Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Фотоэмиссионная спектроскопия

    Теория электронного строения кристаллического фафита достигла довольно высокого уровня. Детальный обзор электронных свойств фафита на основе зонной теории дан в работе . Результаты расчетов плотности состояний в валентной зоне хорошо коррелируют с данными рентгеновской, фотоэмиссионной спектроскопии и оже-спектроскопии фафита. [c.8]

    Следует отметить, что теория электронного строения кристаллического графика достигла довольно высокого уровня. Детальный обзор электронных свойств графита на основе зонной теории дан в работе [5]. Результаты расчетов плотности состояний в валентной зоне [9] хорошо коррелируют с данными рентгеновской фотоэмиссионной [10—12] и оже-спектроскопии [13] графита. Рентгеновский фотоэлектронный спектр валентных электронов [c.22]


    Загрязнения создают органические плеики илн частицы разной породы. Идентификация загрязнений возможна микроскопически (частицы), при помощи отражательной ИК-спектроскопии, фотоэмиссиониой спектроскопии (органические пленки), рентгеновского анализа, атомио-абсорбциоиной спектроскопии (неорганические загрязнения). Иленки низкомолекулярных масел или жиров могут образовываться из смазок обрабатывающих устройств, из загрязнений воздуха, а также из пота или масел при ручных операциях с субстратом, из пластификаторов и стабилизаторов, которые могут, особенно при высоких температурах, выделяться из полимерных материалов, используемых для защиты и перемещения подложек. [c.16]

    Положение дна верхней валентной зоны, к сожалению, трудно установить однозначно, поскольку различные экспериментальные оценки для ширины валентной зоны в кристалле K I довольно сильно расходятся между собой по данным УФ фотоэлектронной спектроскопии эта величина равна 2,5—4 эВ, а по данным фотоэмиссионной спектроскопии — 2,3 эВ. Таким образом, средняя но этим данным оценка для ширнны валентной зоны составляет около (3,0 0,5) эВ, так что дно валентной зоны в расчете (без учета поляризации) должно находиться в окрестности значений —10,7 эВ — 3 эВ = —13,7 эВ. [c.218]


Смотреть страницы где упоминается термин Фотоэмиссионная спектроскопия: [c.624]    [c.653]    [c.95]   
Смотреть главы в:

Введение в фотохимию органических соединений -> Фотоэмиссионная спектроскопия




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте