Заряженные и незаряженные дефекты

При действии легких ядерных частиц и фотонов на ионные кристаллы наблюдаемые изменения обусловливаются уменьшением заряда или нейтрализацией аниона и захватом выбитых электронов катионами. Возникшие незаряженные образования оказываются разделенными толщей вещества и могут сохраняться в кристаллах в течение длительного времени. Смещение структурных элементов решетки кристалла проявляется при этом лишь в малой степени. При действии на ионные кристаллы тяжелых заряженных частиц возможно появление, наряду с незаряженными образованиями, различных дефектов решетки [8]. [c.352]

Химические потенциалы атомов или ионов в дефектном кристалле легко получить из выражений для химических потенциалов дефектов. Рассмотрим, например, ион электроположительного компонента М кристалла МХ с произвольным целочисленным зарядом (в случае незаряженного атома 5м = 0 по классической ионной модели равно валентности этого компонента Хт). По определению, химический потенциал рассматриваемого иона равен изменению изобарного потенциала кристалла при добавлении в него одного иона. Ион может быть введен в кристалл двумя способами или внедрен в междуузлие, или размещен в узле, заполнив существовавшую там вакансию. При первом процессе изменение изобарного потенциала соответствует появлению междуузельного дефекта и равно его химическому потенциалу, при втором процессе — исчезновению вакансии и равно ее химическому потенциалу со знаком минус. Таким образом, химический потенциал иона М + равен [c.69]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология