Образование блоков и малоугловых границ

Образование блоков и малоугловых границ [c.46]

Иначе обстоит дело с дислокациями. Все полученные монокристаллы имели весьма высокую плотность дислокаций— 7 [0 -+ 2 10 см 2. При этом распределение их по сечению исключительно равномерное, а границы под малыми углами полностью отсутствуют. Расчет критической плотности дислокаций, необходимой для зарождения блоков разориентации, по методике [265] подтвердил, что вероятность образования малоугловых границ в этих условиях весьма невелика. [c.173]

Существенный вклад в образование блоков и малоугловых границ вносят также избыточные компоненты кристаллизуемого вещества, которые, образуя в монокристалле твердые частицы иной фазы, являются источником зарождения блоков (см. рис. 28). Методом рентгеновского микроанализа было установлено, что при выращивании монокристаллов иттрий-алюминиевого граната механические частицы, как отмечалось выше, являются кристалликами алюмината иттрия. К аналогичному результату пртели исследованм двулучепреломления алюмината иттрия с помощью компенсатора Берека в монохроматическом свете (Л = О, 586 мкм). По характеру поля просветления была определена плоскость скольжения дислокаций, которая является плоскостью симметрии шестилепестковой розетки. (На рис. 31 видны только четыре из них две розетки лежат в перпендикулярном к наблюдению направлении и поэтому не видны). [c.48]

Основное преимущество метода Киропулоса заключается в его технической простоте и надежности. Он экономически выгоден, поскольку возможно более эффективное экранирование источника нагрева, сводящее невозвратные потери тепла к минимуму. Метод Киропулоса позволяет выращивать крупные монокристаллы, например, монокристаллы лейкосапфира весом до 10 Ч- 20 кг и более. Существенным недостатком метода, однако, является непостоянство скорости выращивания, поскольку теплообмен по мере увеличения массы монокристалла претерпевает изменения, учесть которые технически трудно. Поэтому скорость роста задается заведомо низкой (для лейкосапфира порядка 2 ммУч), чтобы избежать возможного образования в монокристаллах различного рода включений, блоков и малоугловых границ. [c.103]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология