Рекомбинация электронов

Десорбция продуктов может быть связана с рекомбинацией электронов и дырок, т. е. зависеть от подвижности носителей тока, либо может протекать по механизмам, обратным механизмам адсорбции, т. е. с энергетическими или пространственными переходами электронов. [c.29]

Так как органические полимеры являются менее жесткими по сравнению с неорганическими кристаллами или стеклами, для них существенными могут оказаться процессы миграции зарядов. Они состоят в том, что при разогреве облученного полимера часть глубоких ловушек разрушается или начинает мигрировать в его объеме еще до того, когда из них освобождаются захваченные электроны. Миграция ловушек и их разрушение сопровождаются рекомбинацией связанных зарядов в отличие от рекомбинации электрона с дыркой . Миграции ловушек со стабилизированным зарядом становятся все более вероятными по мере размораживания подвижности отдельных звеньев, сегментов и макромолекул как целого. Таким образом, скорость высвечивания образца полимера при некоторой фиксированной температуре будет определяться временем релаксации определенной группы атомов макромолекул. Так как спектр фотолюминесценции полимера, облученного при 77 К, практически не меняется во время его нагревания вплоть до размягчения (или плавления), можно сделать вывод, что его РТЛ происходит за счет рекомбинации зарядов, захваченных в [c.238]

Представим себе фрагмент валентной зоны (рис. ХХ-2, а). Минусы — валентные электроны плюсами условно обозначены положительно заряженные атомные остовы. При переходе хотя бы одного электрона из валентной зоны в зону проводимости в данном узле кристаллической решетки создается избыток положительного заряда (рис. ХХ-2, б). Об этом говорят, что здесь образовалась вакансия (для электрона), или дырка . Эту дырку может заполнить электрон соседнего атома (рекомбинация электрона с дыркой), но тогда такая же дырка возникнет в новом месте (рис. ХХ-2, в и г). Под действием [c.456]

В результате рекомбинаций электронов с дырками возникают нейтральные невозбужденные атомы кристаллической решетки, т. е. атомы, которые связаны со своими соседями только насыщенными химическими связями. Форма потенциального барьера для рассматриваемых процессов имеет простейший вид, изображенный на рис. 7. Отсюда следует, что энергия активации процесса генерации равна ширине запрещенной зоны (—AE,), а энергия активации процесса рекомбинации равна нулю. Таким образом, результирующая скорость процесса генерации — рекомбинации должна описываться уравнением (36). Заменяя индексы в формуле (36), получаем [c.137]

Давно известно, что желатины, содержащие лабильную серу или восстановительные группы, увеличивают чувствительность фотоэмульсий. В современной промышленной технологии в инертные желатины добавляются сенсибилизаторы. Характер действия химических сенсибилизаторов до сих пор не установлен, хотя кажется очевидным образование сульфида серебра в содержащих серу эмульсиях. Сульфид может действовать в узлах формирования изображения, либо обеспечивая большую глубину электронных ловушек, либо увеличивая стабильность на ранних стадиях формирования изображения. Сульфид серебра может также понижать рекомбинацию электронов и дырок и удалять бром, так как он может захватывать дырки и бром. [c.250]

От поверхностных состояний зависят очень важные свойства полупроводника контактные разности потенциалов и эффекты выпрямления, тока, химические реакции и адсорбция, поверхностная рекомбинация электронов и дырок, поверхностная проводимость, нестабильность характеристик полупроводниковых приборов, шумы и пр. [c.251]

У монокристаллов селена, полученных из расплава, проводимость и подвижность носителей вдоль цепочек (вдоль кристаллической оси с) в десятки тысяч раз больше, чем в перпендикулярном направлении. Селен — дырочный полупроводник. Вероятно, р-проводимость обусловлена дефектами решетки на концах атомных цепочек. Некоторые примеси (Hg, Т1) уменьшают проводимость селена, вероятно, потому, что они являются донорами, а это приводит к частичной рекомбинации электронов и дырок. Ширина запрещенной зоны серого селена 1,7—1,9 эв, аморфного 2,3 эв. После освещения селена проводимость увеличивается, и требуется некоторое время для того, чтобы проводимость достигла равновесного значения. [c.309]

Методы возбуждения полупроводников могут быть различными [13, 14]. Например, для подкачки могут быть использованы импульсы электрического поля. В этом случае за счет ударной ионизации валентной зоны (эффект Зинера) образуются неравновесные электроны в зоне проводимости и неравновесные дырки в валентной зоне. Крайне важно, чтобы эти неравновесные носители тока не рекомбинировали достаточно быстро. В другом, применяемом на практике методе возбуждения полупроводника используют инжекцию (см. гл. IX, 3) неравновесных носителей тока через р—п-переход вырожденных полупроводников. К образцу, составленному из полупроводников с акцепторными и донорными примесями, прикладывается внешнее напряжение (прямое смещение), заставляющее электроны переходить из р- в п-область. В области р—п-перехода идет рекомбинация электронов и дырок с выделением фотонов, частота которых со е /й. [c.523]

Полученные результаты показывают, что развитие цепной реакции взрывного разложения АТМ определяется мономолекулярным процессом захвата дырок на катионные вакансии (аи), а обрыв - бимолекулярной межзонной рекомбинацией электронов и дырок ( л ). [c.86]

В предложенных моделях стадией обрыва цепи является рекомбинация электрон дырочных пар на локальных центрах, концентрация которых в ходе инициирования не изменяется. Это связано с очень коротким временем развития процесса взрыва (менее 1 мкс), в течении которого протекание ионных стадий роста центров рекомбинации не будет сказываться. Проведенное нами исследование кинетики фотопроцессов в азиде серебра показало, что при освещении кристаллов АС светом с определенной интенсивностью и длиной волны в кристалле эффективно образуются малые кластеры металла, являющиеся ЦР носителей заряда [5]. Если полагать, что реакция рекомбинации электрон-дырочных пар является реакцией обрыва цепи и природа ЦР в фото и взрывном разложении одинакова, то в ATM появляется уникальная возможность путем предварительного освещения образца обратимо изменять концентрацию ингибитора реакции и направленно регулировать чувствительность ATM к внешним воздействиям различной природы. [c.90]

Еще один важный результат был получен Франкевичем Е. Л. с соавторами. Они открыли влияние внешнего магнитного поля на фотопроводимость молекулярных кристаллов (см. [3]). Суть эффекта состоит в следующем. При поглощении кванта света создается экситон - в данном случае связанное состояние электрона и дырки. В дальнейшем происходит термическая диссоциация экситона, появляются носители тока, электрон и дырка. С этим процессом диссоциации конкурирует процесс рекомбинации электрон-дырочной пары. Пара может рекомбинировать только в [c.5]

Очевидно, что для магнитного полевого эффекта благоприятна спиновая селективность рекомбинации РП отличие вероятности рекомбинации РП в синглетном состоянии и в триплетном состоянии. Обычно это условие выполняется. Но не всегда. Например, рекомбинация электрон-дырочных пар может быть одинаково эффективной в синглетном и триплетном состояниях. В такой ситуации для наблюдения магнитного эффекта надо, чтобы различались продукты рекомбинации в синглетном и триплетном состояниях. Например, рекомбинация пар может дать возбужденную молекулу в синглетном состоянии, что сопровождается флуоресценцией, или возбужденную молекулу в триплетном состоянии, что сопровождается фосфоресценцией. [c.42]

В этих лекциях, в основном, речь шла о реакциях, которые протекают в жидкости через образование короткоживущих спин-коррелированных РП. Вне рассмотрения остался ряд интересных процессов, которые играют роль в химической кинетике и в которых проявляются магнитно-спи-новые эффекты, а также родственные процессы, как например, образование и рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках. [c.140]

Д р используются для количеств изучения р-ций электронов в жидкостях и стеклах, напр рекомбинации электрон-катион-радикал, захвата электронов нейтральными молекулами и др [c.7]

В случае рекомбинационных люминофоров процессы разгорания п затухания происходят по другим законам. В данном случае в процессе разгорания число ионизованных центров и рекомбинаций электронов с ионизованными центрами увеличивается. [c.20]

Фотоны, наконец, могут возникать всякий раз, когда возбужденные электронные состояния (рассмотренные в разделе III, Б, 2) возвращаются в основное состояние (рекомбинация электронов с дырками, экситонов). Значительная часть, обычно более 80%, от общей рассеянной энергии превращается в возбужденные электронные состояния. Доля этой энергии, которую еще нельзя оценить, превращается в фотоны. Последние испускаются, давая спектр, характерный для данного облученного вещества [67], с энергиями в интервале от доли электрон-вольта и приблизительно до 20 эв. [c.213]

Зависимость наведенного тока г от мощности дозы представляет интерес для выяснения механизма проводимости. Если рекомбинация электронов и ионов, созданных излучением, происходит быстро, можно ожидать зависимости [c.80]

Следует еще рассмотреть процесс рекомбинации электрона и иона. Вследствие малой вероятности радиационного захвата, т. е. процесса е- -А+=А + /г N [351], нужно ожидать, что здесь, как и при образовании отрицательных ионов, существенную роль должен играть механизм тройного соударения +А++М=А-ЬМ. [c.418]

Константы скорости измерены при 300°С и имеют большие значения, так как они относятся к взаимодействию двух заряженных частиц, сближающихся иод действием кулоновского притяжения. Впервые возможность такого механизма рекомбинации непосредственно бзлла доказана Роджерсом и Бионди [484] на примере процесса е -f Hbj == Ие -Ь Ие, с которым связывается большое сечение рекомбинации электрон — ион, наблюдаемое при разряде в гелии. Согласно этим авторам, один из атомов Не при этом образуется в возбужденном состоянии из доплеровской ширины испускаемой и.м линии (Я =5876,4) для. энергии иоступательного движения каждого атома Не получается около 0,1 эв — в соответствии с энергетикой процесса. [c.194]

Оптические квантовые генераторы получили название лазеров. Излучение распространяется узким пучком и характеризуется высокой концентрацией энергии. Режим работы их может быть импульсным и непрерывным. К настоящему времени созданы лазеры на кристаллах СаРа, aW04, ЗгМо04, стеклах и пластмассах. В качестве активирующих добавок используются редкоземельные элементы (неодим, иттербий, гадолиний, гольмий, самарий и др.), что связано с наличием у них большого числа свободных состояний. Особый интерес представляют полупроводниковые лазеры, которые имеют высокий коэффициент полезного действия (в действующих моделях он равен 70%). Принцип действия их заключается в возбуждении стимулированного излучения, сопровождающего рекомбинацию электронов и дырок в области р—п-перехода при плотности тока 700—20 ООО а/см . р—л-Переходы в первых полупроводниковых генераторах осуществлялись на основе полупроводников А В (см. гл. IX). Длина волны излучения лазера на арсениде галлия с примесью цинка и теллура оказалась 8400 А. [c.111]

Это повлечет за собой уменьшение концентрации вакансий в подрешетке серы, которые занимаются атомами кислорода, и понижение проводимости сульфида. Однако при достаточно высокой температуре и достаточном вакууме сера и кислород улетучиваются в виде ЗОг. При этом вновь возникают вакансии, ранее занятые атомами кислорода, и еще у/2 новые вакансии, занятые атомами серы. В результате увеличиваются концентрация вакансий в анионной подрешетке и проводимость. От поверхностных состояний зависят очень важные свойства полупроводника контактные разности потенциалов и эффекты выпрямления тока, химические реакции и адсорбция, поверхностная рекомбинация электронов и дырок, поверхностная проводимость, нестабильность характеристик полупроводниковых приборов, щумы и пр. [c.312]

Приводит ли в данном случае обращенный процесс Оже к большей скорости рекомбинации с излучением, чем прямой процесс, зависит от относительных значений вероятностей перехода в нижние устойчивые состояния и от плотности предиссоциирующих или преионизирующих состояний. Для рекомбинации электрона с одноатомным ионом различными авторами [12, 451 было найдено, что при высоких температурах влияние обращенной преионизации велико (скорость увеличивается в 100—1000 раз). Этот факт имеет важное значение для понимания процессов в звездных атмосферах и в солнечной короне. Для рекомбинации радикала с атомом или радикала с радикалом, насколько известно, подобные расчеты не производились, однако весьма вероятно, что обращенная предиссоциация вносит существенный вклад в скорость рекомбинации при низком давлении, в частности,, в многоатомных системах. Обращенные процессы Оже также увеличивают скорость рекомбинации при соударении трех частиц, так как время жизни образующегося комплекса достаточно велико. [c.191]

КАТОДНАЯ ЗАЩИТА, см. Электрохимическая заи/ита. КАТОДОЛЮМИНЕСЦЁНТНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ, не-разрушающий метод локального анализа полупроводников и диэлектриков, основанный на катодолюминесценции-разновидности люминесценции, к-рая возбуждается первичным пучком электронов (микрозондом) и возникает вследствие излучат, рекомбинации элеКтронно-дырочных пар или внутр. переходов в люминофорах. Свечение люминофоров м. б. обусловлено как св-вами основы, так и примесями. Спектры излучения разл. люминофоров могут находиться в интервале от коротковолновой УФ до ближней ИК области. Ширина спектральных полос (АХ) варьирует от сотен до долей нм и для мн. материалов уменьшается при охлаждении. [c.355]

Явление невзаимозаместимости - отклонение от закона взаимозаместимости Бунзена - Роско, согласно к-рому общая экспозиция H=Et— onst, где Е - освещенность, t - вьщержка. В Ф. этот закон соблюдается только при малых вьщержках (до 50-100 мкс) и комнатной т-ре. При увеличении вьщержки до неск. секуцц светочувствительность растет, при дальнейшем увеличении - убывает. Причины отклонения от закона связаны с особенностями механизма образования скрытого изображения время рекомбинации электрона с подвижными ионами Ag составляет при комнат- [c.169]

К искажению, т. е. отклонению формы нкзкоэнергетической стороны пика от гауссовой, приводят два различных артефакта. Во-первых, сбор носителей заряда, созданных в некоторых областях детектора вблизи поверхностей и боковых сторон, происходит не полностью из-за захвата на ловушки и рекомбинации электронно-дырочных пар, что приводит к уменьшению величины п, предсказываемой уравнением (5.6). Полученное в .езуль-тате искажение низкоэнергетической стороны пика известно как явление неполного сбора заряда [106, 107], и этот эффект иллюстрируется на рис. 5.22 для Яа-пиков хлора и калия. Отклонение от гауссова распределения (показанного сплошной линией) является функцией энергии. Величина эффекта заметно раз- [c.219]

В первом случае поглощение сопровождается либо переходом электронов внутри электронной оболочки активатора на более высокие энергетические уровни, либо полным отрывом электрона от активатора и переходом активатора ионизованное состояние (образуется дырка ). Во втором случае, при поглощении энергии основой, в основном веществе образуются дырки и электроны. Дырки могут мигрировать по кристаллу и локализоваться на центрах люминесценции. Излучение происходит в результате возвращения электронов на более низкие (исходные) энергетические уровни Или при воссоединении (рекомбинации) электрона с ионизованным центром (дыркой). Люминофоры, в которых люминесценция (поглощение и излучение энергии) связана с электронными переходами в пределах люминесцентного центра, получили название характеристических. Активаторами в таких люминофорах являются ионы переходных и редкоземельных элементов, а также ртутеподобные ионы. Кри- еталлическая решетка основы, как правило, мало влияет на электронные переходы внутри центра, поэтому спектры возбуждения и люминесценции в основном определяются природой активатора. [c.5]

Если заключительным актом передачи энергии является рекомбинация (например, радикалов, электронов и ионов или электронов и дырок), то люминесценция, возникающая в результате этого процесса, называется рекомбинационной. В частности, люминесценгщю, вызванную рекомбинацией электронов и ионов, схематически можно представить так [c.499]

Поглощение возбуждающего света происходит в основном веществе (рис. 14.4.83,.а, б). В результате возбуждеЕшя электрон ё из заполненной валентной зоны переходит в зону проводимости (рис. 14.4.83, а, б I), а на его месте в валентной зоне образуется дырка, обладающая свойствами положительного заряда е" и способная передвигаться по валентной зоне. Передвижение дырки осуществляется в результате быстрого последовательного обмена электронами между соседними ионами валентной зоны. Если уровень активатора располагается вблизи от валентной зоны, то электрон с активатора рекомбинирует с дьфкой. Она всплывает и локализуется на его уровне (рис. 14.4.83, а, б П). В результате рекомбинации электрона е, попавшего в зону проводимости, с дыркой активатора е (рис. 14.4.83, а, б 111) возникает кратковременное свечение. Однако электрон, оказавшийся на нижнем уровне зоны проводимости, может перейти на локальный уровень (безызлучательный переход рис. 14.4.83, б, IV). Переход с локального уровня непосредственно на невозбужденный уровень активатора невозможен. Чтобы попасть на уровень активатора, электрон сначала должен вернуться назад в зону проводимости, для чего ему необходимо сообщить дополнительно небольшую порцию энергии. Запасенная электронами на ловушках энергия (так называемая запасенная светосумма) может быть освобождена при нагревании кристаллофосфора или облучении его ИК-светом. При помощи энергии, сообщенной извне (тепловой или лучистой), захваченный ловушкой электрон возвращается в зону проводимости (рис. 14.4.83, б, V), а затем рекомбинирует с положительно заряженным ионом активатора (дыркой), вызывая его люминесценцию. Люминесценция, отве- [c.509]

В теории Чуенкова при определенных допущениях решено кинетическое уравнение для электронов проводимости в диэлектрике, учитывающее торможение электронов на колебаниях решетки, разгон их электрическим полем, ударную ионизацию и рекомбинацию электронов (т. е. переходы электронов из заполненной зоны в зону проводимости и обратно). Существенно при этом отметить, что, согласно Чуенкову, электроны, попадающие в зону проводимости после актов ударной ионизации, распределены по энергиям в некотором интервале со средним (медианным) значением энергии АЕ,/, (половина таких электронов имеет энергию АЕсАЕ,/ и половина A >A i/J. Величина Afi/2 возрастает с увеличением y. Следовательно, с увеличением S значения АЕц и АЕр сближаются и критерием пробоя может быть равенство [c.27]

С(А) для трифениламина равен 0,16 в насыщенном углеводороде и 3 в полиметилметакрилате [170, 171]. Было высказано предположение, что защита полимеров от действия радиации путем введения в полимер ароматических соединений обусловлена подавлением рекомбинации электрона с дыркой процессом (ХХХП), при котором выделяется меньше энергии [169, 171]. [c.70]

Относительные концентрации электронов и дырок в окисле можно изменить путем облучения в области основного поглощения твердого тела. Используя зонную схему, можно представить, что поглощенный квант возбуждает электрон валентной зоны, который перескакивает через запрещенный участок, отделяющий ее от зоны проводимости наличие свободного электрона в зоне проводимости и дырки, свободно передвигающейся в валентной зоне, проявляется в случае приложения электрического поля как фотопроводимость. Если электрон и дырка образуют возбужденное состояние, оставаясь связанными вместе в виде экситона, то фотопроводимости не наблюдается, пока какое-нибудь дополнительное воздействие не приведет к диссоциации экситона. Поскольку электроны и дырки возникают в результате поглощения света или у-лучей, то можно ожидать — при условии правильности идей о роли электронов и дырок как реагентов при адсорбции и катализе, — что облучение будет стимулировать фотоадсорбцию , фотодесорбцию и фотокатализ точно так же, как оно вызывает фотопроводимость. Ввиду того что после прекращения возбуждающего облучения фотопроводимость очень быстро исчезает из-за рекомбинации электронов и дырок, можно полагать, что фотоадсорбция и родственные явления будут наблюдаться только в процессе облучения. Донорные или акцепторные центры в окисле, обусловленные, например, несте-хиометричностью, должны играть важную роль в определении природы и величины поверхностных фотоэффектов вследствие их способности избирательно захватывать электроны или дырки, а также из-за того, что вызываемое ими нарушение периодичности решетки может привести к поглощению за пределами области основного поглощения. [c.353]

Мы видели, что перенос энергии в газах может проис.ходить без диссоциации за счет переноса заряда и переноса возбуждения. Аналогичные процессы могут происходить и в конденсированных фазах. Однако высказано предположение [9, 32, 33], что рекомбинация электрона с положительным ионом может происходить в этих условиях за столь короткое время (<С Ю - сек.), что явление переноса заряда становится несущественным, и следует учитывать лишь перенос возбуждения. Аргументы против этой точки зрения приведены Плацманом [34], и вопрос остается в настоящее время окончательно не решенным. Очевидно, что не все вырванные электроны рекомбинируют быстро, поскольку облученные полимеры сохраняют повышенную электропроводность в течение нескольких дней и даже недель (стр. 79). [c.70]

С которым связывается большое сечение рекомбинации электрон — ион, наблюдаемое в случае разряда в гелии. Ввиду того, что один из атомов гелия, возникающих при рекомбинации электрона и иона Нег, оказывается в возбужденном состоянии, а избыток энергии распределяется поровну между обоими атомами гелия в форме энергии поступательного движения, появляется возможность обнаружения этих быстрых атомов по допплеровскому уширеиию испускаемой одним из них спектральной линии [495]. Роджерс и Бионди показали также, что линия гелия % = 5876 А в спектре послесвечения сильно расширена. Из допплеровской ширины этой линии найдено, что кинетическая энергия атома гелия составляет 0Д э г что совпадает с величиной, какую должен иметь каждый атом гелия, возникающий в результате указанного процесса диссоциативной рекомбинации. [c.380]

Вероятность рекомбинации должна быть особенно велика также в случае рекомбинации электрона и молекулярного иона, когда возможно расщепление образующейся нейтральной молекулы на атомы или атомные группы е -Ь АВ+ = А -Ь В. Возможность такого механизма рекомбинации непосредственно была доказана Роджерсом и Бьонди [1079] на примере процесса [c.418]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология