Более крупные монокристаллы

В промышленных процессах депарафинизации в зависимости от типа этих процессов применяют разные скорости охлаждения сырья при кристаллизации. В процессах кристаллизации, основанных на монокристаллическом выделении парафина, а именно в процессах кристаллизации без растворителей или при применении углеводородных растворителей-разбавителей, применяют наиболее низкие скорости охлаждения. В процессах депарафинизации, основанных на агрегатной кристаллизации (например в процессах с применением полярных растворителей, содержащих растворители-осадители, в которых малый размер выделяющихся отдельных монокристаллов компенсируется в известной мере их агрегированием в более крупные образования), допускаются более высокие скорости охлаждения. В основных промышленных процессах депарафинизации применяют следующие скорости охлаждения (в град/час). [c.114]

Чем больше их размеры. Идеальному случаю соответствует бесконечно большой монокристалл. При кристаллизации расплавов низкомолекулярных веществ размеры кристаллов обычно определяются просто числом зародышей кристаллической фазы, растущих в единице объема. Рост каждого кристалла прекращается при вступлении его в контакт с соседними кристаллами. Поэтому, чем меньше кристаллов растет в единице объема расплава, тем большего объема они успевают достичь до наступления контактного торможения процесса роста. В условиях, обеспечивающих минимум центров зарождения кристаллической фазы, из расплавов низкомолекулярных веществ удается выращивать крупные монокристаллы размером в несколько миллиметров и более. [c.185]

Получение еще более крупных монокристаллов из РЬОг и гидроксида натрия в стальном баллоне в присутствии воды при 335—375 °С описано в работе [3]. [c.841]

Более крупные монокристаллы халькогенидов цинка и кадмия получают-путем химического транспорта в температурном градиенте, используя галогены, водород или НС1 в качестве газа-носителя [2, 3]. [c.1119]

В соответствии с данными рентгенограммы порошка соединению Си (ОН) 2 была приписана структура, аналогичная структуре у-РеО(ОН) (ее описание см. ниже), но модифицированная таким образом, чтобы атомы двухвалентной меди имели окружение в виде искаженного октаэдра (четыре иона ОН на расстоянии 1,94 А и два — на расстоянии 2,63 А) [11]. Такая структура для этого соединения представляется довольно неожиданной, так как она содержит два типа неэквивалентных атомов кислорода, что, очевидно, более уместно для структуры гидроксид-оксида. Поскольку кратчайшее расстояние между ионами ОН , соединенными с различными атомами меди, равно 2,97 А, в этой структуре предположительно нет водородных связен. Выяснение позиций атомов водорода в этой структуре представляло бы большой интерес, но для детального исследования структуры необходимы более крупные монокристаллы, чем те, которые удавалось вырастить до сих пор. [c.359]

В частности, для нейтронографического определения структуры требуется гораздо более крупный монокристалл, чем для рентгеноструктурного анализа. [c.137]

Более крупные монокристаллы [c.114]

Обычно до сих пор размеры получаемых монокристаллов полимеров не превышали нескольких микрон и поэтому их существование обнаруживается при рассмотрении таких кристаллических образований в электронном микроскопе. Правда, известен случай получения более крупных монокристаллов, размеры которых, доходящие до 100 мк, позволяют обнаруживать такие кристаллы [c.196]

Для технических целей в настоящее время изготовляют свыше 100 т/год порошков -С. Более крупные монокристаллы массой до 1 карата ( 0,2 г) с размером до 5 мм получены перекристаллизацией первичных порошков (подробнее см. разд. 3.1.1.3). [c.57]

Выберите хорошо сформированный кристалл квасцов, перевяжите его тонкой нитью и опустите в стакан с маточным раствором. Второй конец нити закрепите на стеклянной палочке, которую положите горизонтально на стакан и оставьте до следующего занятия для выращивания монокристалла хромокалиевых квасцов более крупного размера. [c.158]

Таким образом, в результате исследования процесса поверхностного плавления разных монокристаллов можно сделать вывод, что плавление исследованных твердых тел начинается в отдельных участках поверхности с образования капель расплава и последующим их слиянием в более крупные капли. [c.47]

Изучен процесс поверхностного плавления различных граней монокристаллов тимола (плоскость 001, 110), дифениламина (плоскость 001), германия (плоскость 111), кремния (плоскость 111). Плавление исследованных твердых тел начинается в дефектных местах поверхности с образованием капель расплава с последующим слиянием их в более крупные капли. Образования сплошной пленки расплава, покрывающей твердую фазу, не наблюдалось. Эти эксперименты подтверждают вывод о неполном смачивании (б > 0) изученных твердых поверхностей собственным расплавом. Рис. 5, библиогр. 15. [c.223]

При достаточном давлении 10- мм рт. ст. температура возгонки составляет 600 °С. Если поверхность металла, на которой происходит конденсация, имеет температуру 400—500 °С, то вырастают дендриты при больших количествах конденсирующийся металл срастается в массивные блоки. При более высоких температурах (600°С) происходит образование крупных монокристаллов. [c.972]

Большинство природных и используемых в технике искусств. твердых з-в находится в поликристаллич. состоянии, т. е. представляет собой совокупность беспорядочно ориентиров, мелких кристаллов (зерен), размер к-рых зависит от условий кристаллизации, содержания примесей, термообработки и др. В поликристаллич. состоянии анизотропия св-в появляется лишь при наличии преимуществ, ориентации отд. зерен (текстуры). В технике широко используют также более или менее крупные монокристаллы. Реальные кристаллы всегда содержат раэл. рода дефекты. [c.287]

Изменение состава от 2гд 7580,75 до 210,758 — также довольно трудная кристаллографическая проблема. Сверхструктура представляет собой куб с ребром элементарной ячейки, равным удвоенному ребру субъячейки. Область составов, 210,7580,75—2го,,58 характеризуется заполнением вакантных мест серы, причем дополнительный диапазон составов образуется при извлечении атомов металла с определенных позиций. Для выяснения этого обстоятельства необходимо выполнить тщательные измерения с помощью методов, применяемых для изучения монокристаллов, так как ряд неопубликованных экспериментальных данных, полученных автором, указывают на возможность образования даже более крупных сверхструктур. Они могут соответствовать такому случаю, когда вакансии катионов, например, [c.111]

Н. с., возникающая при кристаллизации аморфных полимеров пачечного строения, изучена значительно лучше. Известны две формы кристаллизации пачек, а именно с образованием кристаллич. микрофибрилл с выпрямленными макромолекулами и с образованием т. наз. лент в результате многократного перегибания и складывания макромолекул самих на себя. Кристаллич. образования обоих типов агрегируются в более крупные, имеющие весьма разнообразное строение и способные к дальнейшей агрегации (см. Кристаллизация). Наиболее часто образуются сферолиты, но могут возникать и др. формы, в частности монокристаллы, сложные нерегулярные формы, состоящие из надмолекулярных образований, не доросших до правильных сферолитов или монокристаллов. Сферолиты также способны агрегироваться, образуя сферолитные ленты и пластины. [c.160]

Обычно используемые кристаллофосфоры представляют высокодисперсные порошки (за исключением щелочногалоидных, которые могут быть выращены в виде весьма крупных монокристаллов), и поэтому изучение их спектров поглощения крайне затруднительно. Для того, чтобы получить более или менее достоверные сведения о спектрах поглощения порошков, необходимо выполнение ряда условий. Например, слой исследуемого порошка должен быть достаточно тонок, но в то же время кристаллики должны быть расположены столь плотно, чтобы отсутствовали просветы между ними, т. е. слой должен быть достаточно толстым. При прохождении света через высокодисперсное вещество нельзя сделать однозначного вывода о том, действительно ли ослабление светового пучка происходит за счет его поглощения или же за счет рассеяния, отражения на хаотически расположенных гранях. [c.67]

В работе [43] проведено исследование электрических свойств теллуридов таллия в твердом и жидком состояниях. Были получены крупные монокристаллы у-фазы. Удельное электросопротивление монокристаллов при комнатной температуре составляет 8,3-10- ом-см, а поликристаллических образцов — около 15-10- ом-см. Температурный коэффициент электросопротивления положителен. В жидком состоянии Y-фаза также носит металлический характер проводимости. Сплавы с более низким содержанием таллия — полупроводники. [c.164]

Если теплообменник должен быть прозрачным, его обычно делают из пластины зеркального стекла (2), которая находится в контакте с рабочей жидкостью, и другой — например, плексигласовой — пластины (3). Пластины располагаются параллельно друг другу и разделяются зазором, который служит каналом для термостатированной воды (4). Требование прозрачности возникает тогда, когда нужна визуализация потока, т.е. эксперимент ставится с целью детального изучения структуры течения. Что касается точного поддержания постоянной граничной температуры, то теплопроводность стекла может оказаться для этого недостаточной. Поэтому вместо стеклянной часто применяют пластину из монокристалла сапфира — его теплопроводность на порядок ниже, чем у меди. Тем не менее, во многих случаях она существенно превосходит теплопроводность рабочей жидкости — например, на два порядка, если рабочей жидкостью является вода. Однако при использовании сапфира приходится ограничиваться небольшими (в несколько сантиметров) горизонтальными размерами слоя более крупные сапфировые пластины изготовить не удается. [c.33]

В пигментах может содержаться весьма небольшое количество частиц крупностью более 40 мкм в синтетических пигментах 0,02— 0,9%, в природных 0,2—1,0%. Такие количества крупных монокристаллов и кристаллических сростков, не влияя на ряд физико-технических показателей пигмента, значительно ускоряют износ рабочих тел и деталей диспергаторов. Эти частицы не измельчаются в процессе диспергирования, что усложняет достижение необходимой степени диспергирования (в единицах прибора Клин ) и значительно затрудняет очистку эмалей от сорности. Поэтому их содержание в пигментах регламентируется и контролируется. [c.165]

Для кристаллических материалов с величиной кристаллов более 10 ц, вследствие крупности размеров кристаллов, линии на рентгенограммах распадаются на отдельные пятна, число которых пропорционально числу кристаллов в объеме, освещаемом пучком рентгеновских лучей. Простым подсчетом числа пятен на рентгенограмме можно установить число кристаллов и следить за его изменением в том или ином процессе, если величина кристаллов находится в пределах от 10 до 100 а, а при некотором видоизменении методики верхний предел может быть расширен вплоть до крупных монокристаллов. Этот метод был применен при исследовании процессов рекристаллизации сплавов. Знание зависимости числа кристаллов от температуры рекристаллизации для меди и латуни способствует раскрытию сложных процессов рекристаллизации. Обработка получаемых данных позволяет чисто рентгенографическим методом устанавливать такие важные характеристики, как скорость образования центров рекристаллизации и линейная скорость роста кристаллов. [c.19]

До настоящего времени щироко распространено мнение, что выращивание крупных монокристаллов (весом в десятки или сотни граммов) из паровой фазы не может иметь практического использования ввиду малых скоростей роста, присущих этому методу. Поэтому процессы роста из паровой фазы считаются применимыми лишь для выращивания эпитаксиальных пленок и в отдельных случаях для получения, например, небольших пластинчатых монокристаллов самых различных веществ. Высокопроизводительные методы выращивания монокристаллов из расплавов, как правило, не могут обеспечить необходимой высокой однородности свойств при получении диссоциирующих соединений с высокими температурами плавления (главным образом из-за трудности поддержания неизменного состояния равновесия между расплавом и паровой фазой), а также твердых растворов двух полупроводников (из-за оттеснения одного из компонентов). Поэтому для получения монокристаллов таких материалов (например, соединений — СёЗ, 2п5) все более широко используют различные методы выращивания из паровой фазы. [c.342]

В [2], стр. 16 нами указано, что тенденция приписывать монокристаллу роль главного объекта изучения в теории полупроводников в принципе неправильна. Наука и техника стоят перед необходимостью и практической важностью уменьшения объема активных элементов электронных приборов и самих приборов в целом. А это обозначает увеличение отношения поверхности полупроводников к объему и, следовательно, увеличение ее роли в формировании свойств полупроводника. Отсюда логически вытекает переход от применения крупных монокристаллов к все более мелким монокристаллам и поликристал-лическим зернам, с одной стороны, и к монокристаллическим и поли-кристаллическим пленкам — с другой. [c.628]

Упоминая здесь о предмете, носящем научное название монокристалл , мы оставили в стороне то обстоятельство, что монокристалл алмаза, тем более крупный монокристалл,— это, проще говоря, бриллиант. И что обладание такими монокристаллами, тем более крупными, есть синоним величайшего богатства. Ну, а если бриллианты можно делать прямо в печке... Ведь с этого, собственно говоря, все и началось. Не о шлифовальных же пастах думали Хэнней и Каразин, Муассан и Хрущов, да и все остальные, перечисленные или не перечисленные в предыдущих главах лица. [c.125]

Метод Дебая—Шеррера. Первоначально для рентгенографических исследований применяли только крупные, хорошо сформпровап-ные одиночные кристаллы изучаемого вещества. Это было очень неудобно, так как не все вещества можно получить и виде крупных монокристаллов. Поэтому стали искать новый более доступный метод рентгенографического исследования. Такой метод, позвол5Пощий выполнять рентгеноструктурные исследования с порошкообразным веществом, был разработан Лебаем и Шер-рером. [c.113]

В настоящее время синтетические алмазы заняли прочное место в промышленности всего мира и их роль здесь непрерывно возрастает. К сожалению, синтезировать крупные монокристаллы алмазов — задача очень сложная. Наибольший размер серийно выпускаемых технических монокристаллов алмаза составляет около 1,2 мм, а для многих промышленных процессов требуются более крупные алмазы. Однако для технических целей могут применяться не только монокристаллы алмазов, но и агрегаты из сросшихся отдельных кристаллов. Поэтому наряду с усовершенствованием синтеза монокристаллов усилия исследователей направлялись и на разработку методов получения поликристаллических алмазов. В природе известны редко встречающиеся по-ликристаллические образования алмаза, которые получили наименования баллас и карбонадо. Они представляют исключительную ценность для промышленного использования благодаря своей изотропности и прочности, превосходящей в среднем прочность монокристаллов [c.143]

В работе Р.В Коваленка и В.В Шлях-турова по затуханию УЗ в монокристаллах K I показано, что рассеяние определяется наличием пор и включений другой фазы. Сопоставление теоретических оценок с экспериментальными данными на частотах 10. .. 50 МГц показало, что включения размером 1 мкм не вызывают существенного увеличения затухания. Гораздо большую роль играют более крупные центры рассеяния даже при их малочисленности. [c.791]

Основное преимущество метода Киропулоса заключается в его технической простоте и надежности. Он экономически выгоден, поскольку возможно более эффективное экранирование источника нагрева, сводящее невозвратные потери тепла к минимуму. Метод Киропулоса позволяет выращивать крупные монокристаллы, например, монокристаллы лейкосапфира весом до 10 Ч- 20 кг и более. Существенным недостатком метода, однако, является непостоянство скорости выращивания, поскольку теплообмен по мере увеличения массы монокристалла претерпевает изменения, учесть которые технически трудно. Поэтому скорость роста задается заведомо низкой (для лейкосапфира порядка 2 ммУч), чтобы избежать возможного образования в монокристаллах различного рода включений, блоков и малоугловых границ. [c.103]

Отмечая, что прямых измерений скорости свободного роста монокристаллов в области высоких дисперсностей и малых пересыщений почти нет, С. 3. Рогинский тем не менее в качестве одного из немногочисленных примеров приводит данные Жигмонди и Гюккеля [361] но исследованию скорости роста частиц золей золота в растворах. Вопреки ожиданию, эти авторы наблюдали увеличение скорости роста по мере увеличения размера частиц. Они объясняют отклонение от линейности отравляющим действием примесей, влияющих сильнее на малые кристаллы, чем на большие. Здесь же С. 3. Рогинский ссылается на работы Шубникова, который исследовал рост кристаллов разных довольно крупных измеряющихся миллиметрами размеров, растущих в идентичных условиях и одновременно на дне сосуда. Шубников наблюдал несколько повышенную скорость роста более крупных кристаллов и объясняет это тем, что для кристаллов большей величины более выгодны условия конвекции. А. В. Шубников [362], постулировал ускорение концентрационных потоков, идущих от растущего кристалла при увеличении сечения последнего из-за изменения отношения периметра сечения струи к ее площади. Эту точку зрения С. 3. Рогинский считает мало вероятной. Однако необходимо обратить внимание на то обстоятельство, что в приведенных примерах наблюдался коллективный, а не индивидуальный рост кристаллов. [c.95]

Как следует из уравнения (VII-I), растворимость небольщих кристаллов должна быть выше, чем растворимость более крупных кристаллов. Естественно, что в таком случае масса мелких кристалликов со временем должна перекристаллизоваться в один кристалл. Вот почему после прогрева мелкокристаллические осадки становятся крупнозернистыми. Строго говоря, уравнение (VII-1) должно относиться только к монокристаллу, находящемуся в равновесии с насыщенным раствором. Энюстюн и Тур-кевич [1] показали, однако, что растворимость массы неоднородных по размеру кристаллов определяется фракцией наиболее мелких кристаллов. [c.269]

ТИМОЙ деформации нек-рых каучуков при темп-рах выше темп-ры кристаллизации изотропного образца. В зависимости от условий кристаллизации кристаллич. полимеры получаются в различной форме. При кристаллизации из разб. р-ров образуются отдельные пластины — монокристаллы полимеров или системы таких пластин. Кристаллизация из расплава приводит к образованию блочных полимеров, имеющих микрокристаллич. строение. В блочных образцах имеется большое число отдельных полимерных кристаллитов размером порядка десятков нм (сотен А). Кристаллиты входят в состав более крупных надмолекулярных структур размером от десятков нм (от сотен А) до десятков мкм. Вопрос о классификации таких структур полностью не решен. [c.591]

При кристаллизации полимера в пачках макромолекул образуется пространственная решетка. Поверхностная энергия, возникающая при этом на границе раздела между закристаллизованной пачкой и не успевшим (или не могущим) закристаллизоваться ее окружением, делает термодинамически невыгодным суш,ествование тонкой и длинной кристаллич. пачки. Г1оэтому последние складываются с образованием более сложных разнообразных кристаллич. С. п. п.— т. наз. лент, лепестков, монокристаллов и сферолитов, различимых нри помощи электронного микроскопа, а также еще более крупных, видимых в оптич. микроскоп сферолитов и структур, элементами к-рых являются микрокристаллы или сферолиты (см. рис.). [c.543]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология