Торможение роста и двумерное зародышеобразование

VII.71—VII.74. Торможение роста и двумерное зародышеобразование. [c.210]

ТОРМОЖЕНИЕ РОСТА И ДВУМЕРНОЕ ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ [c.247]

Критическое пересыщение. Известно, что усы часто образуются только при пересыщениях, меньших некоторого предельного. Если это предельное пересыщение превысить, усы утолщаются и перестают расти как усы, торможение роста устраняется. То же самое применимо и к пластинкам. Это явление часто объясняют с позиций двумерного зародышеобразования на заторможенных гранях (разделы 1.4 и 1.5). Двумерное зародышеобразование может происходить и на совершенных гранях кристалла при [c.247]

Краевую свободную энтальпию Л можно грубо оценить из энергий связи (см. раздел VI.16) или другими способами, и тогда по уравнению (VII.38) можно рассчитать (р/роо)криг-Если пересыщение выше критического, то торможение роста бездефектной грани больше невозможно, поскольку начинается двумерное зародышеобразование. [c.248]

Из выражения (9) следует, что скорость роста графита из двумерного газа возрастает не беспредельно, а до определенного значения, равного произведению кфХ, тогда как скорость роста прямым ударом может возрастать безгранично (конечно, в отсутствие диффузионного торможения). В зависимости от величин констант, входяш их в выражение (12) к-х, к , для разных газов можно ожидать различного соотношения между скоростями и Несомненно также, что это соотношение определяет качество нолучаюш ихся осадков углерода. Когда скорость зародышеобразования мала, можно ожидать получения графита с хорошей структурой, тогда как нри больших скоростях роста ориентация плоскостей будет нарушаться. Когда VI 1 2, базисные плоскости графита будут прорастать на большее расстояние, и новый слой атомов углерода, образовавшийся на них, будет наследовать структуру предыдущих. При г/ 2 могут образовываться зародыши с различными ориентациями относительно поверхности осаждения. Скорее всего при росте графитовых нитевидных кристаллов, базисные плоскости графита в которых твйиентированы вдоль направления роста, реализуется Ч5 менно такой механизм [9]. [c.17]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология