Зинера

Вероятность неадиабатического перехода такой модели при аппроксимации траектории функцией (9.11) была найдена Ландау [372] и Зинером [606] [c.60]

Максвелла если же допустить = оо, то модель Зинера переходит в модель Кельвина—Фойгта. [c.186]

Дифференциальное уравнение, соответствующее реологической модели Зинера, имеет вид [c.186]

Итак, реологическая модель Зинера и развитая термодинамическая теория позволяют объяснить появление пика на кривой С1 (Т) металлического поликристалла и вполне удовлетворительно его описать, но они не могут объяснить появление высокотемпературного фона, т. е. возрастание величины внутреннего трения после прохождения (при непрерывном повышении температуры) максимума. [c.202]

Колебания тока, связанные с возникновением доменов, можно наблюдать и в других чистых однородных полупроводниках [13], если расстояние между минимумами Л и не слишком велико. При большом Ае для перехода электрона во второй минимум потребуется большая напряженность поля , при которой возможно увеличение концентрации электронов за счет ударной ионизации или туннельного эффекта (эффекта Зинера). [c.255]

Электрический пробой эффект Зинера). В очень сильных электрических полях Е 10 В/см) возможен еще один механизм образования свободных носителей заряда. Суть его сводится к следующему. [c.256]

Оценка по формуле (459) показывает, что при 82 1 эВ вероятность электрического пробоя Зинера (туннельного эффекта) становится заметной при полях порядка 10 В/см. Вероятность электрического пробоя в донорных полупроводниках может быть заметной при полях порядка 10 В/см. Еще более вероятен эффект Зинера на контакте полупроводника и металла (см. гл. IX, 3). [c.257]

Так, приняв в (720) соо = О, находим формулы Др уде—Зинера [c.409]

Методы возбуждения полупроводников могут быть различными [13, 14]. Например, для подкачки могут быть использованы импульсы электрического поля. В этом случае за счет ударной ионизации валентной зоны (эффект Зинера) образуются неравновесные электроны в зоне проводимости и неравновесные дырки в валентной зоне. Крайне важно, чтобы эти неравновесные носители тока не рекомбинировали достаточно быстро. В другом, применяемом на практике методе возбуждения полупроводника используют инжекцию (см. гл. IX, 3) неравновесных носителей тока через р—п-переход вырожденных полупроводников. К образцу, составленному из полупроводников с акцепторными и донорными примесями, прикладывается внешнее напряжение (прямое смещение), заставляющее электроны переходить из р- в п-область. В области р—п-перехода идет рекомбинация электронов и дырок с выделением фотонов, частота которых со е /й. [c.523]

Заметим в этой связи, что в континуальной упругой модели точечных дефектов Зинера [38, 39] основным предположением теории также является отождествление изотермо-изобарической работы деформации тела, приводящей к образованию дефектов, с термодинамическим потенциалом дефекта (поскольку эта работа составляет лишь часть общей работы деформации, необходимо исключить обратимую работу макроскопически упругой деформации тела). [c.47]

Для такой модели Ландау и Зинер рассчитали вероятность неадиабатического перехода [c.95]

Простейшая модель, качественно описывающая основные вязкоупругие свойства, — это модель стандартного линейного тела [144], называемая также моделью Зинера. [c.217]

Простые модели, рассмотренные выше, являются частными случаями двойной модели Максвелла (см. рис. IX.2, в). Так, при 2 = 0 получим простую модель Максвелла при tii = оо и Ei = оо — модель Кельвина — Фойгта. При TI2 = оо получим так называемую модель Зинера стандартного линейного тела (см. рис. IX.2, г). [c.217]

Эти дополнительные силы обычно называют силами изображения. Приложение к поверхности кристалла 2 сил изображения приводит к дополнительной (по сравнению со случаем включения в бесконечной среде) деформации. Для рассматриваемого здесь макроскопически однородного гетерофазного кристалла дополнительная деформация, связанная с силами изображения, также является однородной. Последнее обстоятельство — причина того, что взаимодействие включений через поле сил изображения не зависит от расстояния между ними и поэтому является сколь угодно дальнодействующим. Дальнодействующий характер взаимодействия включений через поле сил изображения был впервые отмечен в работе Зинера [164]. [c.225]

Вероятность неадиабатического перехода для такой модели при аппроксимации траектории функцией (10.3) была найдена Ландау [1129] и Зинером [1722], [c.121]

Рис. 30. Зависимость вероятности перехода 3 1, от 1/7, описываемая формулой Ландау — Зинера

Далее кратко рассмотрим основные механизмы образования микротрещин, которые можно подразделить на дислокационные, диффузионные и в результате межзерен-ного сдвига. Дислокационные механизмы могут быть разделены на три группы. К первой группе относятся модели (Зинера, Стро, Коттерелла, Гилмана и др.), связывающие инициированные микротрещины со скоплением дислокаций в плоскостях скольжения. Эти скопления возникают в результате остановки движущихся дислокаций в различных барьерах, которыми являются границы зерен с большими углами разориентировки, включения, поля напряжений. Вторая группа моделей предполагает образование микротрещин в результате скопления дислокаций в окрестностях пересечения систем элементарных актов пластической деформации путем скольжения и двойникования (модель Коттерелла). В соответствии с концепциями моделей третьей группы микротрещины инициируются в результате взаимодействия дефектов кристаллической решетки при пластическом деформировании. Эта группа -барьерные механизмы, описывающие процесс развития трещин в результате объединения цепочек вакансий в движущихся дислокациях со ступенькой пересечение малоугловых границ аннигиляции дислокаций в близко расположенных плоскостях скольжения возникновения поля растягивающих напряжений от двух дислокационных скоплений противоположного знака. [c.86]

Вероятность протекания неадиабатической реакции зависит не только от параметра Месси, но и от величины матричного элемента взаимодействия. При сближении (квазипересечении) поверхностей потенциальной энергии вероятность неадиабатического перехода (по Ландау и Зинеру) равна [c.73]

Модель Инглиса—Зинера. Разрушение металлов — это более сложный процесс, чем разрушение совершенно хрупких материалов, так как в металле может одновременно действовать несколько механизмов разрушения, коренным образом отличающихся друг от друга. Здесь характерным является пластическая деформация, обычно предшествующая разрушению. [c.177]

Кинетическая модель. Опыт показывает, что прочность твердых тел зависит не только от температуры, но и от времени действия нагрузки. Так, образец, разорванный (при Т — onst) за короткое время, обладает повышенной прочностью по сравнению с таким же образцом, разорванным за больший промежуток времени. Зависимость прочности от времени при статической нагрузке, получившая название статической усталости материала, наблюдалась многими исследователями в стеклах, полимерах, металлах, ионных кристаллах и т. д. Влияние времени на прочность модель Гриффитса не объясняет. В модели Инглиса—Зинера временная зависимость прочности связывается с перераспределением со временем напряжения в отдельных областях напря- [c.182]

Макроскопия ползучести. Реологические свойства твердых тел удобно описывать при помощи моделей, представляющих собой простое или сложное сочетание упругих (элемент Гука) и вязких (элемент Ньютона) элементов (рис. 80, а, б). Наиболее распространенной моделью является модель стандартного линейного тела (модель Зинера). Она представляет собой сочетание упругого элемента Гука с элементом Максвелла (рис. 80, в). Если допустить, что = О, модель Зинера переходит в модель [c.185]

Рис. 80. Схема реологических моделей а — Гука б — Ньютона в — Зинера (2-тело)

Выше мы отмечали, что реологическая модель Зинера (см. рис. 80) качественно правильно описывает механические свойства твердых тел. Применим ее для рассматриваемого случая. С целью достижения большей наглядности в сравнении получаемых результатов перепишем уравнение (297), вводя в него постоянные и т<, с помощью (298а) и (299а), в следующем виде [c.195]

Tg, т. е. когда время ретардации больше времени релаксации. Для реальных тел это имеет место. Чтобы возможно нагляднее представить себе изменение внутреннего трения Z-тела (модель Зинера) с частотой, а также принимая во внимание, что для реальных тел Тст и tg — величины одного порядка, введем среднее геометрическое время релаксации т = ]/TeTjj и средний геометрический модуль УИ Тогда, используя уравнение [c.196]

Выражение (351) совпадает (с точностью до множителя MJMo 1 в знаменателе) с равенством (337), полученным выше при помощи реологической модели Зинера, если под М2 понимать Aioo, а под Mi—модуль Мо- Однако в отличие от формального описания при помощи реологических моделей термодинамика позволяет выяснить физический смысл модулей Mi и Ма [см. (349)]. [c.199]

При дальнейшем увеличении обратного напряжения в некоторый момент происходит пробой р—п-перехода и ток Д резко возрастает (см. рис. 188, д). Этот рост обусловлен либо ударной ионизацией, если р— -переход изготовлен из полупроводника с большим удельным сопротивлением (толш,ина запорного слоя велика), либо эффект Зинера, если р (и, следовательно, толщина запорного слоя) мало (см. 2). [c.461]

Наиболее важной величиной, которая может бьтть определена из таких экспериментов, является вероятность перескока с одной адиабатической потенциальной кривой на другую. Ее можно определить из экспериментальных данных по затуханию осцилляций. Эта вероятность называется вероятностью Ландау-Зинера и может быть рассчитана по формуле (4.66), откуда [c.173]

Рис. IX. 2. Механические модели Максвелла (а), Кельвина —Фойгта (б), двойная модель Максвелла (в), стандартного линейного тела (Зинера) (г) и обобщенная модель Максвелла ( ), применяемые для опнсани(Г вязкоупругих свойств полимеров

Одна из основных особенностей раствора внедрения, отличающая его от раствора замещения, заключается в том, что концентрационные коэффициенты изменения параметров кристаллической решетки, яв.пяющиеся мерой статических искажений, на порядок выше соответствующих коэффициентов в растворах замещения. Это обстоятельство наводит на мысль связать аномально сильное (по сравнению с растворами замещения) взаимодействие примеси в растворах внедрения с упругими искажениями кристаллической решетки. Идея о доминирующей роли деформационного взаимодействия, обусловленного упругими искажениями решетки, была впервые выдвинута Зинером [164] для объяснения существования тетрагональности в железо-углеродистом мартенсите. Однако теория Зинера носила весьма приближенный характер, так как в ней не учитывался дискретный характер кристаллической решетки. [c.323]

Выражение (38.23) описывает, согласно терминологии Зинера [164], энергию взаимодействия атомов внедрения на далеких расстояниях. Природа этого взаимодействия разбирается в [164, 252]. Как показано в [164, 252], введение точечных дефектов в упругоизотропный объем конечного размера приводит к появлению мнимых поверхностных сил, создающих однородные напряжения. Взаимодействие локальной деформации, связанной с введением точечного дефекта, с этими напряжениями и приводит к взаимодействию точечных дефектов на далеких расстояниях. [c.330]

Вычисление энергии кристалла с точечными дефектами в общей формулировке было впервые произведено в работе [246], а затем в работах [247 — 249]. Более ранние работы Зинера [164] и Эшелби [252] исходили из довольно грубой модели, не учитывающей дискретного строения и упругой анизотропии кристаллической решетки. Результаты [252] можно получить как частный случай, посредством предельного перехода в Q. Для этого необходимо положить utj = где — линейный козффициент концентрационного расширения реп1етки. Пренебрежение дискретным строением решетки дает F = — ikKunV, где К — модуль всестороннего сжатия, и тсо (к) == г р / где р — [c.331]

Зинером было показано, что упорядочение атомов углерода осуществляется по механизму фазового перехода первого рода при нагреве упорядоченное распределение (тетрагональная фаза) скачком переходит в неупорядоченное распределение (кубическую фазу) [164, 261]. Следует, однако, заметить, что расчеты Зинера потенциалов деформационного взаимодействия являются весьма приближенными и требуют существенного уточнения. Необходимо одновременно учесть упругую анизотропию кристаллической решетки aFe и ее дискретное строение, а также то обстоятельство, что каждый атом внедрения является локальным центром тетрагональной деформации. Такая теория деформационного взаимодействия была изложена в 38. Так как процесс упорядочения в мартенсите не связан с образованием сверхструк тур, то в приближении самосогласованного поля термодинамика упорядочения определяется фурье-компонентами потенциалов вза имодействия при к = О (см. 14). Последние определяются выражением (38.34) [c.349]

Здесь следует остановиться на одном, чрезвычайно существенном, обстоятельстве. Теория, предложенпая в работе Зинера 124Ц. и более точная теория, изложенная выше, справедливы в рамках приближения самосогласованного поля (при отсутствии корреляции в расположении атомов внедрения). Приближение самосогласованного поля справедливо, если Т 1, где Уд — характерный потенциал взаимодействия. В данном случае i эв, у, Т [c.351]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология