Дислокационная модель двойникования кристалла

Дислокационная модель двойникования кристалла [c.301]

Перейдем к формулировке дислокационной модели двойника и рассмотрим двойник у поверхности кристалла в соответствии со схемой, показанной на рис. 3.1. В том случае, когда двойникование производится нагрузкой бесконечно длинным лезвием, действующим на поверхности кристалла по прямой, параллельной оси (перпендикулярной плоскости рисунка), возникаюпщй двойник бесконечно протяжен вдоль оси z. Описание подобного двойника сводится к заданию его профиля в плоскости ху, и соответствующая математическая задача о равновесии подобного двойника сводится к плоской задаче теории упругости. Поэтому такой двойник будем называть плоским. Однако следует иметь в виду, что обычно возникающие у поверхности кристалла двойники создаются сосредоточенной нагрузкой, а потому не являются плоскими. При определенной концентрации напряжений двойник, вообще говоря, может возникнуть не у поверхности, а в глубине кристалла [59, 164]. На рис. 3.2 показана схема разреза двойника внутри кристалла. [c.52]

Экспериментальное изучение двойникования в ряде кристаллов можно провести очень чистыми методами и довольно точно охарактеризовать количественно, связи с этим представляется интересным подробный теоретический анализ процесса двойникования, выполненный на основе теории дислокаций. При этом двойники рассматриваются на начальной стадии двойникования, когда оно реализуется путем роста изолированных клиновидных двойников. Исключительность ситуации в этом случае (макроскопическое скопление одноименных дислокаций, находящихся в равновесии с йнешним упругим полем, а также с силами сопротивления со стороны. кристаллической решетки) позволила, используя сравнительно простую модель, создать количественную дислокационную теорию гонких двойников 83]. [c.51]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология