метод, а также методы обычного зеркального и неполного внутреннего отражения. Другая часть оптических методов изучения поверхности электродов требует удаления их из раствора, просушки и последующего исследования в глубоком вакууме. К этим методам относятся дифракция медленных электронов, Оже-спектроскопия, фотоэлектронная спектроскопия (рентгеновский микроанализ), сканирующая электронная микроскопия и некоторые другие методы. Эти методы дают информацию о микроструктуре поверхности твердых электродов, о химическом составе поверхностного слоя, изменение которого могло произойти в результате необратимой адсорбции тех или иных компонентов раствора, о составе и структуре возникших на поверхности окисных пленок. Однако для изучения обратимых адсорбционных явлений на электродах эти методы не подходят. [c.80]

Рис. 2-11. Ламелярная микроструктура нефтяного кокса, полученного из пиролизной смолы, обогащенной мезофазой. Сканирующий электронный микроскоп

Растровая сканирующая электронная микроскопия. Растровый электронный микроскоп (РЭМ) — прибор, в основу работы которого положен телевизионный принцип развертки тонкого пучка электронов (или ионов) на поверхности непрозрачного исследуемого образца. Пучок электронов, падающий на поверхность образца, взаимодействует с веществом, следствием чего является возникновение целого ряда физических явлений (рис. 59). Регистрируя соответствующими датчиками то или иное излучение (например, вторичные электроны) и подавая сигналы на кинескоп, получают рельефную картину изображения поверхности образца на экране. [c.149]

На основании этих данных, а также исследований, выполненных на сканирующем электронном микроскопе [6-156], можно установить следующие три кинетические стадии процесса [c.386]

Рис. 7-18. Полоса деформации в образце из высокотемпературного ПУ. Сканирующий электронный микроскоп, хЗОО [7-35].

Рис. 8-17. Продукты гетерогенной графитации СУ из фурфурилового спирта. Сканирующий электронный микроскоп [8-7]

По данным исследований на сканирующем электронном микроскопе, равномерность покрытия высокопрочных волокон значительно выше, чем высокомодульных. [c.642]

Принципиальная схема растрового (сканирующего) электрон-ного микроскопа (РЭМ) показана на рис. 60. Пучок электронов [c.149]

Из-за растущей популярности и доступности сканирующих электронных микроскопов использование отте-нения металлами сокращается. Однако, подобно сканирующему микроскопу, этот метод позволяет получать детальные изображения поверхностных структур и определять размеры бактерий, что может оказаться полезным ввиду большей разрешающей способности трансмиссионного электронного микроскопа им можно легко воспользоваться в отсутствие сканирующего электронного микроскопа. [c.117]

Исследования с помощью сканирующего электронного микроскопа не обнаружили каких-либо различий в поверхности полимерных мембран, которые находились в течение 2 недель на воздухе или в 3,5%-ном растворе 1ЧаС1. Поверхности всех испытанных мембран были гладкими, однородными, без открытых структур. [c.81]

Использование при исследовании серусодержащих присадок современных физических методов (рентгеновской дифрактомет-рии, рентгеновского микроанализа, оптической микроскопии, сканирующей электронной микроскопии) позволило сделать важные выводы по механизму действия присадок [150, 151] [c.136]

Сканирующая электронная микроскопия Электронный микрозонд Инфракрасная спектроскопия Элементный анализ Кислотность поверхности Иотерн при сгорании Термогравнметрический анализ Плотность [c.12]

Третий вариант объяснения данных, полученных при ступенчатых деформационных испытаниях, предложили Крист и Петерлин [9]. Они предположили для любого из упомянутых выше экспериментов существование неравномерного распределения деформаций вследствие различия длин нескольких тысяч одновременно напряженных волокон. Эффект неравных длин волокон, несомненно, расширяет имеющиеся распределения относительных длин цепей. Но преждевременные разрушения отдельных волокон и образование поверхностей их разрушения нельзя объяснить числом образовавшихся свободных радикалов. Чтобы в дальнейшем выяснить этот вопрос, Хассель и Деври исследовали свободные радикалы, образованные при деформировании ленты материала найлон-66 с высокоориентированными волокнами [10]. Они получили аналогичные гистограммы, которые оказались даже более широкими по сравнению с пучками волокна найлона-66. На микрофотографии поверхности разрушения ленточного материала, полученной с помощью сканирующего электронного микроскопа, показано, что в ленте, как и в нити, дефекты образуются по всему объему напряженного образца (рис. 7.8 и 7.9). Полученная поверхность разрушения проходит вдоль направления наименьшего сопротивления через ранее образовавшиеся дефектные зоны. Лишь при приближении к значению разрушающей деформации становится заметным различие между деформированием одиночного волокна и пучка волокон. Статистическое объяснение данного факта приведено в гл. 3. [c.196]

Рис. 2-3. Электроннал микрофотография ламелярной структуры нефтяного кокса. Сканирующий электронный микроскоп.

Количественные исследования микросоставляющих нефтяного игольчатого кокса на сканирующем электронном микроскопе [2-37] показывают, что ламелярная ориентированная структура составляет более 30%. Эти оценки достаточно структурночувствительны для определения технологической пригодности отдельных партий промышленных нефтяных коксов для производства электродов больших диаметров (более 450 мм) без изготовления технических образцов-свидетелей. Достаточная объективность этих оценок может быть обеспечена при учете представительности в пробе размеров исследуемых частичек кокса. [c.66]

Рис. 6-27. Электронная микрофотография графитированного кокса. Сканирующий электронный микроскоп. хбООО [6-103].

Рис. 6-36. Микроструктура терморасширенного графита а — червеобразная фориа б — сотовая структура. Сканирующий электронный микроскоп

HFS-2 (Япония). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 25 кВ,. при этом достигаются следующие предельные разрешения и максимальные увеличения в растрово-просвечивающем режиме 3 нм и 500 000 раз в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм и 250 000 раз. Сканирующий электронный микроскоп используется вместе с рентгеновским микроанзлизатором и имеет предельное разрешение 7 нм и максимальное увеличение 200 ООО раз. [c.154]

Экспериментальные установки обычйо сочетают проведение в одной и той же вакуумной камере Оже-спектроскопии и измерений дифракции электронов низкой энергии. В результате получается информация как о химическом составе поверхности, так и о ее атомной структуре. Для изучения геометрической структуры поверхности используют электронный сканирующий микроскоп. Принцип действия этого прибора аналогичен передаче телевизионного изображения, только здесь на исследуемый объект направляется сфокусированный пучок электронов, а детектируется интенсивность отраженных электронов, которая затем передается на экран электронно-лучевой трубки. Движение сфокусированного пучка электронов вдоль исследуемого образца синхронизовано с движением луча электронно-лучевой трубки, в результате чего на ее экране получается изображение изучаемой поверхности. Разрешение современных сканирующих микроскопов составляет 5—10 нм. [c.86]

Растровые электронные микроскопы, в которых изображение создается электронами, отра-/кеиными исследуемой поверхностью, причем пучок электронов сканирует поверхность подобно лучу в телевизионном кинескопе. [c.169]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология