Анизотропия g-фактора. Тонкая структура спектров ЭПР

Ассоциаты проявляются в усложнении тонкой структуры спектра и анизотропии фактора расщепления (g -фактора) или в обоих этих явлениях. Примерами могут служить Vk к Н-центры в галогенидах щелочных металлов, созданные облучением рентгеновскими лучами при низкой температуре. Тонкая структура спектра ЭПР в сочетании с анизотропией g-фактора показывает, что в образовании центров участвуют два атома хлора. Полагают, что центры являются соответственно молекулярным ионом lj в двух нормальных узлах С1 и междоузельным атомом С1, т. е. ионом С в узле одного иона С1 [72]. [c.178]

Вид спектра ЭПР зависит также от влияния несимметричного анизотропного окружения неспаренного электрона в радикальной частице на величину -фактора, что определяет тонкую структуру спектра. Усреднение здесь также приводит к снятию анизотропии -фактора при быстрых внутримолекулярных движениях. Таким образом, изменение определенных параметров спектра ЭПР может дать важную информацию о динамических свойствах микроокружения радикальной частицы. [c.276]

Все сказанное относится к сверхтонкой структуре спектра. Тонкая структура возникает в кристаллах вследствие анизотропии gf-фактора. При суммарном электронном спине, большем /г. зеемановские уровни перестают быть эквидистантными, спектр меняется из-за спин-орбитального взаимодействия. Вместо одной линии наблюдается группа линий, положения и интенсивность которых зависят от ориентации поля Но относительно кристаллических осей. В жидкостях и растворах тонкая структура не разрешается, имеется лишь некоторое уширение линии. [c.343]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология