Зинера эффект

Электрический пробой эффект Зинера). В очень сильных электрических полях Е 10 В/см) возможен еще один механизм образования свободных носителей заряда. Суть его сводится к следующему. [c.256]

Колебания тока, связанные с возникновением доменов, можно наблюдать и в других чистых однородных полупроводниках [13], если расстояние между минимумами Л и не слишком велико. При большом Ае для перехода электрона во второй минимум потребуется большая напряженность поля , при которой возможно увеличение концентрации электронов за счет ударной ионизации или туннельного эффекта (эффекта Зинера). [c.255]

Оценка по формуле (459) показывает, что при 82 1 эВ вероятность электрического пробоя Зинера (туннельного эффекта) становится заметной при полях порядка 10 В/см. Вероятность электрического пробоя в донорных полупроводниках может быть заметной при полях порядка 10 В/см. Еще более вероятен эффект Зинера на контакте полупроводника и металла (см. гл. IX, 3). [c.257]

Методы возбуждения полупроводников могут быть различными [13, 14]. Например, для подкачки могут быть использованы импульсы электрического поля. В этом случае за счет ударной ионизации валентной зоны (эффект Зинера) образуются неравновесные электроны в зоне проводимости и неравновесные дырки в валентной зоне. Крайне важно, чтобы эти неравновесные носители тока не рекомбинировали достаточно быстро. В другом, применяемом на практике методе возбуждения полупроводника используют инжекцию (см. гл. IX, 3) неравновесных носителей тока через р—п-переход вырожденных полупроводников. К образцу, составленному из полупроводников с акцепторными и донорными примесями, прикладывается внешнее напряжение (прямое смещение), заставляющее электроны переходить из р- в п-область. В области р—п-перехода идет рекомбинация электронов и дырок с выделением фотонов, частота которых со е /й. [c.523]

При дальнейшем увеличении обратного напряжения в некоторый момент происходит пробой р—п-перехода и ток Д резко возрастает (см. рис. 188, д). Этот рост обусловлен либо ударной ионизацией, если р— -переход изготовлен из полупроводника с большим удельным сопротивлением (толш,ина запорного слоя велика), либо эффект Зинера, если р (и, следовательно, толщина запорного слоя) мало (см. 2). [c.461]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология