Графитовые нитевидные кристалл

При описании роста графитовых нитевидных кристаллов уже указывалось на специфическое воздействие лучистого нагрева на кристаллизацию из газовой фазы. Теоретически этот вопрос рассмотрен в работе [100] в применении к кристаллизации кремния из газовой фазы. Экспериментально было установлено, что скорость роста кремния при лучистом нагреве превышает скорость роста кремния в аналогичных условиях (давлении, температуре) при использовании омического нагрева [101]. Это находит свое объяс- [c.109]

Графитовые нитевидные кристаллы или усы являются уникальным, наиболее прочным из всех известных материалов. Известны два способа получения усов графита в дуге высокого давления с графитовыми электродами [36, 37] и при термическом разложении углеводородов [38]. Диаметр нитевидных кристаллов графита составляет 0,5—5 мк. [c.331]

Исследования графитовых нитевидных кристаллов показали, что по структуре и кристаллическому строению они близки к идеальным кристаллам. Было найдено, что прочность тонких усов графита при растяжении достигает 2100 кГ/жл4 при относительном удлинении [c.331]

В зависимости от давления ацетилена и температуры могут быть получены различные нитевидные кристаллы графита. Однако температура подложки не должна быть ниже 900° С. На рост графитовых усов влияет как природа и состояние подложки (обычно металлы вольфрам, тантал, титан, рений и др.), так и условия обтекания ее потоком газа вследствие естественной конвекции. На металлических подложках, неоднократно использованных в опытах, нитевидные кристаллы растут реже, нежели на свежих. Особенно часто растут такие кристаллы на срезах металла, а также на неоднородностях поверхности. Если на поверхность металла нанести перед опытом царапину, то вдоль нее вырастут нитевидные кристаллы, как бы декорируя эту царапину. Когда на поверхности молибдена был осажден вольфрам с различной ориентацией, то наибольшее число нитевидных кристаллов графита выросло на поверхности с ориентацией <100>. [c.46]

Смесь 1 кг графитового порошка и 1 кг кварцевого порошка помешены в печь объемом 10 Дм . Печь герметизирована, из нее удалены газы, и температура повышена до 1500 С. Графит вступает в реакцию с кварцем с образованием нитевидных кристаллов карбида кремния. [c.144]

Ф и г. 10. Графитовые отложения в виде нитевидных кристаллов на углеродной нити, нагретой до 2000°С в ацетилене [692]. [c.45]

Интересные результаты по кристаллизации окиси бериллия из газовой фазы получены Будниковым и Шишковым (1961). Рост нитевидных кристаллов из газовой фазы начинается при температурах, значительно ниже температуры плавления окисла, и заметен у/ке при 1600°С. В опытах Будникова и Шишкова поликристаллическая окись бериллия помещалась на дно графитового стакана, а кристаллы росли на графитовой крышке, имевшей температуру па 10—50° нин е температуры образца. Будниковым и Шишковым были получены кристаллы самой различной формы с преобладанием пластинок и стержней. Особый интерес представляет образование дендритных ветвлений и удлиненных нитчатых или ленточных кристаллов, которые эти авторы называют усами . [c.250]

Из выражения (9) следует, что скорость роста графита из двумерного газа возрастает не беспредельно, а до определенного значения, равного произведению кфХ, тогда как скорость роста прямым ударом может возрастать безгранично (конечно, в отсутствие диффузионного торможения). В зависимости от величин констант, входяш их в выражение (12) к-х, к , для разных газов можно ожидать различного соотношения между скоростями и Несомненно также, что это соотношение определяет качество нолучаюш ихся осадков углерода. Когда скорость зародышеобразования мала, можно ожидать получения графита с хорошей структурой, тогда как нри больших скоростях роста ориентация плоскостей будет нарушаться. Когда VI 1 2, базисные плоскости графита будут прорастать на большее расстояние, и новый слой атомов углерода, образовавшийся на них, будет наследовать структуру предыдущих. При г/ 2 могут образовываться зародыши с различными ориентациями относительно поверхности осаждения. Скорее всего при росте графитовых нитевидных кристаллов, базисные плоскости графита в которых твйиентированы вдоль направления роста, реализуется Ч5 менно такой механизм [9]. [c.17]

Одной из очень интересных морфологических форм углерода являются графитовые нитевидные кристаллы (усы), впервые полученные Бэконом [9] в электрической дуге. Нитевидные кристаллы разных веществ привлекают внимание исследователей ввиду их удивительной прочности, приближающейся к теоретической [29], и связанными с этим перспективами практического использования [30]. Основным способом получения графитовых нитевидных кристаллов является метод пиролиза из различных газов [23, 31—33]. Весьма перспективным методом получения графитовых усов, примененным в работе [33], является лучистый (радиационный) нагрев. В качестве источника нагрева использовалась установка радиационного нагрева на основе ксеноновой лампы высокого давления [34] и инфракрасный лазер непрерывного действия с длиной волны 10,6 мкм. Нитевидные кристаллы были получены из различных газов как нри стапионарном, так и при импульсном нагреве. Было обнаружено, что создание периодических импульсов пересыщения способствует росту графитовых усов. Скорость роста графитовых усов значительно превышает скорость роста пироуглерода, что связано с ориентацией базисных плоскостей углерода вдоль направления роста. Всякие неоднородности подложки способствуют росту на них нитевидных кристаллов. При использовании импульсного пересыщения нитевидные кристаллы, выращенные па металлической подложке, не имели включеншт, но форма их была самой разнообразной. Следует отметить, что нри вискеризации непрерывных углеродных волокон был обнаружен помимо графита и альфа-карбин [33]. Графитовые нитевидные кристаллы имели очень высокую прочность. Так, прочность на разрыв графитовых усов диаметром 0,1 м.км составляла 1500 кг мм . [c.27]

Прочность на разрыв нитевидных кристаллов графита определялась на сконструированной простой установке, позволяющей постепенно повышать приложенную нагрузку. Нитевидные кристаллы крепились цеокриновым клеем к более толстым волокнам, которые в свою очередь приклеивались к кварцевым нитя м. Результаты измерения прочности графитовых усов приведены на рис. 22. Как [c.48]

Зародышами выращиваемых кристаллов служат нитевидные кристаллы Si , прорастающие сквозь графитовую стенку. Морфологию и электрические свойства выращенных таким методом кристаллов исследовал Гамильтон [20]. Проблемы, связанные с полиморфизмом, образованием дефектов упаковки и полити-пией в Si , рассматриваются в разд. 1.3. [c.244]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология