Двойник дислокационная модель

Владимирский [84] рассмотрел упругое двойникование, существенно используя малое отношение толщины двойника к его длине, и дал оценку этого отношения в терминах макроскопических параметров. Однако наиболее важным принципиальным результатом работы [84] является введение понятия двойникующей дислокации, послужившего отправной точкой для разработки дислокационной модели двойника. [c.52]

Ри с. 3.5. Дислокационная модель тонкого двойника. [c.54]

Перейдем к формулировке дислокационной модели двойника и рассмотрим двойник у поверхности кристалла в соответствии со схемой, показанной на рис. 3.1. В том случае, когда двойникование производится нагрузкой бесконечно длинным лезвием, действующим на поверхности кристалла по прямой, параллельной оси (перпендикулярной плоскости рисунка), возникаюпщй двойник бесконечно протяжен вдоль оси z. Описание подобного двойника сводится к заданию его профиля в плоскости ху, и соответствующая математическая задача о равновесии подобного двойника сводится к плоской задаче теории упругости. Поэтому такой двойник будем называть плоским. Однако следует иметь в виду, что обычно возникающие у поверхности кристалла двойники создаются сосредоточенной нагрузкой, а потому не являются плоскими. При определенной концентрации напряжений двойник, вообще говоря, может возникнуть не у поверхности, а в глубине кристалла [59, 164]. На рис. 3.2 показана схема разреза двойника внутри кристалла. [c.52]

Косевич А.М, Пастур Л.А. Дислокационная модель тонкого двойника у поверхности кристалла // Физика щелочно-галоидных кристаллов. Рига, 1962. С. 482-485. [c.260]

Экспериментальное изучение двойникования в ряде кристаллов можно провести очень чистыми методами и довольно точно охарактеризовать количественно, связи с этим представляется интересным подробный теоретический анализ процесса двойникования, выполненный на основе теории дислокаций. При этом двойники рассматриваются на начальной стадии двойникования, когда оно реализуется путем роста изолированных клиновидных двойников. Исключительность ситуации в этом случае (макроскопическое скопление одноименных дислокаций, находящихся в равновесии с йнешним упругим полем, а также с силами сопротивления со стороны. кристаллической решетки) позволила, используя сравнительно простую модель, создать количественную дислокационную теорию гонких двойников 83]. [c.51]

Приступая к дислокационному описанию двойника и стараясь сделать ясной исходную модель, представим себе одноатом1 ю двойниковую прослойку , набором которых реализуется макроскопический двойник. Схема разреза такой прослойки изображена на рис. 3.3. Одноатомный двойник заканчивается частичной дислокацией, линия которой проходит через заштрихованную область. Составляющая вектора Бюргерса Ь в плоскости ху показана на рис. 3.3, а ее модуль, очевидно, равен Ь = 2аЩ а (2а - угол двойникования). [c.53]

Перейдем к формулировке дислокационного описания движения границы остаточного двойника [229]. Поскольку плотность двойникующих дислокаций р на границе может быть достаточно велика (например, в кальците [238] р 5 10 см" ), то представляется полезным последовательное рассмотрение движения границы как ансамбля движущихся двойникующих дислокаций, изображенного на рис. 4.17. Предполагаем, что р(д ) — знакопостоянная непрерывная функция координат ир(дг)а < <1 (й — межплоскостное расстояние). Тогда для границы остаточного двойника можно ьредгюжить модель, изображенную на рис. 4.18, что приводит нас к проблеме плоского скопления дислокаций. [c.115]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология